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时间:2023年12月13日 来源:

钽电容下游应用领域可分为军民两大类,近年来需求不断扩大。在民用工业类市场,钽电容应用于系统通讯设备、工业控制设备、医疗电子设备、轨道交通、精密仪表仪器、石油勘探设备、汽车电子等民用工业类领域。消费方面,如在电脑、智能手机等领域,为了让CPU的使用寿命和工况稳定,几乎都会在电路设计中采用钽电容滤波。5G基站建设也为电容器市场创造新的增长点。5G基站所需电子元器件须能满足户外温度波动下,产品的使用寿命、可靠性能得到保证,这就对电容器的质量和性能提出了较高的要求,因此钽电容成为了优良选择。在使用多个钽电容时,需要考虑它们的均流特性和容量匹配等问题,以避免过热和损坏。CAK36-16V-37000uF-K-S6

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钽电容器漏电流偏大导致实际耐压不够。此问题的出现一般都由于钽电容器的实际耐压不够造成.当电容器上长时间施加一定场强时,如果其介质层的绝缘电阻偏低,此时产品的实际漏电流将偏大.而漏电流偏大的产品,实际耐压就会下降.出现此问题的另外一个原因是关于钽电容器的漏电流标准制定的过于宽松,导致有些根本不具备钽电容器生产能力的公司在生产质量低劣的钽电容器.普通的室温时漏电流就偏大的产品,如果工作在较高的温度下,其漏电流会成指数倍增加,因此其高温下的实际耐压就会大幅度下降.在使用温度较高时就会非常容易出现击穿现象.高温时漏电流变化较小是所有电容器生产商努力的重要目标之一,因此,此指标对可靠性的决定性影响不言而愈.如果你选择使用的钽电容器的漏电流偏大,实际上它已经是废品,出问题因此成为必然.CAK45L-E-10V-100uF-K钽电容具有高电容量和低等效串联电阻,使其在电源滤波和信号耦合方面非常有用。

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苹果和三星为了保证手机产品的使用寿命与性能稳定,轻易是不会对充电技术进行大的尝试。就像行业期盼已久的无线充电技术一样,苹果的智能手机虽然可以适配无线充电技术,自己的无线充电板产品却迟迟还没上市。当然,另一个重要的原因,是苹果认为自己的充电头产品寿命,完全是高过智能终端产品智能手机iPhone和智能耳机AirPod的,所以多配充电头是对资源的一种浪费。钽电容的生产由于污染性很强的原因,要获得产地人民支持十分困难,所以一直以来行业的产能都十分有限。所以AVX一宣布缺货涨价,立即引起了行业强烈的恐慌。导致国内一家可供民品采购用的钽电容生产商宏达电子(SZ300726),也迅速吸引了资本市场的眼球。

行业预估如果苹果削减掉充电头配件,今年和明年的苹果新新款智能手机iPhone和智能耳机AirPod,至少可以节省出4亿颗钽电容的产能来生产智能手机等终端产品。而且相对充电头的钽电容体积来,智能手机的钽电容体积小了很多,可以衍生出更多的小尺寸钽电容产品产量出来。一个小小的充电头,看起来虽然简单,其实映射出来的确是市场竞争后面的另一种残酷。与苹果和三星不同,国产手机是经常以快速充电技术来进行产品促销的。并且国产手机以往推出的充电头产品使用寿命并不怎么样,基本上还不敢取消充电头配件。既然不能取消,那么就不如花点成本推钽电容快充充电头,以更好的用户体验来增强用户的粘性,并放大快充的用户体验优势钽电容的体积小,单位体积电容量大,适合用于空间限制较高的电路中。

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事实上为了避免快充对智能手机、平板电脑和笔记本电脑的主控电路寿命产生影响,高性能的钽电容是保证快充输出波形稳定的重要必要器件之一。与苹果和三星为了避免钽电容成本上升与产品缺货导致的充电头配件倾蚀利润不同,中国国产品牌不但不能放弃充电头业务,反而要以小型化高功率快充为改善用户体验为切入点,迅速提升自己品牌竞争力,阻止自己的市场份额下滑。甚至在极端的条件下,即便是智能手机本体不赚钱,也要让充电头等手机配件赚钱来养活自己的智能手机业务,所以现阶段小型化快充充电头对于中国国产品牌意义更加深远。目前全球市场的智能手机保有量快接近40亿部,平板电脑产品保有量接近10亿部,小型高功率快充市场的需求打开后,这一项就让传统的钽电容生产商在产能部署上措手不及。钽电容在电子设备中的使用数量和类型需要根据设备的性能要求和使用环境等因素进行合理规划。GCA411C-63V-0.68uF-K-2

由于钽电容的阳极氧化物具有自愈特性,所以它们比铝电容更可靠,并能承受更高的工作电压。CAK36-16V-37000uF-K-S6

电容失效模式,机理和失效特点对于钽电容,失效与其他类型的电容一样,也有电参数变化失效、短路失效和开路失效三种。由于钽电容的电性能稳定,且有独特的“自愈”特性,钽电容鲜有参数变化引起的失效,钽电容失效大部分是由于电路降额不足,反向电压,过功耗导致,主要的失效模式是短路。另外,根据钽电容的失效统计数据,钽电容发生开路性失效的情况也极少。因此,钽电容失效主要表现为短路性失效。钽电容短路性失效模式的机理是:固体钽电容的介质Ta2O5由于原材料不纯或工艺中的原因而存在杂质、裂纹、孔洞等疵点或缺陷,钽块在经过高温烧结时已将大部分疵点或缺陷烧毁或蒸发掉,但仍有少量存在。在赋能、老炼等过程中,这些疵点在电压、温度的作用下转化为场致晶化的发源地—晶核;在长期作用下,促使介质膜以较快的速度发发生物理、化学变化,产生应力的积累,到一定时候便引起介质局部的过热击穿。如果介质氧化膜中的缺陷部位较大且集中,一旦在热应力和电应力作用下出现瞬时击穿,则很大的短路电流将使电容迅速过热而失去热平衡,钽电容固有的“自愈”特性已无法修补氧化膜,从而导致钽电容迅速击穿失效。CAK36-16V-37000uF-K-S6

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