镀膜陶瓷靶材厂家

靶材预溅射建议采用纯氩气进行溅射，可以起到清洁靶材表面的作用。靶材进行预溅射时建议慢慢加大溅射功率，陶瓷类靶材的功率加大速率建议为1.5W小时/平方厘米。金属类靶材的预溅射速度可以比陶瓷靶材快，一个合理的功率加大速率为1.5W小时/平方厘米。在进行预溅射的同时需要检查靶材起弧状况，预溅射时间一般为10分钟左右。如没有起弧现象，继续提升溅射功率到设定功率。根据经验，一般应确保冷却水出水口的水温应低于35摄氏度，但非常重要的是确保冷却水的循环系统能有效工作，通过冷却水的快速循环带走热量，是确保能以较高功率连续溅射的一项重要保障。ITO靶材中氧化铟：氧化锡的配比分为90:10，93:7，95:5, 97:3, 99:1。镀膜陶瓷靶材厂家

镀膜的主要工艺有PVD和化学气相沉积（CVD）。（1）PVD技术是目前主流镀膜方法，其中的溅射工艺在半导体、显示面板应用广。PVD技术分为真空蒸镀法、溅镀法和离子镀法。三种方法各有优劣势：真空蒸镀法对于基板材质没有限制；溅镀法薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜好；离子镀法的绕镀能力强，清洗过程简化，但在高功率下影响镀膜质量。不同方法的选择主要取决于产品用途与应用场景。（2）CVD技术主要通过化学反应生成薄膜。在高温下把含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质引入反应室，在衬底表面上进行化学反应生成薄膜。山西显示行业陶瓷靶材透明导电薄膜的种类很多，主要有 ITO，TCO，AZO 等，其中 ITO的性能比较好。

氧化铝薄膜是一种重要的功能薄膜材料，由于具有较高的介电常数、高热导率、抗辐照损伤能力强、抗碱离子渗透能力强以及在很宽的波长范围内透明等诸多优异的物理、化学性能，使其在微电子器件、电致发光器件、光波导器件以及抗腐蚀涂层等众多领域有着广的应用。磁控溅射具有溅射镀膜速度快，膜层致密，附着性好等特点，很适合于大批量，高效率工业生产等明显优点应用日趋广，成为工业镀膜生产中主要的技术之一。溅射镀膜的原理是稀薄气体在异常辉光放电产生的等离子体在电场的作用下，对阴极靶材表面进行轰击，把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的粒子带有一定的动能，沿一定的方向射向基体表面，在基体表面形成镀层。用这种技术制备氧化铝膜时一般都以纯铝为靶材，溅射用的惰性气体通常选择氩气(Ar)，因为它的溅射率比较高。用氩离子轰击铝靶并通入氧气，溅射出的铝离子和电离得到的氧离子沉积到基片上从而得到氧化铝膜。按磁控溅射中使用的离子源不同，磁控溅射方法有以下几种：①直流反应磁控溅射；②脉冲磁控溅射；③射频磁控溅射；④微波-ECR等离子体增强磁控溅射；⑤交流反应磁控溅射等。

ITO靶材生产过程包括金属提纯和靶材制造两个主要环节。因高纯金属原料的品质影响靶材的导电性能等性状，对成膜的质量有较大影响，且靶材种类繁多，客户需求非标，定制属性明显。故而金属提纯环节技术壁垒及附加值均较高。其中铟属于稀散金属，因其具有可塑性、延展性、光渗透性和导电性等特点，而以化合物、合金的形式被广泛应用。目前，铟的主要应用领域是平板显示领域，包括ITO靶材及新兴的铟镓锌氧化物（IGZO）靶材，占全球铟消费量的80%；其次是半导体领域、焊料和合金领域、太阳能发电领域等。生产ITO靶材对于铟的纯度要求一般在4N5及以上，生产化合物半导体材料对于铟的纯度要求则更高，一般在6N及以上。ITO靶材被广泛应用于各大行业之中。

靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。（1）靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的主要部分，涉及高纯金属、晶粒取向调控。在溅射镀膜过程中，靶坯被离子撞击后，其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜。（2）背板起到主要起到固定溅射靶材的作用，涉及焊接工艺。由于高纯度金属强度较低，而溅射靶材需要安装在机台内完成溅射过程。机台内部为高电压、高真空环境，因此，超高纯金属的溅射靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺进行接合，背板需要具备良好的导电、导热性能。从整体上看，ITO在光电综合性能上高于AZO靶材，但AZO靶材的优势或将为靶材带来降本空间。湖北显示行业陶瓷靶材

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从ITO靶材制备方法来看，制备方法多样，冷等静压优势突出。ITO靶材的制备方法主要有4种，分别为热压法、热等静压法、常温烧结法、冷等静压法。冷等静压法制备ITO靶材优点：1）冷等静压法压力较大，工件受力相对更加均匀，尤其适用于压制大尺寸粉末制品，符合ITO靶材大尺寸的发展趋势；2）产品的密度相对更高，更加地均匀；3）压粉不需要添加任何润滑剂；4）生产成本低，适合大规模生产。从冷等静压法主要制备流程看：1）制备粉末，选取氧化铟与二氧化锡（纯度99.99%）进行乳化砂磨。其中加入2%—4%的聚乙烯醇（PVA）和30%的纯水进行砂磨。然后进行喷雾干燥，调节喷雾干燥塔参数，喷雾制备不同松装密度的ITO粉末。再将ITO粉末进行筛网筛分，获得合格的ITO粉末；2）制备素胚，将ITO粉末装入橡胶模具中振实，密封投料口，进行冷等静压，得到靶材素坯；3）结烧，将素坯放置于常压烧结炉中，保温温度为1450—1600℃，采用多个阶段保温烧结，烧结过程中通入氧气。镀膜陶瓷靶材厂家

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