XB6060I2S电源管理IC赛芯微xysemi

时间:2024年01月15日 来源:

ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15KV,接触是8KV。XySemi 锂电保护板生产操作注意事项1。XB6060I2S电源管理IC赛芯微xysemi

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DC/DC转换器在高效率地转换能量方面属于有效的电源,但因为线圈必须具有磁饱和特性和防止烧毁的特性,使得实现超薄化较为困难。一般情况下只得在成平面形状的电路板上安装IC、线圈及电容,这种解决方案不利于产品的小型化。 为了解决以上的问题,进行了以下几种思考和设计。首先是在硅晶圆上形成线圈的方法,为了确保作为DC/DC转换器时具有足够的电感值,半导体工艺变得极为复杂,使得成本上升。实际上只停留在高频滤波器方面的应用。其次是把线圈和DC/DC转换器IC封入一个塑料模压封装组件中的方法,因为只是单纯地装入元器件缩小不了太多的安装面积,不能带来大程度的改善。 进而出现了不是平面地放置各种元器件,而是把包括IC的元器件叠在一起的设计方案,实际上也出现的几种这样的产品。但是这种方案要么需要在线圈上印制布线用的图案,要么需要CSP(芯片尺寸级封装)型IC,要么在封装IC时必须实施模压工程,使得制作工程复杂,带来了产生成本上升的课题。XBM3214JFG电源管理ICLED线性驱动芯片手电筒驱动可用模拟和PWM信号调光的高压线性LED驱动集成电路。

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4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5 v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。 5、过流保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当负载突然减小,IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。 6、短路保护:在P+与P-上接上空负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路); IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。

CN5815是一款固定频率电流模式PWM控制器,用于升压型高亮度LED驱动。CN5815输入电压范围为4.5V到32V,驱动外部N沟道场效应晶体管(MOSFET),LED电流通过外部电流检测电阻设置。 CN5815内部集成有基准电压源单元,误差放大器,330KHz振荡器,斜坡补偿发生器,电流模式PWM控制单元,电感过流保护电路,LED亮度调整单元,芯片关断单元,软启动电路和栅极驱动电路等模块。 CN5815采用电流模式PWM控制,改善了瞬态响应特性,简化了频率补偿网络。内置的软启动电路有效降低了上电时的浪涌电流。 其它功能包括芯片关断功能,过压保护,LED亮度调整,内置5V电压调制器和斜坡补偿等。 CN5815采用10管脚SSOP封装。锂电保护(带船运,XBL6015-SM,DFN1*1)。

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赛芯微XBL6015-SM二合一锂电保护,集成MOS,支持船运模式,关机电流低至1nA。 XB6015-SM的特点: 1.低功耗,工作电流0.4uA,关机电流1nA; 2.更贴近应用的保护电流,充电过流300mA,放电过流150mA,短路电路450mA; 3.高集成度,集成MOS,支持船运模式,集成虚焊保护功能; 4.高可靠性,支持充电器反接功能,支持带负载电芯防反接功能,ESD 8KV; 5.更好的匹配性,锂电保护无管压降,可以支持不同类型的充电芯片; 6.系列化,支持4.2-4.5V的电芯平台。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET,减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。XB5608G电源管理IC二合一锂电保护

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智浦芯联创建于苏州市工业园区内,企业主要从事模拟及数模混合集成电路设计,总部现已迁移至南京。深圳设立销售服务支持中心,宁波、中山、厦门设立办事处。公司具有国内的研发实力,南京、成都均设有研发中心,并与东南大学ASIC中心成为协作单位,在国内创先开发成功并量产了多款国家/省部级科技奖励和国家重点新产品认定产品,特别在高低压集成半导体技术方面,研发团队中有多名博士主持项目的开发。建立了科技创新和知识产权的规范体系,在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计等方面积累了众多技术。XB6060I2S电源管理IC赛芯微xysemi

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