河北半导体芯片特种封装工艺

PGA，封装是一种陶瓷封装方式，通常用于高频、高功率的场合。它由一个陶瓷基板和多个针状引脚组成，外形类似于一个网格状结构。PGA 封装的优点是散热性能好、高频性能好，缺点是体积较大、制造成本高。应用情况：主要用于高频、高功率的场合，如通信设备、计算机显卡等。D-PAK (Dual Power Apak)：D-PAK 封装是一种塑料封装方式，通常用于高频、高功率的场合。它由一个塑料外壳和多个引脚组成，外形类似于一个长方形盒。D-PAK 封装的优点是体积小、重量轻、高频性能好，缺点是散热性能较差。应用情况：主要用于高频、高功率的场合，如通信设备、计算机硬盘等。PGA 封装是一种陶瓷封装方式，通常用于高频、高功率的场合。河北半导体芯片特种封装工艺

一般来说，SPGA封装，适用于AMD K5和Cyrix MII处理器;CPGA(Ceramic Pin Grid Array，陶瓷针型栅格阵列)封装，适用于Intel Pentium MMX、AMD K6、AMD K6-2、AMD K6 III、VIA Cyrix III、Cyrix/IBM 6x86MX、IDT WinChip C6和IDT WinChip 2处理器;PPGA(塑料针状矩阵Plastic Pin Grid Array)封装，适用于Intel Celeron处理器(Socket 370);FC-PGA(Flip Chip Pin Grid Array，反转芯片针脚栅格阵列)封装，适用于Coppermine系列Pentium Ⅲ、Celeron II和Pentium4处理器。广西电子元器件特种封装方式球状引脚栅格阵列封装技术（BGA）BGA球状引脚栅格阵列封装技术，高密度表面装配封装技术。

封装、实装、安装及装联的区别：封装，封装是指构成“体”的过程（packaging）。即通过封装（如将可塑性绝缘介质经模注、灌封、压入、下充填等），使芯片、封装基板、电极引线等封为一体，构成三维的封装体，起到密封、传热、应力缓和及保护等作用。此即狭义的封装。封装技术就是指从点、线、面到构成“体或块”的全部过程及工艺。安装，板是搭载有半导体集成电路元件，L、C、R等分立器件，变压器以及其他部件的电子基板即为“板”。安装即将板（主板或副板）通过插入、机械固定等方式，完成常规印制电路板承载、连接各功能电子部件，以构成电子系统的过程称为安装。装联，装联将上述系统装载在载板（或架）之上，完成单元内（板或卡内）布线、架内（单元间）布线以及相互间的连接称为装联。

半加成法，半加成法（Semi-Additive Process，SAP），利用图形电镀增加精细线路的厚度，而未电镀加厚非线路区域在差分蚀刻过程则快速全部蚀刻，剩下的部分保留下来形成线路。封装基板制作技术-高密度互连（HDI）改良制作技术，高密度互连（HDI）封装基板制造技术是常规HDI印制电路板制造技术的延伸，其技术流程与常规HDI-PCB板基本相同，而二者的主要差异在于基板材料使用、蚀刻线路的精度要求等，该技术途径是目前集成电路封装基板制造的主流技术之一。由于受蚀刻技术的限制，HDI封装基板制造技术在线路超精细化、介质层薄型化等方面遇到了挑战，近年出现了改良型HDI封装基板制造技术。常见封装分类，包括IC封装、模块封装、裸芯封装等。

我们知道早期的芯片是通过引线键合的方式把晶圆上的电路与基板连接起来的。这种封装方式容易产生阻抗效应，同时芯片尺寸比较大。引线键合：芯片与电路或引线框架之间的连接，因此当手机等移动终端设备爆发后一种更先进的封装方式FCBGA(Flip Chip Ball Grid Array/倒装芯片球栅格阵列)就大面积普及开了。FCBGA的特点是用直径百微米级的BGA焊球替代金线，以晶片倒扣在基板的方式实现了晶圆电路与基板电路的连接。BGA焊球的沉积，随着终端应用如手机、电脑、AI等更加智能化、精密化发展，其对高算力、高集成化芯片的需求提升，传统封装集成技术已不能满足市场需求，随之以FlipChip（倒装）、2.5D/3D IC（立体封装）、WLP（晶圆级封装）、Sip（系统级封装）为表示的先进封装技术将成为未来发展趋势。模块封装是将封装芯片、器件和电路封装在一起，形成一个新的电器模块。江西电路板特种封装行价

一般芯片封装已经在各个集成电路封装测试工厂批量生产。河北半导体芯片特种封装工艺

无源晶振封装，常见的无源晶振封装有HC-49U（简称49U）、HC-49S（简称49S）、UM系列等，如图8所示。49U、49S、UM系列是现在石英晶振使用较普遍的几个产品，因其成本较低、精度、稳定度等符合民用电子设备，所以受到工厂的青睐。以HC-49S为例进行介绍，49S又称为HC-49US封装。HC-49S属于直插式石英晶振封装，直插2脚，高壳体积为10.5×4.5×3.5MM，矮壳体积10.5×5.0×2.5MM，属国际通用标准，普通参数标准负载电容为20PF（12PF 16PF 30PF等） 精度为±20PPM ±50ppm等，电阻120Ω，参数标准方面跟HC-49U、HC-49SMD无差别。49S相对49U体积较小，不会因体积大造成电路板空间的浪费，进而不会增加电路板的造价成本，已逐步替代49U。河北半导体芯片特种封装工艺