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场效应管具有输入阻抗高、低噪声等特点，因此经常作为多级放大电流的输入级，与三极管一样，根据输入、输出回路公共端选择不同，将场效应管放电电路分为共源、公漏、共栅三种状态，如下图是场效应管共源放大电路，其中：Rg是栅极电阻，将Rs压降加至栅极；Rd是漏极电阻，将漏极电流转换成漏极电压，并影响放大倍数Au；Rs是源极电阻，为栅极提供偏压；C3是旁路电容，消除Rs对交流信号的衰减。由于场效应管是电压型控制器件，它的栅极几乎不取电流，输入阻抗非常高，其实要想获得较大恒流输出，并且精度提高可以采取基准源与比较器结合方法来获得所需要的效果。盟科MK2301参数是可以替代SI2301的。中山中低功率场效应管出厂价

场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以用作可变电阻。场效应管可以方便地用作恒流源。场效应管可以用作电子开关。场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但普通运用时只需关注以下主要参数：饱和漏源电流IDSS夹断电压Up，（结型管和耗尽型绝缘栅管，或开启电压UT（加强型绝缘栅管）、跨导gm、漏源击穿电压BUDS、最大耗散功率PDSM和比较大漏源电流IDSM。中山中低功率场效应管出厂价当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。

场效应晶体管的优点：具有较高输入电阻高、输入电流低于零，几乎不要向信号源吸取电流，在在基极注入电流的大小，直接影响集电极电流的大小，利用输出电流控制输出电源的半导体。场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

    场效应管是场效应晶体管（FieldEffectTransistor，FET）的简称。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的。 盟科有SMD封装形式的场效应管。

腻流畅的磁性声，弹性十足震撼人心的低频轰炸声，别有一番霸道气势。在一般的设计中场效应管特长没有得到充分发挥，甚至认为声音偏冷、偏暗，其实这不是场效应管的原因。其声音不好，一方面是人们使用它直接代换晶体管，晶体管的线路是不能发挥出场效应管的特性的；另一方面，这些电路通常使用AB类的偏置。根据场效应管转移特性，在低偏置时具有严重的非线性，带来严重的失真，解决的办法是让其工作在A类状态，特别是单端A类，瞬态特性较好，音质纯美，偶次谐波丰富，音色悦耳动听，更具有电子管的醇美音**科MK3400参数是可以替代万代AO3400的参数。中山中低功率场效应管出厂价

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场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。中山中低功率场效应管出厂价

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