WLCSP封装定制

系统集成封装（System in Package）可将多个集成电路 (IC) 和元器件组合到单个系统或模块化系统中，以实现更高的性能，功能和处理速度，同时大幅降低电子器件内部的空间要求。SiP的基本定义，SiP封装（System In Package系统级封装）是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能，与SOC（System On Chip系统级芯片）相对应。不同的是SiP是采用不同功能的芯片在基板上进行并排或叠构后组成功能系统后进行封装。而SOC则是将所需的组件高度集成在一块芯片上进行封装。在电源、车载通讯方面也开始进行了 SiP 探索和开发实践。WLCSP封装定制

除了 2D 与 3D 的封装结构外，另一种以多功能性基板整合组件的方式，也可纳入 SiP 的涵盖范围。此技术主要是将不同组件内藏于多功能基板中，亦可视为是 SiP 的概念，达到功能整合的目的。不同的芯片排列方式，与不同的内部接合技术搭配，使 SiP 的封装形态产生多样化的组合，并可依照客户或产品的需求加以客制化或弹性生产。SiP 的应用场景SiP 技术是一项先进的系统集成和封装技术，与其它封装技术相比较，SiP 技术具有一系列独特的技术优势，满足了当今电子产品更轻、更小和更薄的发展需求，在微电子领域具有广阔的应用市场和发展前景。河北系统级封装厂商微晶片的减薄化是SiP增长面对的重要技术挑战。

晶圆级封装（WLP）：1、定义，在晶圆原有状态下重新布线，然后用树脂密封，再植入锡球引脚，然后划片将其切割成芯片，从而制造出真实芯片大小的封装。注：重新布线是指在后段制程中，在芯片表面形成新的布线层。2、优势，传统封装中，将芯片装进封装中的时候，封装的尺寸都要大于芯片尺寸。WLP技术的优势是能够实现几乎与芯片尺寸一样大小的封装。不只芯片是批量化制造，而且封装也是批量化制造，可以较大程度上降低成本。WLP技术使用倒装焊技术（FCB），所以被称为FBGA（Flip Chip类型的BGA），芯片被称为晶圆级CSP（Chip Size Package）。工艺流程，晶圆级封装工艺流程：① 再布线工程（形成重新布线层的层间绝缘膜[中间介质层]）；② 形成通孔和重新布线层（用来连接芯片和外部端子）；③ 形成铜柱，并在铜柱上面生成凸点；④ 用树脂密封，再形成焊球并用划片机切割成所需的芯片。

构成SiP技术的要素是封装载体与组装工艺。前者包括基板，LTCC，SiliconSubmount(其本身也可以是一块IC)。后者包括传统封装工艺(Wirebond和FlipChip)JI和SMT设备。无源器件是SiP的一个重要组成部分，其中一些可以与载体集成为一体(Embedded，MCM-D等)，另一些(精度高、Q值高、数值高的电感、电容等)通过SMT组装在载体上。SiP的主流封装形式是BGA。就目前的技术状况看，SiP本身没有特殊的工艺或材料。这并不是说具备传统先进封装技术就掌握了SiP技术。由于SiP的产业模式不再是单一的代工，模块划分和电路设计是另外的重要因素。SiP系统级封装技术将处理芯片、存储芯片、被动元件、连接器、天线等多功能器件整合在同一基板上。

3D主要有三种类型：埋置型、有源基板型、叠层型。其中叠层型是 当前普遍采用的封装形式。叠层型是在2D基础上，把多个裸芯片、封装芯片、多芯片组件甚至圆片进行垂直互连，构成立体叠层封装。可以通过三种方法实现：叠层裸芯片封装、封装堆叠直连和嵌入式3D封装。业界认定3D封装是扩展SiP应用的较佳方案，其中叠层裸芯片、封装堆叠、硅通孔互连等都是当前和将来3D封装的主流技术。并排放置（平面封装）的 SiP 是一种传统的多芯片模块封装形式，其中使用了引线键合或倒装芯片键合技术。SIP与SOC，SOC(System On a Chip，系统级芯片)是将原本不同功能的IC，整合到一颗芯片中。深圳芯片封装

SiP并没有一定的结构形态，芯片的排列方式可为平面式2D装和立体式3D封装。WLCSP封装定制

PoP(Package-on-Package)，是用于将逻辑器件和存储器器件进行叠层封装的技术。通常情况下底层多为逻辑器件，例如移动电话基带（调制解调器）处理器或应用处理器，上层为存储器，例如闪存或者叠层内存芯片。显然，这种垂直组合封装的一个优点是节省了电路板空间。适用于需要在更小空间内实现更多功能的应用，例如数码相机、PDA、MP3 播放器和移动游戏设备等。POP的工艺流程，PoP的组装方式目前有两种。一种是预制PoP工序，即先将PoP的多层封装堆叠到一起，焊接成一个元器件，再贴装到PCB上，然后再进行一次回流焊。一种是在板PoP工序上，依次将底部的BGA和顶部BGA封装在PCB上，然后过一次回流焊。WLCSP封装定制