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雪崩二极管与PIN光电二极管有何区别PIN: 光敏面接收对应波长的光照时，产生光生电流；雪崩光电二极管（APD）：除了和PIN相同部分外，多了一个雪崩增益区，光生电流会被放大，放大的倍数称为雪崩增益系数。当然同时也会产生噪声电流。PIN光电二极管、雪崩光电二极管均属于半导体光电探测器，所使用的材料一样，光谱响应范围也一样。PIN光电二极管优点在于响应度高响应速度快，频带也较宽工作电压低，偏置电路简单在反偏压下可承受较高的反向电压，所以线性输出范围宽不足之处在于I层电阻很大管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。所以PIN光电二极管通常接有前置放大器。四川高速光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。四川交流光电转换器

雪崩二极管的结构可分为两大类：单漂移区雪崩二极管和双漂移区雪崩二极管。单漂移区雪崩二极管的结构有PN、 PIN、 P NN (或N PP )、P NIN (或N PIP )、MNN 。其中P NN 结构工艺简单,在适中的电流密度下能获得较大的负阻，且频带较宽，因此在工业中应用较多。双漂移区雪崩二极管是 1970 年以后出现的，其结构为P PNN ，实质上相当于两个互补单漂移区雪崩二极管的串联，从而有效地利用了电子和空穴漂移空间，因此输出功率和效率均较高。制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。其主要缺点是噪声较大。深圳皮安光电工程低噪声光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

激光二极管和发光二极管的区别激光二极管和发光二极管都是使用的半导体材料发光，且从名字上看，虽然两者很相似，但它们之间更多的是不同点。1、定义区别激光二极管是半导体激光器，英文是Laser Diode，缩写LD。发光二极管是我们常说的LED，是常见的照明、显示器件。2、原理区别激光二极管产生激光是通过受激辐射原理。发光二极管发光是自发辐射原理 。3、光质量区别激光二极管的光能量聚集、传输方向准直、单色性好、相干性强。发光二极管光能量发散、传输方向不同。

光电二极管是经常使用的光电探测器，它在很大程度上已经取代了以前使用的真空光管。它们是含有p-n结的半导体器件，通常在n层和p层之间还有一个内在（未掺杂）层。具有内在层的器件被称为p-i-n或PIN光电二极管。在耗尽区或本征区吸收的光会产生电子-空穴对，其中大部分有助于产生光电流。在很宽的光功率范围内，光电流可以相当精确地与吸收（或入射）的光强度成正比。人们在n掺杂区和p掺杂区之间有一个固有的区域，大部分的电载流子在这里产生。通过电接触（阳极和阴极），可以获得产生的光电流。阳极可以有一个环形，这样光就可以通过孔注入。一个大的活性区域可以通过一个相应的大环来获得，但这往往会增加电容，从而降低检测带宽，并增加暗电流；另外，如果产生的载流子离电极太远，效率可能会下降。西安纳秒光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

两个光电二极管之间的电路结构简单，可以用一个偏置电容来加强两个光电二极管之间的电压比例。当电容小于某个电压时，这两个光电二极管就会被压成一个接触，这个接触就叫做雪崩，由此可以看出，这就是雪崩光电二极管的来源。当一个电信号经过两个光电二极管的同一根输入线时，两个光电二极管的偏置电压和信号的输出电流可以产生强烈的对比度，有较大的截止电压差。因此，雪崩光电二极管可以作为高速和高性能的光电门用于高速连接器和网络设备领域。雪崩光电二极管具有高速、高抗干扰、高测试特性，可以快速捕捉工程负载中容易破坏的脉冲。低速光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。成都飞安光电转换器

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光伏模式的优点是暗电流的减少。在普通二极管中，施加反向偏置电压会增加反向电流，因为反向偏置会降低扩散电流但不会降低漂移电流，而且还会因为泄漏。同样的事情发生在光电二极管中，但反向电流称为暗电流。更高的反向偏置电压会导致更多的暗电流，因此通过使用运算放大器将光电二极管保持在大约零偏置，我们实际上消除了暗电流。因此，光伏模式适用于需要化低照度性能的应用。光电二极管电路中的光电导模式要将上述检测器电路切换到光电导模式，我们将光电二极管的阳极连接到负电压电源而不是接地。阴极仍为 0 V，但阳极电压低于 0 V；因此，光电二极管是反向偏置的。四川交流光电转换器

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