规格书WILLSEMI韦尔WD3102CA

时间:2024年04月07日 来源:

    WS3222是一款具有可调OVLO(过压锁定)阈值电压的过压保护(OVP)负载开关。当输入电压超过阈值时,该设备将关闭内部MOSFET,断开输入到输出的连接,以保护负载。当OVLO输入设定低于外部OVLO选择电压时,WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调整,OVLO阈值电压范围为4V~15V。过热保护(OTP)功能监控芯片温度,以保护设备。WS3222采用DFN2×2-8L封装。标准产品无铅且无卤素。

特点:

· 输入电压:29V

· 导通电阻:45mΩ(典型值)

· 超快OVP响应时间:450ns(典型值)

· 可调OVLO

· 阈值电压:4V~15V

应用:

· 手机和平板电脑

· 便携式媒体播放器

· STB、OTT(机顶盒、互联网电视)

· 汽车DVR、汽车媒体系统外设

    WS3222是专为现代便携设备设计的灵活高效过压保护开关。其特色在于可调OVLO阈值,为不同应用提供定制化保护。超快450纳秒OVP响应时间确保负载在瞬间过压下得到保护。低导通电阻减少正常功耗。集成OTP功能增强可靠性。紧凑封装适合空间受限应用,符合环保标准。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 WPM2015-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23-3。规格书WILLSEMI韦尔WD3102CA

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    ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器(TVS),专为可能遭受静电放电(ESD)的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器(MLV),并广泛应用于消费设备,如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。

特性:

· 极低电容:CJ=0.5pFtyp

· 极低漏电流:IR<1nAtyp

· 低箝位电压:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

· 根据IEC61000-4-2标准,每条线提供±20kV(接触和空气放电)的瞬态保护

· 根据IEC61000-4-4标准,提供40A(5/50ns)的EFT保护

· 根据IEC61000-4-5标准,可承受4A(8/20μs)的浪涌电流

应用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

     ESD9X5VU采用了一对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。它为敏感电子组件提供了高水平的ESD保护,使其免受静电放电的损害。与传统的多层变阻器相比,ESD9X5VU具有更低的电容和漏电流,以及更低的箝位电压,从而提供了更好的性能。此外,其固态硅技术确保了高效、可靠的电源保护。无论是用于USB、HDMI、SATA还是其他接口,ESD9X5VU都能为现代电子设备提供坚实的ESD防护屏障。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WNM6007WMM7027ATHD1-4/TR MEMS麦克风(硅麦) 封装:SMD-4P,1.9x2.8mm。

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    WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。

特性:

· 输入电压范围:2.5~5.5V

· 主开关RON:80mΩ@VIN=5V

· 持续输出电流:1.0A

· 电流限制阈值:1.5A(典型值)

· 电流限制精度:±20%

· 输出短路电流:0.7A(典型值)

· 自动放电反向阻断(无“体二极管”)

· 过温保护

应用:

· USB外设USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

    WS4601是一款专为现代电子设备设计的高性能高侧开关。其极低导通电阻的P-MOSFET结构使其在处理大电流时高效且节能。集成的电流限制功能保护电源免受过大电流损害,确保系统稳定可靠。自动放电功能和反向保护功能进一步增强系统安全性。适用于USB外设、USB Dongle等需要高效电源管理的场合。无论3.3V还是5V系统,WS4601都提供出色的性能和保护机制,确保设备正常运行。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。

    WS4508E是一款针对单节锂离子电池的完整恒流/恒压线性充电器。其内部采用MOSFET架构,无需外部感测电阻和阻断二极管。热反馈机制可以调节充电电流,以在高功率操作或高环境温度下限制芯片温度。充电电压固定为4.2V,而充电电流可以通过一个外部电阻进行编程。

特性:

· 可编程充电电流高达600mA

· 过温保护

· 欠压锁定保护

· 自动再充电阈值典型值为4.05V

· 充电状态输出引脚

· 2.9V涓流充电阈值

· 软启动限制浪涌电流

应用:

· 无线电话

· MP3/MP4播放器

· 蓝牙设备

    WS4508E是一款锂离子电池充电器,适用于便携式电子产品。其内置MOSFET简化了电路设计,降低了成本。其热反馈机制确保了在各种环境下的安全充电。充电电压固定为4.2V,电流可编程,至高600mA,适应不同电池和充电需求。充电结束和电源移除时,自动进入低电流和关机模式,降低功耗。采用SOT-23-5L封装,符合无铅标准,适用于各种电子设备。提供可靠、高效的充电解决方案。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 ESD5451NL-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。

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    ESD5431N是一款双向瞬态电压抑制器(TVS),专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性:DFN1006-2L封装:紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素:符合环保要求,适用于对无铅和无卤素有需求的场合。

特性:

· 截止电压:±3.3V

· 根据IEC61000-4-2标准,提供±30kV(接触放电)的ESD保护

· 根据IEC61000-4-4标准,提供40A(5/50ns)的EFT保护

· 根据IEC61000-4-5标准,提供10A(8/20μs)的浪涌保护

· 电容:典型值为17.5pF

· 低泄漏电流:典型值为1nA

· 低钳位电压:在脉冲电流为16A(TLP)时,典型值为8V。

· 固态硅技术

应用:

· 手机

· 计算机和外设:为计算机主板、显示器、键盘等

· 微处理器

· 电源线

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

    ESD5431N是专为保护电子元件免受静电、电气瞬变等过应力而设计的高性能双向瞬态电压抑制器。其瞬态保护出色,封装紧凑,环保特性强,广泛应用于手机、计算机和便携式设备,确保设备稳定运行和数据安全。如需详细信息,请查阅数据手册或联系我们。 SPD9112W-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOT-323。中文资料WILLSEMI韦尔WNM3064

ESD5641D12-3/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN-3L(2x2)。规格书WILLSEMI韦尔WD3102CA

WL2803E:极低压差、500mA、CMOSLDO(低压差线性稳压器

产品描述

     WL2803E系列是一款具有极低压差、低静态电流和高电源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。在500mA负载电流下,其压差电压典型值为130mV。由于采用CMOS结构,WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA,使其成为需要高输出电流的消费者和网络应用的理想选择。

     WL2803E系列提供从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本,步长为0.1V。WL2803E系列还提供了过热保护(OTP)和限流功能,以确保在错误条件下芯片和电源系统的稳定性,并使用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。

    封装与环保信息:WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装,并符合无铅和无卤素环保要求。

产品特性

输入电压:2.5V~5.5V

输出电压:1.2V~3.3V

输出电流:500mA

PSRR:65dB@1KHz

压差电压:130mV@IOUT=0.5A

输出噪声:100uV

静态电流:150μA(典型值)

应用领域

LCD电视

机顶盒(STB)

计算机和图形卡

网络通信设备

其他便携式电子设备  

      WL2803E是一款高性能LDO,压差低、PSRR高、静态电流低。适用于消费电子产品和网络应用,输出电压准确稳定。具备过热保护和限流功能,增强可靠性。您如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WD3102CA

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