激光掺杂光伏销售厂
花篮升降横移模组:升降模组:由带刹⻋装置的伺服电机配合螺纹丝杆,带动花篮上下运动,刹⻋装置可保证在掉电状态下花篮位置不会改变。横移模组:由电机驱动同步带,带动花篮平稳横向移动,用于空花篮在上下料之间转存。硅片输送模组:硅片输送模组皮带输送装置可平稳轻柔地将硅片输送至缓存机构和空花篮中。皮带输送模组由步进电机、聚氨酯定制皮带以及主从动轮组成,确保硅片在平皮带线上快速稳定运输。对中校正机构;由同步带带动两侧滚轮同时向中间运动,用来导正硅片的位置,保证其位置精度。TOPCon SE 技术的引入,大幅提高光伏电池的开路电压和短路电流。激光掺杂光伏销售厂
设备安全防护:
安全门与保护开关:设备装有激光防护安全观察窗,并配备安全门保护开关。当安全门保护开关被打开时,设备会立即停止运行,激光器也会关闭。只有当安全门保护开关关闭时,设备才会进入正常的运行状态。
急停开关:当设备出现故障或需要紧急停止时,操作人员可以按下急停按钮,使设备立刻停止运行。
安全光闸:当安全门被打开时,光路安全光闸会自动关闭,确保激光不会照射到加工台面,从而避免潜在的危险。
安全光栅:与安全门一起组成双安全门控制,进一步提高了设备的安全等级。
电器和机械设计:所有电器、配电箱及控制箱的设计和安装都符合国家电器技术的安全标准。机械安装也符合国家规定的要求和精度等级,确保设备的稳定性和安全性。
设备紧固性:设备主体支架具有良好的紧固性,长时间使用或受到碰撞时不易松动,从而确保设备的稳定运行。
电器装置与电线规范:电器的布局合理规范,电线线缆有清晰的标识标记,各个线端有标注线号并加套管。此外,电气控制系统还具有接地保护、短路、断路、漏电保护功能,符合相关标准和规定的要求。 浙江TOPCon SE光伏销售厂技术先进:TOPConSE作为光伏行业前沿技术,有较高的技术门槛。掌握该技术的企业占市场先机,获得竞争优势。
TOPCon激光设备(型号:HL-KZPCNS-HO),该激光系统用于选择性激光加工工艺。设备使用双轨设置,每条单轨配置相应的激光器标记系统,具备较高的产能与生产灵活性。此设备支持自动上下料系统,可满足客户现场AGV系统对接要求,花篮从AGV自动上料至激光设备的上料输送皮带,经自动取料机构从花篮取出硅片后,直接输送到后端的激光标记工位,然后通过CCD视觉定位后进行激光标记,标记完成后的硅片经由下料输送皮带输送到下料花篮,满料后再由输送皮带输送到现场对接的AGV。
设备特点整机采用工业PC控制、模块化柔性化编程设计。采用同边进出花篮,空花篮内部自循环。设备实现单轨上/下料,操作方便。设备空间布局紧凑合理,占地面积小。满足AGV双通道同步上/下料,减少AGV对接需求及机台数量。设备可实现多线单独激光加工,单通道异常时,不影响其他升降皮带模组工位的运行。双通道上料,可以满足多激光的加工时间,合理地实现双线同时加工。设备具有破片自动识别和激光能量离线检测功能。整个加工过程中,硅片自动传输。TOPCon SE 技术,带领光伏行业进入高效率时代。
在提高TOPCon电池的转换效率方面,TOPConSE设备采用了多种创新技术和方法:
1)TOPConSE设备采用了先进的表面处理技术,能够有效减少光反射和光衰减,提高电池的吸光性能。这种表面处理技术采用了纳米结构设计和光学涂层技术,通过在电池表面形成微纳结构,实现光的散射和干涉效应,从而提高了光的捕获效率和吸光性能。
2)TOPConSE设备通过精确控制硼扩散工艺参数,优化了电池的结晶质量和表面结构,进一步提高了TOPCon电池的光电性能。硼扩散是TOPCon电池制造过程中的关键环节,它决定了电池的性能和稳定性。TOPConSE设备采用先进的硼扩散技术和工艺参数控制方法,实现了精确的硼浓度分布和均匀的晶体生长。这不仅提高了TOPCon电池的结晶质量,还优化了表面结构和载流子分布,从而提高了光电性能和稳定性。
3)TOPConSE设备还采用了先进的钝化技术,进一步提高了TOPCon电池的性能和稳定性。钝化技术是抑制载流子复合的关键技术之一,TOPConSE设备通过在电池表面形成有效的钝化膜层,有效抑制了载流子的复合过程,降低了电流的损失。这不仅提高了TOPCon电池的光电转换效率,还增强了电池的抗老化性能和稳定性。
设备可实现多线单独激光加工,单通道异常时,不影响其他升降皮带模组工位的运行。福建TOPCon晶硅光伏生产企业
TOPCon激光直掺技术在实际生产中表现出色,快速提升电池片的效率。激光掺杂光伏销售厂
硼硅玻璃(BSG)作为掺杂源:硼硅玻璃是一种含有高浓度硼的玻璃材料,它可以作为TOPCon太阳能电池的掺杂源。使用BSG作为掺杂源可以确保硼掺杂的准确性和均匀性,从而提高电池的性能和稳定性。通过扩散炉推进高硼表面浓度的P++层:在TOPConSE设备的工艺流程中,首先使用扩散炉将硼硅玻璃中的硼元素扩散到硅片表面,形成高硼掺杂的P++层。它决定了硼掺杂浓度和分布。不进行氧化:在形成P++层之后,通常需要进行氧化工艺以保护硅片表面。但是,在TOPConSE设备中,选择不进行氧化操作,而是依赖P++层作为激光掺杂源。这一决策简化了工艺流程并提高了生产效率。激光掺杂光伏销售厂
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