四川快恢复二极管MURB1060

   FRED的其主要反向关断属性参数为：反向回复时trr=ta+tb(ta一少数载流子在存储时间，tb一少数载流子复合时间)；反向回复峰值电流IRM；反向回复电荷Qrr=l／2trr×IRM以及表示器件反向回复曲线软度的软度因子S=tb／ta。而FRED的正向导通主要参数有：正向平均电流IF(AV)；正向峰值电压UFM；正向均方根电流IF(RMS)以及正向(不反复)浪涌电流IFSM。FRED的反向阴断属性参数为：反向反复峰值电压URRM和反向反复峰值电流IRRM。须要指出：反向回复时间trr随着结温Tj的升高，所加反向电压URRM的增高以及流过的正向电流IF(AV)的增大而增长，而主要用来测算FRED的功耗和RC保护电路的反向回复峰值电流IRM和反向回复电荷Qrr亦随结温Tj的升高而增大。因此，在选用由FRED构成的“三相FRED整流桥开关模块”时，须要充分考虑这些参数的测试条件，以便作必需的调整。这里值得提出的是：目前FRED的价钱比一般而言整流二极管高，但由于用到FRED使变频器的噪声大幅度减低(减低达15dB)，这将直接影响到变频器内EMI滤波电路的电容器和电感器的设计，使它们的尺码缩小和价钱大幅度下滑，并使变频器更能相符EMI规格的要求。此外，在变频器中，对充电限流电阻展开短接的开关，目前一般都使用机器接触器。MUR2080CT二极管的主要参数。四川快恢复二极管MURB1060

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)，具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒)，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。山东快恢复二极管MUR3060CSMUR3040CA是什么类型的管子？

   快恢复二极管-ITO-220ACUF801F~UF810FVRM;100-1000V,IF;8A快恢复二极管-ITO-220ACSF1505F~SF1560FVRM;50-600V,IF;15A快恢复二极管-ITO-220ACSF1005CT~SF1060CTVRM;50-600V,IF;10A快恢复二极管-ITO-220ACMUR1001FCT~MUR1010FCTVRM;100-600V,IF;10A快恢复二极管-ITO-220ACMUR805~MUR8100VRM;50-1000V,IF;8A快恢复二极管-ITO-220ABUF1000FCT-UF1008FCTVRM;50-800V,IF;10A快恢复二极管-ITO-220ABSFF1605CT~SFF1660CTVRM;50-600V,IF;16A快恢复二极管-ITO-220ABSF2005FCT~SF2060FCTVRM;50-600V,IF;20A快恢复二极管-ITO-220ABMUR3005FCT~MUR3060FCTVRM;50-600V,IF;30A快恢复二极管-ITO-220ABMUR2005FCT~MUR2060FCTVRM;50-600V,IF;20A快恢复二极管-ITO-220ABMUR1605FCT~MUR1660FCTVRM;50-600V,IF;16A快恢复二极管-ITO-220ABMUR1005FCT~MUR1060FCTVRM;50-600V,IF;10A快恢复二极管-DO-41UF4001~UF4007VRRM;50-1000V,IF;快恢复二极管-DO-41SF11~SF18VRRM;50-1000V,IF;快恢复二极管-DO-41HER101G~HER108GVRRM;50-1000V,IF;快恢复二极管-DO-41HER101~HER108VRRM;50-1000V,IF;快恢复二极管-DO-41FR101G~FR107GVRRM;50-1000V,IF;快恢复二极管-DO-41FR101~FR107VRRM;50-1000V,IF。

   电力电子器件的缓冲电路(snubbercircuit)又称吸收电路，它是电力电子器件的一种重要的保护电路，不仅用于半控型器件的保护，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的应用技术中起着重要的作用。晶闸管开通时，为了防止过大的电流上升率而烧坏器件，往往在主电路中串入一个扼流电感，以限制过大的di/dt，串联电感及其配件组成了开通缓冲电路，或称串联缓冲电路。晶闸管关断时，电源电压突加在管子上，为了抑制瞬时过电压和过大的电压上升率，以防止晶闸管内部流过过大的结电容电流而误触发，需要在晶闸管的两端并联一个RC网络，构成关断缓冲电路，或称并联缓冲电路。IGBT的缓冲电路功能更侧重于开关过程中过电压的吸收与抑制，这是由于IGBT的工作频率可以高达30~50kHz;因此很小的电路电感就可能引起颇大的LdiC/dt，从而产生过电压，危及IGBT的安全。PWM逆变器中IGBT在关断和开通中的uCE和iC波形。在iC下降过程中IGBT上出现了过电压，其值为电源电压UCC和LdiC/dt两者的叠加。IGBT缓冲电路中的二极管必须是快恢复的二极管，电容必须是高频、损耗小，频率特性好的薄膜电容。这样才能取得好的吸收效果开关电源中为什么要用快恢复二极管？

   快恢复二极管的总功率损耗与正向通态压降VF，通态电流IF，反向电压VR,反向漏电流IR，正向过冲电压Vfp，反向恢复漏电流峰值Irp。以及反向电流下降时间tb等有关。尽管如此，对于给定的快恢复二极管应用，通态电流和反向电压通常应用电路决定的，只要不超过额定使用条件即可。然而在给定的IF和VR条件下的VF，IR，Vrp，Irp和tb等二极管的特性却是由所使用的快恢复二极管本身的性能决定的。我们能通过算式5清楚地看到，上述任何一个参数的升高都将导致功率损耗的増加。相反地，如果我们能够降低其中的某些参数值，则可以降低功率损耗，在所有的功率损耗中，通态损耗所占比例，因此降低通态损耗是降低总功率损耗的主要路径和方法。而对于通态损耗来讲，正向电流由应用条件和额定决定，为恒定值，占空比也由应用条件决定，由算式1可以清楚地看到降低正向压降是降低功率损耗的主要途径。而正向压降正是快恢复二极管本身的性能能力决定的。所以选择低功耗二极管主要的要看在同等条件下的正向压降。压降越低的，其功耗也越低。MUR2020CT是快恢复二极管吗？广东快恢复二极管MURB1560

快恢复二极管和普通整流二极管有那些不同？四川快恢复二极管MURB1060

我们都知道在选择快恢复二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的快恢复二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，快恢复二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对该快恢复二极管的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：快恢复二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降达到峰值，却不影响快恢复二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该快恢复二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。四川快恢复二极管MURB1060