云南DDR一致性测试推荐货源

大部分的DRAM都是在一个同步时钟的控制下进行数据读写，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根据时钟采样方式的不同，又分为SDR   SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR  SDRAM只在时钟的上升或者下降沿进行数据采样，而DDR SDRAM在时钟的上升和下降 沿都会进行数据采样。采用DDR方式的好处是时钟和数据信号的跳变速率是一样的，因 此晶体管的工作速度以及PCB的损耗对于时钟和数据信号是一样的。DDR3和 DDR4设计分成几个方面：仿真、有源信号验证和功能测试。用于电气物理层、协议层和功能测试解决方案。云南DDR一致性测试推荐货源

DDR总线概览

从测试角度看，因为DQS和DQ都是三态信 号，在PCB走线上双向传输。在读操作时，DQS信号的边沿在时序上与DQ的信号边沿处对 齐，而在写操作时，DQS信号的边沿在时序上与DQ信号的中心处对齐，参考图7-132,这给 测试验证带来了巨大的挑战：把读信号与写信号分开是非常困难的！

址/命令总线是时钟的上升沿有效，其中，命令由/CS （片选）、/RAS、 /CAS、/WE （写使能）决定，比如读命令为LHLH,写命令为LHLL等。操作命令有很多， 主要是 NOP （空操作）、Active （）、Write> Read^ Precharge （Bank 关闭）、Auto Refresh 或Self Refresh （自动刷新或自刷新）等（详细内容请参考《Jedec规范JESD79）））。数据总 线由DQS的上升沿和下降沿判断数据DQ的0与1。

DDR总线PCB走线多，速度快，时序和操作命令复杂，很容易出现失效问题，为此我 们经常用示波器进行DDR总线的信号完整性测试和分析。通常的测试内容包括：时钟总线的 信号完整性测试分析；地址、命令总线的信号完整性测试分析；数据总线的信号完整性测试 分析。下面从这三个方面分别讨论DDR总线的信号完整性测试和分析技术。 电气性能测试DDR一致性测试检修DDR3 和 LPDDR3 一致性测试应用软件。

DDR地址、命令总线的一致性测试

DDR的地址、命令总线的信号完整性测试主要测试其波形和时序参数。地址总线An、 命令总线/RAS、/CAS、/WE、/CS需要测试的信号品质主要包括：Vmax （最大电压值）；Vmin （小电压值）；Overshoot （过冲）和Undershoot （下冲）的持续时间的大值；Slew Rate （斜率）；Ringback （回沟）等。还需要测试相对于时钟边沿的Setup Time （建立时间）和Hold Time （保持时间）。建立时间和保持时间的定义如图7.134所示，其中加为建立时间，如为 保持时间，针对DDR400,加和如为0.7ns。

以上只是 一 些进行DDR读/写信号分离的常用方法，根据不同的信号情况可以做选 择。对于DDR信号的 一 致性测试来说，用户还可以选择另外的方法，比如根据建立/保持 时间的不同进行分离或者基于CA信号突发时延的方法(CA高接下来对应读操作，CA低 接下来对应写操作)等，甚至未来有可能采用一些机器学习(Machine Learning)的方法对 读/写信号进行判别。读时序和写时序波形分离出来以后，就可以方便地进行波形参数或者 眼图模板的测量。

克劳德高速数字信号测试实验室 DDR时钟总线的一致性测试。

DDR系统设计过程，以及将实际的设计需求和DDR规范中的主要性能指标相结合，我们以一个实际的设计分析实例来说明，如何在一个DDR系统设计中，解读并使用DDR规范中的参数，应用到实际的系统设计中。某项目中，对DDR系统的功能模块细化框图。在这个系统中，对DDR的设计需求如下。

整个DDR功能模块由四个512MB的DDR芯片组成，选用Micron的DDR存诸芯片MT46V64M8BN-75。每个DDR芯片是8位数据宽度，构成32位宽的2GBDDR存诸单元，地址空间为Add<13..0>，分四个Bank，寻址信号为BA<1..0>。 DDR 设计、测试、验证和一致性测试。电气性能测试DDR一致性测试检修

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