深圳点接触型二极管批发价格

二极管反向区也分两个区域：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V～7 V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。二极管具有低功耗特性，可节省能源。深圳点接触型二极管批发价格

二极管是否损坏如何判断：反向击穿电压的检测，二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。深圳键型二极管市场价格二极管的结构简单，由两个电极组成，易于使用和维护。

晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管，点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。2、外延型二极管，用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。

二极管特性及参数：1、二极管伏安特性，导通后分电压值约为 0.7 V（硅管）或0.3V（锗管）（LED 约为 1-2 V，电流 5-20 mA）。反向不导通，但如果达到反向击穿电压，那将导通（超过反向较大电压可能烧坏）。正向电压很小时不导通（0.5 V 以上时才导通）。2、主要参数：较大整流电流 I_FIF： 表示长期运行允许的较大正向平均电流，超出可能因结温过高烧坏。较高反向工作电压 U_RUR：允许施加的较大反向电压，超出可能击穿。（U_RUR 通常为击穿电压的一半）。反向电流 I_RIR： 未击穿时的反向电流，越小导电性越好。较高工作频率 f_MfM： 上线截止频率。因结电容作用，超出可能不能很好体现的单向导电性。二极管有正向导通和反向截止的特性，用于整流、限流、保护和变频等电路中。

半导体二极管的参数介绍如下：1、反向电流IR：指管子末击穿时的反向电流， 其值愈小，则管子的单向导电性愈好。由于温度增加，反向电流会急剧增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。2、正向压降VD：在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。3、动态电阻rd：反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，rd与工作电流的大小有关，即：rd=△VD/△ID。4、极间电容CJ：二极管的极间电容包括势垒电容和扩散电容，在高频运用时必须考虑结电容的影响。二极管不同的工作状态，其极间电容产生的影响效果也不同。二极管是一种电子器件，具有正向导、反向截止的特性。晶体二极管作用

二极管有正负两个端子，包括正向导通和反向截止两种状态。深圳点接触型二极管批发价格

瞬态抑制二极管(TVS管)，瞬态电压抑制二极管英文名称为Transient Voltage Suppressor，简称TVS，它是一种高效保护器件的一种二极管。当瞬态电压抑制二极的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压钳位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元 器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流 低、击穿电压偏差 、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。普遍应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流 器、家用电器、仪器仪表电路中。瞬态电压抑制二极管有单向和双向两种，单向的引脚有正负极方向性，使用方法和稳压管相同，正极接入低电位，负极接入高电位，反向接入电路中。深圳点接触型二极管批发价格