青海EVG810 LT键合机
该技术用于封装敏感的电子组件,以保护它们免受损坏,污染,湿气和氧化或其他不良化学反应。阳极键合尤其与微机电系统(MEMS)行业相关联,在该行业中,阳极键合用于保护诸如微传感器的设备。阳极键合的主要优点是,它可以产生牢固而持久的键合,而无需粘合剂或过高的温度,而这是将组件融合在一起所需要的。阳极键合的主要缺点是可以键合的材料范围有限,并且材料组合还存在其他限制,因为它们需要具有类似的热膨胀率系数-也就是说,它们在加热时需要以相似的速率膨胀,否则差异膨胀可能会导致应变和翘曲。而EVG的键合机所提供的技术能够比较有效地解决阳极键合的问题,如果需要了解,请点击:键合机。 EVG键合机提供的加工服务。青海EVG810 LT键合机
一旦认为模具有缺陷,墨水标记就会渗出模具,以便于视觉隔离。典型的目标是在100万个管芯中,少于6个管芯将是有缺陷的。还需要考虑其他因素,因此可以优化芯片恢复率。质量体系确保模具的回收率很高。晶圆边缘上的裸片经常会部分丢失。芯片上电路的实际生产需要时间和资源。为了稍微简化这种高度复杂的生产方法,不对边缘上的大多数模具进行进一步处理以节省时间和资源的总成本。半导体晶圆的光刻和键合技术以及应用设备,可以关注这里:EVG光刻机和键合机。 西藏EVG301键合机晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合设备。
EVG®320自动化单晶圆清洗系统用途:自动单晶片清洗系统,可有效去除颗粒EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。除了使用去离子水冲洗外,配置选项还包括兆频,刷子和稀释的化学药品清洗。特征多达四个清洁站全自动盒带间或FOUP到FOUP处理可进行双面清洁的边缘处理(可选)使用1MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁先进的远程诊断防止从背面到正面的交叉污染完全由软件控制的清洁过程
临时键合系统:临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程,这对于3DIC,功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板(例如化合物半导体)非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上,从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后,将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到充分体现,该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号:EVG805解键合系统;EVG820涂敷系统;EVG850TB临时键合系统;EVG850DB自动解键合系统。 EVG键合机通过在高真空,精确控制的真空、温度或高压条件下键合,可以满足各种苛刻的应用。
EVG®520IS晶圆键合机系统:单腔或双腔晶圆键合系统,用于小批量生产。EVG520IS单腔单元可半自动操作ZUI大200mm的晶圆,适用于小批量生产应用。EVG520IS根据客户反馈和EVGroup的持续技术创新进行了重新设计,具有EVGroup专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如独LI的顶侧和底侧加热器,高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势,为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。特征:全自动处理,手动装卸,包括外部冷却站兼容EVG机械和光学对准器单室或双室自动化系统全自动的键合工艺执行和键合盖移动集成式冷却站可实现高产量选项:高真空能力(1E-6毫巴)可编程质量流量控制器集成冷却技术数据ZUI大接触力10、20、60、100kN加热器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸单芯片100毫米真空标准:1E-5mbar可选:1E-6mbar 键合机晶圆对准键合是晶圆级涂层,晶圆级封装,工程衬底智造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等应用很实用的技术。晶片键合机美元价
EVG键合机选择上海岱美仪器。青海EVG810 LT键合机
完美的多用户概念(无限数量的用户帐户,各种访问权限,不同的用户界面语言) 桌面系统设计,占用空间蕞小 支持红外对准过程 EVG®610BA键合机技术数据 常规系统配置桌面系统机架:可选 隔振:被动 对准方法 背面对准:±2µm3σ 透明对准:±1µm3σ 红外校准:选件 对准阶段 精密千分尺:手动 可选:电动千分尺 楔形补偿:自动 基板/晶圆参数 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆叠高度:10毫米 自动对准 可选的 处理系统 标准:2个卡带站 可选:蕞多5个站青海EVG810 LT键合机
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