河北大功率射频功率放大器设计

时间:2022年06月18日 来源:

    显示单元404可用于显示由用户输入的信息或提供给用户的信息以及终端的各种图形用户接口,这些图形用户接口可以由图形、文本、图标、视频和其任意组合来构成。显示单元404可包括显示面板,可选的,可以采用液晶显示器(lcd,liquidcrystaldisplay)、有机发光二极管(oled,organiclight-emittingdiode)等形式来配置显示面板。进一步的,触敏表面可覆盖显示面板,当触敏表面检测到在其上或附近的触摸操作后,传送给处理器408以确定触摸事件的类型,随后处理器408根据触摸事件的类型在显示面板上提供相应的视觉输出。虽然在图4中,触敏表面与显示面板是作为两个的部件来实现输入和输入功能,但是在某些实施例中,可以将触敏表面与显示面板集成而实现输入和输出功能。移动终端还可包括至少一种传感器405,比如光传感器、运动传感器以及其他传感器。具体地,光传感器可包括环境光传感器及接近传感器,其中,环境光传感器可根据环境光线的明暗来调节显示面板的亮度,接近传感器可在终端移动到耳边时,关闭显示面板和/或背光。作为运动传感器的一种,重力加速度传感器可检测各个方向上(一般为三轴)加速度的大小,静止时可检测出重力的大小及方向,可用于识别手机姿态的应用。微波固态功率放大器的电路设计应尽可能合理简化。河北大功率射频功率放大器设计

    显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。本申请实施例提供一种移动终端射频功率放大器检测方法及装置。本申请实施例的移动终端可以为手机、平板电脑、笔记本电脑等设备。以下分别进行详细说明。需说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例推荐顺序的限定。一种移动终端射频功率放大器检测方法,包括:预设射频功率放大器的配置状态电阻值,计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值,比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值,所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值不相等,开启所述射频功率放大器,所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值相等,所述射频功率放大器配置完成。如图1所示,该方法的具体流程可以如下:101、预设射频功率放大器的配置状态电阻值。例如,移动终端在连接一个频段时,需要启动该频段所对应的射频功率放大器。根据移动终端所切换的频段,预设该频段对应的射频功率放大器的配置状态。河北大功率射频功率放大器设计微波功率放大器(PA)是微波通信系统、广播电视发射、雷达、导航系统的部件之一。

    RF)微波和毫米波应用,设计和开发高性能集成电路、模块和子系统。这些应用包括蜂窝、光纤和卫星通信,以及医学及科学成像、工业仪表、航空航天和防务电子。凭借近30年的经验和创新实践,Hittite在模拟、数字和混合信号半导体技术领域有着深厚的积淀,从器件级到完整子系统的设计和装配,覆盖面十分。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.(ADI)收购合并。但笔者还是更喜欢Hittite作为射频微波器件的名称,所以暂不更改称呼^_^。笔者本人并没用用过Hittite的WiFiPA,倒是用过其他频段GainBlock和PA,查找其官方网站,似乎也只有一款PA适用于WiFi行业,HMC408,其性能如下。MicrochipMicrochip(2010年收购了SST)是全球的单片机和模拟半导体供应商,为全球数以千计的消费类产品提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的产品上市时间。Mircrochip的WiFiPA常见于Mediatek(Ralink)的参考设计。

    Microsemi的产品包括元器件和集成电路解决方案等,可通过改善性能和可靠性、优化电池、减小尺寸和保护电路而增强客户的设计能力。Microsemi公司所服务的主要市场包括植入式医疗机构、防御/航空和卫星、笔记本电脑、监视器和液晶电视、汽车和移动通信等应用领域。Microsemi在发展过程中收购了多家公司,包括熟知的Actel,Zarlink,Vitesee。Microsemi的WiFiPA产品线型号较多,也多次出现在Atheros早期的参考设计中,近期的参考设计就很少出现了。MicrosemiWiFiFrontendModulePartNumberFreq(GHz)Vin(V)Iq(mA)PALNASwitchGainPout(dBM)Pout(dBM)GainNoiseIP3(dB)@3%EVM@(dB)(dB)(dBM)LX5541LL902719N/A1325NoLX5543LU822517N/AN/AN/AN/ASP3TLX5551LQ902618N/AN/AN/AN/ASPDTLX5552LU802617N/A25SPDTLX5553LU822517N/A135SP3TLX5586ALLSPDTLX5586HLLSPDTMicrosemiWiFi***/NFreqGainVinPout(dBM)Pout(dBM)Currentat(GHz)(dB)(V)@3%EVM@3%EVM(mA)LX5511LQ2620N/A170LX5514LL2820N/A145LX5535LQ32–522N/A275LX5518LQ32–526N/A390LX5530LQ528–523NA360LX5531LQ532–52523350如果没记错的话,LX5511+LX5530出现在AtherosAP96低功率版本参考设计中。射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分,其重要性不言而喻。

    gr为基站的接收机天线增益,单位为分贝;rs为接收机灵敏度,是在可接受的信噪比(signaltonoiseratio,snr)情况下,系统能探测到的小的射频信号。rs的计算可以参见公式(3):rs=-174dbm/hz+nf+10logb+snrmin(3);其中,-174dbm/hz为热噪声底限;nf为全部接收机噪声,单位为分贝;b为接收机整体带宽,snrmin则为小信噪比。一般来说,射频功率放大器电路存在高功率模式(非负增益),率模式(非负增益)和低功率模式(负增益)这三种模式。由于射频收发器的线性功率输出范围为-35dbm~0dbm,因此,若超出这一范围,信号将产生非线性。当射频功率放大器电路工作在高功率模式时,需要射频功率放大器电路的饱和功率为,此时信号将产生非线性,其功率需要小于,此时射频功率放大器电路的线性增益为30db,因此,其线性输出功率范围为:-5dbm~。当射频功率放大器电路工作在率模式时,需要射频功率放大器电路的饱和功率为20dbm,此时信号将产生非线性,其功率需要小于10dbm才能实现线性输出,此时射频功率放大器电路的线性增益为15db,因此,其线性输出功率范围为:-20dbm~10dbm。当射频功率放大器电路工作在低功率模式(负增益)时,需要射频功率放大器电路的饱和功率为5dbm。功率放大器一般可分为A、AB、B、c、D、E、F类。河北大功率射频功率放大器设计

功率放大器线性化技术一一功率回退、前馈、反馈、预失真,出于射频 预失真结构简单、易于集成和实现等优点。河北大功率射频功率放大器设计

抢占基于硅LDMOS技术的基站PA市场。对于既定功率水平,GaN具有体积小的优势。有了更小的器件,则可以减小器件电容,从而使得较高带宽系统的设计变得更加轻松。氮化镓基MIMO天线功耗可降低40%。下图展示的是锗化硅和氮化镓的毫米波5G基站MIMO天线方案,左侧展示的是锗化硅基MIMO天线,它有1024个元件,裸片面积是4096平方毫米,辐射功率是65dbm,与之形成鲜明对比的,是右侧氮化镓基MIMO天线,尽管价格较高,但功耗降低了40%,裸片面积减少94%。GaN适用于大规模MIMO。GaN芯片每年在功率密度和封装方面都会取得飞跃,能比较好的适用于大规模MIMO技术。当前的基站技术涉及具有多达8个天线的MIMO配置,以通过简单的波束形成算法来控制信号,但是大规模MIMO可能需要利用数百个天线来实现5G所需要的数据速率和频谱效率。大规模MIMO中使用的耗电量大的有源电子扫描阵列(AESA),需要单独的PA来驱动每个天线元件,这将带来的尺寸、重量、功率密度和成本(SWaP-C)挑战。这将始终涉及能够满足64个元件和超出MIMO阵列的功率、线性、热管理和尺寸要求,且在每个发射/接收(T/R)模块上偏差小的射频PA。MIMOPA年复合增长率将达到135%。预计2022年。河北大功率射频功率放大器设计

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