钽电容器规格

陶瓷电容器的分类:陶瓷电容器根据介质的种类主要可以分为两种，即I类陶瓷电容器和II类陶瓷电容器。Ⅰ类陶瓷电容器，原名高频陶瓷电容器，是指由陶瓷介质制成的电容器，具有低介质损耗，高绝缘电阻，介电常数随温度线性变化。特别适用于谐振电路和其它损耗低、电容稳定的电路，或用于温度补偿。Ⅱ类陶瓷电容器过去称为低频陶瓷电容器，是指以铁电陶瓷为电介质的电容器，所以又称为铁电陶瓷电容器。这种电容器比电容大，电容随温度非线性变化，损耗大。常用于电子设备中对损耗和电容稳定性要求不高的旁路、耦合或其他电路。片式铝电解电容是没有套管的，所以在铝壳的底部印有容量、电压、正负极等相关信息。钽电容器规格

电容允许偏差：这个上期我们讲安规电容的作用时又提起过，顾名思义，这就是电容的较大允许偏差范围。常用的容量误差为：J表示允许偏差±5%,K表示允许偏差±10%,M表示允许偏差±20%。额定工作电压：在电路中能长时间稳定、可靠地工作，并能承受较大直流电压，也叫耐压。对结构、容量一样的电子器件，耐压越高，体积越大。损耗：贴片陶瓷电容在电场的作用下，由于每单位时间产生热量而消耗能量。这种损失主要来源于介质损失和金属损失。一般都是以损耗角正切值表示的。上述就是关于贴片陶瓷电容的一些基本常识，想要了解更多电容相关咨询的，可关注江苏芯声微电子科技。连云港贴片陶瓷电容MLCC 产业的下游几乎涵盖了电子工业全领域，如消费电子、工业、通信、汽车等。

当负载频率上升到电容器中流动的交流电流的额定电流值时，即使负载电压没有达到额定交流电压，也需要降低电容器的负载交流电压，以保证流经电容器的电流不超过额定电流值，即左图曲线开始下降；但是，负载频率不断上升，电容器损耗因数引起的发热成为电容器负载电压的主要限制因素，即负载电压会随着频率的增加而急剧下降，即左中图中曲线的急剧下降部分与负载交流电压相反。当电容器加载的交流电流频率较低时，即使电流没有达到额定电流，电容器上的交流电压也已经达到其额定值，即加载交流电流受到电容器额定电压的限制，加载交流电流随着频率的增加而增加。

BUCK电感的饱和电流选择不当。降压电感可能会增加输出电流，从而误触发电源进入过流保护。电源在正常工作模式和过流保护模式之间反复切换，称为打嗝模式，也可能造成一定程度的啸叫。电感器的选择必须适当。开关电源本身纹波大，多相开关电源具有纹波小，电流大的优点。通过错开相位，可以有效降低电源的纹波，抑制啸叫。要抑制啸叫，除了修改上述软件、参数和架构外，典型的方案是使用抗啸叫电容，如村田KRM系列和ZRB系列。其特殊的结构可以减少电容器的啸叫现象，吸收热量和机械冲击产生的应力，实现高可靠性。与Ta电容相比，抗啸叫MLCC的电压变化V比初始阶段小722%。在布局上也可以优化布局，电容相互交错，抑制振动。甚至有人提出在电容器旁边挖一个凹槽来缓解啸叫的方案。以上是电容器啸叫的原理和避免建议。电容容量越大、信号频率越大，电容呈现的交流阻抗越小。

内部电极通过逐层堆叠，增加电容两极板的面积，从而增加电容容量。陶瓷介质是内部填充介质，不同介质制成的电容器具有不同的特性，如容量大、温度特性好、频率特性好等等，这也是陶瓷电容器种类繁多的原因。陶瓷电容器基本参数：电容的单位:电容的基本单位是F(法)，此外还有F(微法)、nF、pF(微微法)。因为电容F的容量很大，所以我们通常看到的是F、nF、pF的单位，而不是F。它们之间的具体转换如下：1F＝1000000μF1μF=1000nF=1000000pF电容器的两个极板之间加上电压时，电容器就会储存电荷。宿迁MLCC品牌

想使电容容量大，有三种方法： ①使用介电常数高的介质 ②增大极板间的面积 ③减小极板间的距离。钽电容器规格

频率特性：电参量随电场频率一起变化的。高频率工作的电容，其介电常数比低频率时小，因此高频电流比低频率时低。频率越高，损耗也越大。此外，在高频率工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、导线与极片之间的电阻等，都会对电容的性能产生影响。这一切，使电容器的使用频率受到限制。绝缘电阻：表示漏电流大小。通常，容量较小的电容，绝缘电阻可达数百兆欧姆或数千兆欧姆。电解电容一般是绝缘电阻小。相对来说，绝缘电阻越大，漏电流越小。钽电容器规格