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    DS2782美信电量计芯片IICSTM32/STM8/51单片机C代码DS2782测量可充电锂离子和锂离子聚合物电池的电压、温度和电流，并估算其可用电量。电量计算所需的电池特性参数和应用参数存储在片内EEPROM中。通过可用电量寄存器，向主系统报告在当前的温度、放电速率、存储电荷和应用参数下，可供系统使用的电荷量的一个保守估计。估计电量以剩余mAh数和满容量的百分比的形式报告。MAX4699ETE+MAX20087ATPA/VY+DS8500-JND+MAX20088ATPA/VY+MAX20412AJD/VDS4832T+TMAXQ1744DS4830AT+TMAX17113ETL+MAX9880AETM+MAX2142GM/VMAX2142GM/VMAX96912EGTM/VYMAX96755RGTN/VMAX14819AATMMAX2137ETN/VMAX96934DGGE/VMAX35103EHJMAX14803CCM+MAX4968AECM+MAX5452EUB+TDS3502U+T&。 在某些特殊应用中，二极管还可以作为光电器件使用。PDTD143XTVL

    二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件[1]。二极管有两个电极，正极，又叫阳极；负极，又叫阴极，给二极管两极间加上正向电压时，二极管导通，加上反向电压时，二极管截止。二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开[2]。二极管具有单向导电性能，导通时电流方向是由阳极通过管子流向阴极。二极管是一开始诞生的半导体器件之一，其应用非常多。特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能[3]。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中，都可以找到二极管的踪迹。 BAS40-06W二极管的重要部分是PN结，它决定了二极管的导电特性。

    开关二极管工作特性：开关二极管从截止（高阻状态）到导通（低阻状态）的时间叫开通时间；从导通到截止的时间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间，故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。开关二极管的开关速度是相当快的，像硅开关二极管的反向恢复时间只有几纳秒，即使是锗开关二极管，也不过几百纳秒。开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点，广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。

    随着科技的飞速发展，半导体技术已经深入到我们生活的方方面面，其中二极管作为一开始诞生的半导体器件之一，扮演着举足轻重的角色。它的应用范围普遍，无论是在各种电子电路中，还是在日常的收音机、家用电器和工业控制电路中，都可以找到它的踪迹。二极管是一种由半导体材料（如硅、硒、锗等）制成的电子器件，具有两个电极，正极和负极。当在二极管的两极间加上正向电压时，二极管导通，电流可以从阳极流向阴极；而在加上反向电压时，二极管截止，电流无法通过。这一特性使得二极管在电路中可以起到开关的作用，控制电流的通断。在电路中，二极管常被用作整流器，将交流电转换为直流电。

    二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种常见的电子器件。它有单向导电性，意思是如果给二极管阳极加上正向电压时，二极管导通。如果给阳极和阴极加上反向电压时，二极管阻断。因此，二极管的导通和阻断，就相当于开关的接通与断开。完全可以想象成电子版的逆止阀。二极管的作用它非常明显的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的一个方向流过。利用这个特性，二极管可以应用于开关电路、整流电路、限幅电路、检波电路、稳压电路、变容电路等各种调制电路。二极管通过控制电流的通断，实现了电子设备中的信号处理和逻辑运算。BC857A

二极管在半导体技术中占据重要地位，推动科技发展。PDTD143XTVL

    二极管特性参数：反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被**破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。 PDTD143XTVL