贵州供应电阻测试发展

时间:2023年04月27日 来源:

随着电子产品向小型化/集成化的发展,线路和层间间距越来越小,电迁移问题也日益受到关注。一旦发生电迁移会造成电子产品绝缘性能下降,甚至短路。电迁移失效同常规的过应力失效不同,它的发生需要一个时间累积,失效通常会发生在**终客户的使用过程中,可能在使用几个月后,也可能在几年后,往往会造成经济上的重大损失。但是,电迁移的发生不仅同离子有关,它需要离子,电压差,导体,传输通道,湿气以及温度等各种因素综合作用,在长期累积下产生的失效。所以,通过在样品上施加各类综合应力来评估产品后期使用的电迁移风险就显得异常重要。测试电压可以扩展使用外接电压,最大电压可高达2000V。贵州供应电阻测试发展

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铜镜和铜板腐蚀测试了助焊剂或者助焊剂残留物里面离子之间的反应分别对电化学迁移的潜在影响。***,卤化物含量测量表明了助焊剂中多少的离子来自卤离子。需要注意的是这是有别于无卤和低卤助焊剂的要求。也需要提供附加测量值,比如助焊剂黏度、酸值固体物含量等根据J-STD-004定义的附加测试方法的测试结果。当供应商提供了助焊剂活性等级,相当于给了工程师一个规格,这个规格定义了在标准条件下助焊剂的表现如何,这其中包括了指定的温度循环和测试板。这有别于在特定设计和工艺中认证助焊剂。某些助焊剂等级的测试方法可以修改,以适应其设计特性。但是这些修改可能改变预期的结果,并且会影响到测试合格/失败的极限。湖南多功能电阻测试欢迎选购PCB/PCBA绝缘失效分析导通电阻测试系统。

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表面绝缘电阻测试(SIR测试)根据IPC的定义,表面绝缘电阻(SIR)是在特定环境和电气条件下确定的一对触点、导体或接地设备之间的绝缘材料的电阻。在印刷电路板(PCB)和印刷电路组件(PCA)领域,SIR测试——通常也称为温湿度偏差(THB)测试——用于评估产品或工艺的抗“通过电流泄漏或电气短路(即树枝状生长)导致故障”。SIR测试通常在升高的温度和湿度条件下在制定 SIR 测试策略时,选择用于测试的产品或过程将有助于确定**合适的 SIR 测试方法以及**适用的测试工具。一般而言,SIR 测试通常用于对助焊剂和/或清洁工艺进行分类、鉴定或比较。对于后者,SIR 测试通常用于评估一个人的“免清洗”焊接操作。执行,例如85°C/85%RH和40°C/90%,并定期获得绝缘电阻(IR)测量值。

电阻表面枝晶状迁移物SEM放大形貌和EDS能谱分析见图2所示,枝晶状迁移物由一端电极往另一端电极方向生长,图2(b)EDS测试结果表明枝晶状迁移物主要含有Sn,Pb等元素,局部区域存在Cl元素,此产品生产中采用的SnPb焊料为Sn63Pb37,说明SnPb焊料中的Sn,Pb金属元素发生电化学迁移导致枝晶的生长,连通电阻两极,导致电阻短路失效。对失效电阻样品表面迁移物区域和原工艺生产用SnPb焊料取样进行离子色谱分析,所得的结果如表1所示。从表1中可以得出失效电阻表面存在Cl-的含量为1.403mg/cm2。目前行业内为避免印刷电路板发生腐蚀和电化学迁移而导致失效,控制表面残留的Cl-含量不高于0.5mg/cm2。但本案中的失效样品表面所测的Cl-含量明显超出了行业规范的要求,Cl-可以诱导阳极金属表面钝化膜的破裂,诱发局部腐蚀。测试配置灵活:每组板卡可设置不同的测试电压,可同时完成多任务测试。

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SIR测试模型允许将此测试组件安装在温度为40°C和相对湿度为90%的箱体中,如IPC TM-650所述。有一个轻微的偏差,因为板没有固定,并有不同的方向相对于气流确保在测试期间SIR测试模块上没有明显的冷凝现象。根据IPC标准,通过测试的模块,在整个测试过程中,其电阻都高于108Ω。测试结果将根据这个限定值判定为通过或失败。相关研究的目的是描述不同回流曲线对助焊剂残留物的影响。在以前的工作中,据说曾经观察到与回流工艺产出的组件相比,使用电烙铁加热和更快冷却速度的返工工位完成的组件显示出更高的离子残留物水平。印刷电路板的电极之间会出现离子转移,出现绝缘劣化的现象。通常发生在PCB基板中。湖南多功能电阻测试欢迎选购

测试电压可在1.0-500V(2000V)之间以0.1V步进任意可调。贵州供应电阻测试发展

表面绝缘电阻(SIR)IPC-TM-650方法定义了在高湿度环境下表面绝缘电阻的测试条件。SIR测试在40°C和相对湿度为90%的箱体里进行。样板的制备和ECM测试一样,都是依据方法制备(如图1)。***版本的测试要求规定每20分钟要检查一次样板。在七天的测试中,不同模块之间的表面绝缘电阻值衰减必须少于10Ohms,但是要排除**开始24小时的稳定时间。电压是恒定不变的。这和ECM测试在很多方面不一样。两者的不同点是:持续时间、测试箱体条件和频繁测量数据的目的。样板同样需要目测检查枝晶生长是否超过间距的20%和是否有任何腐蚀引起的变色问题。贵州供应电阻测试发展

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