中文资料WILLSEMI韦尔WNM2020A
WPM3401：单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET
WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于极小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。
其主要特性包括：
· 沟槽技术
· 超高密度的单元设计
· 优异的导通电阻，适用于更高的直流电流
· 小型SOT-23-3L封装
应用领域包括：
· 笔记本电脑的电源管理
· 便携式设备
· 电池供电系统
· DC/DC转换器
· 负载开关
WPM3401是一种高性能的功率MOSFET，专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD54231N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。中文资料WILLSEMI韦尔WNM2020A
ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述：
ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性：
· 截止电压：±3.3VMax
· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±10kV（接触放电）
· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）
· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）
· 极低电容：CJ=0.2pFtyp
· 低漏电流低箝位电压：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域：
· USB3.0和USB3.1
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护敏感元件免受静电放电损害。适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备。紧凑、环保。详情查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD54031ZWPM2015-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23-3。
WS3222是一款具有可调OVLO（过压锁定）阈值电压的过压保护(OVP)负载开关。当输入电压超过阈值时，该设备将关闭内部MOSFET，断开输入到输出的连接，以保护负载。当OVLO输入设定低于外部OVLO选择电压时，WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调整，OVLO阈值电压范围为4V~15V。过热保护(OTP)功能监控芯片温度，以保护设备。WS3222采用DFN2×2-8L封装。标准产品无铅且无卤素。
特点：
· 输入电压：29V
· 导通电阻：45mΩ（典型值）
· 超快OVP响应时间：450ns（典型值）
· 可调OVLO
· 阈值电压：4V~15V
应用：
· 手机和平板电脑
· 便携式媒体播放器
· STB、OTT（机顶盒、互联网电视）
· 汽车DVR、汽车媒体系统外设
WS3222是专为现代便携设备设计的灵活高效过压保护开关。其特色在于可调OVLO阈值，为不同应用提供定制化保护。超快450纳秒OVP响应时间确保负载在瞬间过压下得到保护。低导通电阻减少正常功耗。集成OTP功能增强可靠性。紧凑封装适合空间受限应用，符合环保标准。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。
RB521C30：肖特基势垒二极管
· 重复峰值反向电压 VRM 30 V
· 直流反向电压 VR 30 V
· 平均整流正向电流 IO 100 mA
产品特性：
100mA平均整流正向电流：RB521C30具有出色的电流处理能力，能够处理高达100mA的平均整流正向电流，使其在需要稳定电流处理的电路中表现出色。
低正向电压：肖特基势垒二极管以其低正向电压为特点，这意味着在正向偏置条件下，它需要的电压较低，从而降低了功耗。
低漏电流：RB521C30的漏电流非常低，这有助于在关闭或待机状态下减少不必要的功耗。
小型SOD-923封装：这款二极管采用紧凑的SOD-923封装，使其适合在空间受限的应用中使用，如便携式设备和小型电路板。
应用领域：
RB521C30肖特基势垒二极管特别适合用于低电流整流应用。在电路中，它能够将交流信号转换为直流信号，这对于许多电子设备来说都是至关重要的。由于其低正向电压和低漏电流的特性，它特别适用于需要高效能和低功耗的场合，如电池供电的设备或需要长时间运行的系统。此外，其紧凑的封装形式也使得它成为空间受限应用的理想选择。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WS72552S-8/TR 运算放大器 封装：SOP-8。
ESD5641DXX是一款专为保护电源接口设计的瞬态电压抑制器。它非常适合用于替代便携式电子产品中的多个离散组件。ESD5641DXX特别为USB端口设计，采用了具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。封装与环保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品为无铅和无卤素。
技术特性：
· 反向截止电压：7.5V~15V
· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护8/20μs
· 根据IEC61643-321标准的浪涌保护10/1000μs
· 低钳位电压
· 固态硅技术
应用领域：
· 电源保护
· 电源管理
ESD5641DXX瞬态电压抑制器以其出色的浪涌保护能力和低钳位电压，为电源接口提供了可靠的防护。特别适合用于USB端口保护，其紧凑的封装和环保特性使其成为便携式电子产品的理想选择。无论是在电源保护还是电源管理方面，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WMM7027ATHD1-4/TR MEMS麦克风（硅麦） 封装：SMD-4P,1.9x2.8mm。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD54231N
WAS4729QB-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装：QFN-10(1.8x1.4)。中文资料WILLSEMI韦尔WNM2020A
ESD5301N：低电容单线单向瞬态电压抑制器
产品描述：
ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过度应力影响。
包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。
采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性：
1、截止电压：5V
2、根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）
3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）
4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）
5、低电容：CJ=0.4pFtyp.
6、低漏电流：IR<1nAtyp.
7、低钳位电压：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)
8、固态硅技术
应用领域：
1、USB2.0和USB3.0
2、HDMI1.3和HDMI1.4
3、SATA和eSATA
4、DVI
5、IEEE1394
6、PCIExpress
7、便携式电子产品和笔记本电脑
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5301N这款TVS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持，请随时联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNM2020A