代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5451N
WL2836E：低噪声、高PSRR、高速CMOSLDO
产品描述：
WL2836E系列是一款高精度、低噪声、高速、高PSRR（电源抑制比）、低压降CMOS线性稳压器，具有出色的抗纹波能力。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有随输出电压变化的折返至高输出电流，因此电流限制功能既作为短路保护，又作为输出电流限制器。WL2836E稳压器采用标准的SOT-23-5L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
· 输入电压范围：1.4V~5.5V
· 输出电压范围：0.8V~3.3V
· 输出电流：300mA
· 静态电流：50μATyp
· 关机电流：<1μA
· 压降电压：140mV@IOUT=0.3A
· PSRR：78dB@1kHz,VOUT=1.8V
· 低输出电压噪声：20μVRMSTyp
· 输出电压容差：±2%@VOUT>2V
· 推荐电容器：1μF
· 热过载和短路保护
应用领域
· MP3/MP4播放器
· 手机、无线电话、数码相机
· 蓝牙、无线手持设备
· 其他便携式电子设备
WL2836E是高性能CMOS线性稳压器，专为低噪声、高PSRR和高速性能的便携式电子设备设计。宽输入电压范围和可调输出电压使其应用灵活。内置折返至高输出电流和电流限制功能，提供额外保护。紧凑SOT-23-5L封装，无铅无卤素，满足环保要求。详情查阅数据手册或联系我们。 ESD5Z5VL-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOD-523。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5451N
WS4603E：可调电流限制、电源分配开关
描述
WS4603E是一款具有高侧开关和低导通电阻P-MOSFET的开关。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。此外，WS4603E还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4603E采用SOT-23-5L封装。标准产品无铅且不含卤素。
特性
1、输入电压范围：2.5~5.5V
2、主开关RON：80mΩ@VIN=5V
3、调整电流限制范围：0.4~2A（典型值）
4、电流限制精度：±20%
5、自动放电
6、反向阻断（无“体二极管”）
7、过温保护
应用
· USB外设
· USB Dongle
· USB 3G数据卡
· 3.3V或5V电源开关
· 3.3V或5V电源分配
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，可以提供样品供您测试。如有关于WS4603E的进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。 规格书WILLSEMI韦尔SPD85582CESD5641D12-3/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN-3L(2x2)。
WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以在低栅极电荷下提供出色的RDS（ON）。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅且无卤素的。
WNM2020是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管，专为高效率的电源管理应用而设计。其采用的先进沟槽技术使得该晶体管在导通状态下具有很低的电阻（RDS（ON）），从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时，低栅极电荷使得该晶体管能够快速响应栅极驱动信号，进一步提高了开关速度。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器，其中高效率的电源开关是至关重要的。
此外，它还可以用于各种充电电路，如电池充电器和太阳能充电器，以确保能量的有效转换和利用。作为一款标准产品，WNM2020不仅具有出色的电性能，还符合环保要求，不含有铅和卤素等有害物质。这使得它在各种环保法规日益严格的市场中具有广的适用性。总之，WNM2020是一款高性能、高效率且环保的N沟道增强型MOS场效应晶体管，非常适合用于各种电源管理和充电应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。
ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器（TVS），专为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器（MLV），并广泛应用于消费设备，如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。
特性：
· 极低电容：CJ=0.5pFtyp
· 极低漏电流：IR<1nAtyp
· 低箝位电压：VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
· 根据IEC61000-4-2标准，每条线提供±20kV（接触和空气放电）的瞬态保护
· 根据IEC61000-4-4标准，提供40A（5/50ns）的EFT保护
· 根据IEC61000-4-5标准，可承受4A（8/20μs）的浪涌电流
应用：
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD9X5VU采用了一对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。它为敏感电子组件提供了高水平的ESD保护，使其免受静电放电的损害。与传统的多层变阻器相比，ESD9X5VU具有更低的电容和漏电流，以及更低的箝位电压，从而提供了更好的性能。此外，其固态硅技术确保了高效、可靠的电源保护。无论是用于USB、HDMI、SATA还是其他接口，ESD9X5VU都能为现代电子设备提供坚实的ESD防护屏障。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2836D12-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装：UDFN-4-EP(1x1)。
WAS3157B是一款高性能的单刀双掷（SPDT）CMOS模拟开关，专为总线切换或音频切换应用设计。它具备高达400MHz的-3dB带宽和低导通电阻（典型值为5.5Ω）。此外，其SEL引脚具有过压保护功能，允许引脚上的电压超过VCC，至高可达7.0V，而不会损坏部件或影响其操作，无论工作电压如何。WAS3157B还配备了智能电路，以至小化VCC泄漏电流，即使在SEL控制电压低于VCC电源电压时也是如此。简而言之，在实际应用中，无需额外的设备来使SEL电平与VCC电平保持一致。WAS3157B采用标准的SOT-363(SC-70-6L)封装，标准产品为无铅和无卤素。
特性：
· 电源电压：1.5~5.5V
· 导通电阻：在VCC=4.5V时为5.5Ω-3dB
· 带宽：在CL=5pF时为400MHz
· 断开隔离度：在10MHz时为-69dB
· 低静态电流：<1uA
· 先断后合功能ESD保护：HBM为±8000V，MM为±600V
应用领域：
· 手机
· MID（移动互联网设备）
· 其他便携式设备
WAS3157B是一款功能强大且易于集成的模拟开关解决方案，适用于需要高效、可靠的切换功能的各种便携式设备。其优异的性能和多种保护功能使其成为现代电子设备中的理想选择。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WS4508E-5/TR 电池管理 封装：SOT-23-5L。代理分销商WILLSEMI韦尔WNM3038
ESD54231N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5451N
ESD5431N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。
特性：
· 截止电压：±3.3V
· 根据IEC61000-4-2标准，提供±30kV（接触放电）的ESD保护
· 根据IEC61000-4-4标准，提供40A（5/50ns）的EFT保护
· 根据IEC61000-4-5标准，提供10A（8/20μs）的浪涌保护
· 电容：典型值为17.5pF
· 低泄漏电流：典型值为1nA
· 低钳位电压：在脉冲电流为16A（TLP）时，典型值为8V。
· 固态硅技术
应用：
· 手机
· 计算机和外设：为计算机主板、显示器、键盘等
· 微处理器
· 电源线
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5431N是专为保护电子元件免受静电、电气瞬变等过应力而设计的高性能双向瞬态电压抑制器。其瞬态保护出色，封装紧凑，环保特性强，广泛应用于手机、计算机和便携式设备，确保设备稳定运行和数据安全。如需详细信息，请查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5451N