整流桥GBU1502

    本实用新型涉及半导体器件领域，特别是涉及一种合封整流桥的封装结构及电源模组。背景技术：目前照明领域led驱动照明正在大规模代替节能灯的应用，由于用量十分巨大，对于成本的要求比较高。随着系统成本的一再降低，主流的拓扑架构基本已经定型，很难再节省某个元器件，同时芯片工艺的提升对于高压模拟电路来说成本节省有限，基本也压缩到了。目前的主流的小功率交流led驱动电源方案一般由整流桥、芯片(含功率mos器件)、高压续流二极管、电感、输入输出电容等元件组成，系统中至少有三个不同封装的芯片，导致芯片的封装成本高，基本上占到了芯片成本的一半左右，因此，如何节省封装成本，已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种合封整流桥的封装结构及电源模组，用于解决现有技术中芯片封装成本高的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种合封整流桥的封装结构，所述合封整流桥的封装结构至少包括：塑封体，设置于所述塑封体边缘的火线管脚、零线管脚、高压供电管脚、信号地管脚、漏极管脚、采样管脚，以及设置于所述塑封体内的整流桥、功率开关管、逻辑电路、至少两个基岛。GBU410整流桥的生产厂家有哪些？整流桥GBU1502

    所述采样电阻rcs1的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的采样管脚cs，另一端接地。本实施例的电源模组为非隔离场合的小功率led驱动电源应用，适用于高压线性(3w～12w)。实施例二如图3所示，本实施例提供一种合封整流桥的封装结构，与实施例一的不同之处在于，所述合封整流桥的封装结构还包括高压续流二极管df，且功率开关管121及逻辑电路122分立设置。如图3所示，在本实施例中，所述高压续流二极管df采用n型二极管，所述高压续流二极管df的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述高压供电基岛13上，正极通过金属引线连接漏极基岛15，进而实现与所述漏极管脚drain的连接。需要说明的是，所述高压续流二极管df也可采用p型二极管，粘接于漏极基岛15上，在此不一一赘述。如图3所示，所述功率开关管121的漏极通过导电胶或锡膏粘接于所述漏极基岛15上，源极s通过金属引线连接所述采样管脚cs。所述逻辑电路122为芯片结构，其底面为绝缘材料，设置于所述信号地基岛14上，控制信号输出端out通过金属引线连接所述功率开关管121的栅极g，采样端口cs通过金属引线连接所述采样管脚cs，高压端口hv通过金属引线连接所述高压供电基岛13，进而实现与所述高压供电管脚hv的连接。整流桥GBU1502GBU610整流桥厂家直销！价格优惠！交货快捷！

    它有着体积小、采用简便、各整流管的参数一致性好等优点，可普遍用以开关电源的整流电路。硅整流桥有4个引出端，其中交流输入端、直流输出端各两个。硅整流桥的整流电流平均值分0．5～40A等多种标准，最高反向工作电压有50～1000V等多种标准。小功率硅整流桥可直接焊在印刷板上，大、中型功率硅整流桥则要用螺丝固定，并且需安装适合的散热器。整流桥的主要参数有反向峰值电压URM(V)，正向压降UF(V)，平均整流电流Id(A)，正向峰值浪涌电流IFSM(A)，反向漏电流IR(霢)。整流桥的反向击穿电压URR应满足下式要求：举例来说解释，当交流输入电压范围是85～132V时，umax=132V，由式(1)测算出UBR=233．3V，可选耐压400V的制品整流桥。对于宽范围输入交流电压，umax=265V，同理求得UBR=468．4V，应选耐压600V的制品整流桥。需指出，假如用4只硅整流管来组成整流桥，整流管的耐压值还应更进一步提高。辟如可选1N4007(1A／1000V)、1N5408(3A／1000V)型塑封整流管。这是因为此类管子的价位便宜，且按照耐压值“宁高勿低”的规范，能提高整流桥的安全性与可靠性。设输入有效值电流为IRMS，整流桥额定的有效值电流为IBR，理应使IBR≥2IRMS。

    作为本实施例的一种实现方式，如图5所示，所述整流桥设置于火线基岛16及零线基岛17上。具体地，所述整流桥采用两个n型二极管及两个p型二极管实现，其中，第五整流二极管dz5及第六整流二极管dz6为n型二极管，所述第七整流二极管dz7及第八整流二极管dz8为p型二极管。所述第五整流二极管dz5的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述火线基岛16上，正极通过金属引线连接所述信号地管脚gnd。所述第六整流二极管dz6的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述零线基岛17上，正极通过金属引线连接所述信号地管脚gnd。所述第七整流二极管dz7的正极通过导电胶或锡膏粘接于所述火线基岛16上，负极通过金属引线连接所述高压供电管脚hv。所述第八整流二极管dz8的正极通过导电胶或锡膏粘接于所述零线基岛17上，负极通过金属引线连接所述高压供电管脚hv。作为本实施例的一种实现方式，如图5所示，所述控制芯片12包括功率开关管及逻辑电路。所述功率开关管的漏极作为所述控制芯片12的漏极端口d，源极连接所述逻辑电路的采样端口，栅极连接所述逻辑电路的控制信号输出端(输出逻辑控制信号)；所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs，高压端口作为所述控制芯片12的高压端口hv。GBU804整流桥的生产厂家有哪些？

    16)N0125A/1200V(1600V)/6UVUO70-12(16)N0770A/1200V(1600V)/6UVUO25-12(16)N0825A/1200V(1600V)/6UVUO80-12(16)N0182A/1200V(1600V)/6UVUO30-12(16)N0130A/1200V(1600V)/6UVUO82-12(16)N0788A/1200V(1600V)/6UVUO34-12(16)N0145A/1200V(1600V)/6UVUO85-12(16)N0785A/1200V(1600V)/6UVUO35-12(16)N0738A/1200V(1600V)/6UVUO105-12(16)N07140A/1200V(1600V)/6UVUO36-12(16)N0835A/1200V(1600V)/6UVUO110-12(16)N07118A/1200V(1600V)/6UVUO50-12(16)N0358A/1200V(1600V)/6UVUO125-12(16)N07166A/1200V(1600V)/6UVUO52-12(16)N0155A/1200V(1600V)/6UVUO160-12(16)N07175A/1200V(1600V)/6UVUO55-12(16)N0758A/1200V(1600V)/6UVUO190-12(16)N07248A/1200V(1600V)/6UVUO60-12(16)N0372A/1200V(1600V)/6UVUC25/1228A/1200V三相全桥+可控VUB70-12(16)70A/1200V(1600V)VTO175-12175A/1200V三相全控桥VUB60-1260A/1200VVTO110-12I07三相VUB120-12120A/1200VVTO110-14I07三相全控桥VVZ110-12(16)107110A/1200V三相半控桥VTO175-16I07三相全控桥VVZ175-12。整流桥如何测好坏？测试方法有哪些？浙江整流桥GBU2004

GBU1006整流桥的生产厂家有哪些？整流桥GBU1502

    整流桥一般而言是由两只或四只整流硅芯片作桥式连接，两只的为半桥，四只的则称全桥。外部使用绝缘朔料封装而成，大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封，提高散热性能。一、整流桥定义整流桥就是将整流管封在一个壳内了，分全桥和半桥。全桥是将连通好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可构成一个桥式整流电路，一个半桥也可以构成变压器带中心抽头的全波整流电路，选取整流桥要考虑整流电路和工作电压。二、整流桥作用整流桥作为一种功率电子器件，十分普遍。应用于各种电源装置。三、整流桥工作原理整流桥有多种方式可以用整流二极管将交流电变换为直流电，包括半波整流、全波整流以及桥式整流等。整流桥，就是将桥式整流的四个二极管封装在一起，只引出四个引脚。四个引脚中，两个直流输出端标有＋或－，两个交流输入端有～标示。应用整流桥到电路中，主要考虑它的最大工作电流和最大反向电压。图一整流桥（桥式整流）工作原理图二各类整流桥（有些整流桥上有一个孔，是加装散热器用的）这款电源的整流桥部分使用了一体式的整流桥。整流桥GBU1502