湖南快恢复二极管MURB1660CT

   快恢复整流二极管属于整流二极管中的高频整流二极管，适用于高频率的电路场合，低频如工频50HZ以下用普通的整流二极管就好。快恢复二极管做整流二极管常用在在频率较高的逆变电路中。但是由于整流电路由于频率很低，故只对耐压有要求，只要耐压能满足，肯定是可以代用的，且快恢复二极管也有用于整流的情况，就是在开关电源次级整流部份，由于频率较高，只能使用快恢复二极管整流，否则由于二极管损耗太大会造成电源整体效率降低，严重时会烧毁二极管。另外快恢复二极管的价格较整流二极管贵很多，耐压越高越贵，所以一般是不会拿快恢复二代管使用的。之所以称其为快速恢复二极管，这是因为普通整流二极管一般工作于低频(如市电频率为50Hz)，其工作频率低于3kHz，当工作频率在几十至几百kHz时，正反向电压变化的时间慢于恢复时间，普通整流二极管就不能正常实现单向导通了，这时就要用快速恢复整流二极管。快速恢复二极管的特点就是它的恢复时间很短，这一特点使其适合高频整流。快恢复二极管有一个决定其性能的重要参数——反向恢复时间。反向恢复时间的定义是，二极管从正向导通状态急剧转换到截止状态，从输出脉冲下降到零线开始。Trr越小的快速恢复二极管的工作频率越高。MUR3020CT是快恢复二极管吗？湖南快恢复二极管MURB1660CT

   在开机的瞬间，滤波电容的电压尚未建立，由于要对大电容充电．通过PFC电感的电流相对比较大。如果在电源开关接通的瞬间是在正弦波的最大值时，对电容充电的过程中PFC电感L有可能会出现磁饱和的情况，此时PFC电路工作就麻烦了，在磁饱和的情况，流过PFC开关管的电流就会失去限制，烧坏开关管。为防止悲剧发生，一种方法是对PFC电路工作的工作时序加以控制，即当对大电容的充电完成以后，再启动PFC电路：另一种比较简单的办法就是在PFC线圈到升压二极管上并联一只二极管旁路。启动的瞬间，给大电容的充电提供另一个支路，防止大电流流过PFC线圈造成饱和，过流损坏开关管，保护开关管，同时该保护二极管也分流了升压二极管上的电流，保护了升压二极管。另外，保护二极管的加入使得对大电容充电过程加快．其上的电压及时建立，也能使PFC电路的电压反馈环路及时工作，减小开机时PFC开关管的导通时间．使PFC电路尽快正常工作。‘所以，综上所述，以上电路中保护二极管的作用是在开机瞬间或负载短路、PFC输出电压低于输入电压的非正常状况下给电容提供充电路径，防止PFC电感磁饱和对PFCMOS管造成的危险，同时也减轻了PFC电感和升压二极管的负担，起到保护作用。在开机正常工作以后。快恢复二极管MUR1060CTRMUR1560是什么类型的管子？

二极管质量的好坏取决于芯片工艺。目前，行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种：玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）。二极管的GPP工艺结构，其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化，冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体，无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构，其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结，然后在200度左右温度进行固化，保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）特性对比玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工艺由于结构的不同，当有外力产生时，冷热冲击，OJ工艺结构的二极管，由于保护胶和硅片不贴合，会产生漏气，导致器件出现一定比率的失效。GPP工艺结构的TVS二极管，可靠性很高，

电解用整流器的输出功率极大，每个整流臂往往由十几个乃至数十个整流元件并联组成，均流问题十分突出。关于电流不平衡的产生原因和解决措施，可参看本站有关电力电子快恢复二极管串、并联技术的文章，此处提示结构设计中的一些注意点。1)当并联快恢复二极管数很多，在结构上形成分支并联回路时，可以将快恢复二极管按正向压降接近程度分级分组，在可能流过较大电流的支路里，装配正向压降稍大的元件组。2)在快恢复二极管开通前后阳极-阴极间电压较高、开通后电流上升率较大时，常选用开通时间尽量一致的快恢复二极管。但由于快恢复二极管参数可选择的自由度太小，为了经济和维修更换方便，常和电路补偿方法结合使用。采用补偿后能使元件开通时间的分散度在5～6µs左右较合适。补偿方法可以在每个快恢复二极管支路中串入均流电抗器，或者将整流变压器阀侧线圈多分几组，减少每个线圈支路中的快恢复二极管数。MURF1640CT是什么类型的管子？

快恢复二极管是极有发展前景的电力、电子半导体器件。性能特点1）反向恢复时间反向恢复时间trr的概念是：电流通过零点由正向变换到规定低值的时间间距。它是衡量高频续流及整流器件性能的主要技术指标。IF为正向电流，IRM为反向回复电流。Irr为反向回复电流，当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压忽然变为反向电压，因此正向电流很快下降，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR日渐增大；在t=t2日子达到反向回复电流IRM值。此后受正向电压的效用，反向电流日趋减少，并在t=t3日子达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相像之处。2）快回复、超快恢复二极管的结构特点快恢复二极管的内部构造与平常二极管不同，它是在P型、N型硅材质中间增加了基区I，组成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向回复电荷很小，减少了trr值，还下降了瞬态正向压降，使管子能经受很高的反向工作电压。快回复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷更进一步减少，使其trr可低至几十纳秒。MUR2060CA是什么类型的管子？TO263封装的快恢复二极管MUR2060CT

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   我们都知道在选择快恢复二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的快恢复二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。在快恢复二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为，硅管约为）以后，快恢复二极管才能真正导通。但快恢复二极管的导通压降是恒定不变的吗？它与正向扩散电流又存在什么样的关系？通过下图1的测试电路在常温下对型号为快恢复二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽为，但对于功率快恢复二极管来说它影响效率也影响快恢复二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的快恢复二极管。湖南快恢复二极管MURB1660CT