甘肃IPM封装工艺

SMT制程在SIP工艺流程中的三部分都有应用：1st SMT PCB贴片 + 3rd SMT FPC贴镍片 + 4th SMT FPC+COB。SiP失效模式和失效机理，主要失效模式：(1) 焊接异常：IC引脚锡渣、精密电阻连锡。Ø 原因分析：底部UF (Underfill底部填充）胶填充不佳，导致锡进入IC引脚或器件焊盘间空洞造成短路。(2) 机械应力损伤：MOS芯片、电容裂纹。Ø 原因分析：(1) SiP注塑后固化过程产生的应力;（2）设备/治具产生的应力。(3) 过电应力损伤：MOS、电容等器件EOS损伤。Ø 原因分析：PCM SiP上的器件受电应力损伤（ESD、测试设备浪涌等）。Sip系统级封装通过将多个裸片（Die）和无源器件融合在单个封装体内，实现了集成电路封装的创新突破。甘肃IPM封装工艺

PoP封装技术有以下几个有点：1）存储器件和逻辑器件可以单独地进行测试或替换，保障了良品率；2）双层POP封装节省了基板面积, 更大的纵向空间允许更多层的封装；3）可以沿PCB的纵向将Dram,DdramSram,Flash,和 微处理器进行混合装联；4）对于不同厂家的芯片, 提供了设计灵活性,可以简单地混合装联在一起以满足客户的需求，降低了设计的复杂性和成本；5）目前该技术可以取得在垂直方向进行层芯片外部叠加装联；6）顶底层器件叠层组装的电器连接，实现了更快的数据传输速率，可以应对逻辑器件和存储器件之间的高速互联。江苏陶瓷封装型式系统级封装（SiP）技术是通过将多个裸片（Die）及无源器件整合在单个封装体内的集成电路封装技术。

3D主要有三种类型：埋置型、有源基板型、叠层型。其中叠层型是 当前普遍采用的封装形式。叠层型是在2D基础上，把多个裸芯片、封装芯片、多芯片组件甚至圆片进行垂直互连，构成立体叠层封装。可以通过三种方法实现：叠层裸芯片封装、封装堆叠直连和嵌入式3D封装。业界认定3D封装是扩展SiP应用的较佳方案，其中叠层裸芯片、封装堆叠、硅通孔互连等都是当前和将来3D封装的主流技术。并排放置（平面封装）的 SiP 是一种传统的多芯片模块封装形式，其中使用了引线键合或倒装芯片键合技术。

SiP技术特点：设计优势，SiP技术允许设计师将来自不同制造商的较佳芯片组合在一起，实现定制化的解决方案，这种灵活性使得SiP在多样化的市场需求中具有普遍的应用前景。主要优势如以下几点：空间优化：通过将多个组件集成到一个封装中，SiP可以明显减少电路板上所需的空间。性能提升：SiP可以通过优化内部连接和布局来提升性能，减少信号传输延迟。功耗降低：紧密集成的组件可以减少功耗，特别是在移动和便携式设备中。系统可靠性：减少外部连接点可以提高系统的整体可靠性。除了2D与3D的封装结构外，另一种以多功能性基板整合组件的方式，也可纳入SiP的涵盖范围。

植入锡球的BGA封装：① 植球，焊锡球用于高可靠性产品（汽车电子）等的倒装芯片连接，使用的锡球大多为普通的共晶锡料。植入锡球的BGA封装，工艺流程：使用焊锡球吸附夹具对焊锡球进行真空吸附，该夹具将封装引脚的位置与装有焊锡球的槽对齐，通过在预先涂有助焊剂的封装基板的引脚位置植入锡球来实现。SIP：1、定义，SIP（System In Package）是将具有各种特定功能的LSI封装到一个封装中。而系统LSI是将单一的SoC（System on Chip）集成到一个芯片中。2、Sip封装类型：① 通过引线缝合的芯片叠层封装，② 充分利用倒装焊技术的3D封装。SiP系统级封装以其更小、薄、轻和更多功能的竞争力，为芯片和器件整合提供了新的可能性。甘肃IPM封装工艺

SiP并没有一定的结构形态，芯片的排列方式可为平面式2D装和立体式3D封装。甘肃IPM封装工艺

SMT生产工艺挑战：元件小型化，Chip元件逐步淘汰，随着产品集成化程度越来越高，产品小型化趋势不可避免，因此0201元件在芯片级制造领域受到微型化发展趋势，将被逐步淘汰。Chip元件普及，随着苹果i-watch的面世，SIP的空间设计受到挑战，伴随苹果，三星等移动设备的高标要求，01005 chip元件开始普遍应用在芯片级制造领域。Chip元件开始推广，SIP工艺的发展，要求元件板身必须小型化，随着集成的功能越来越多，PCB承载的功能将逐步转移到SIP芯片上，这就要求SIP在满足功能的前提下，还能降尺寸控制在合理范围，由此催生出0201元件的推广与应用。甘肃IPM封装工艺