吉林真空镀膜设备研发工作

【真空蒸镀的历史】：1857年Michael FaradayZui早提出基本原理，而后、1930年代由于油扩散式真空泵实用化、蒸镀主要用于制作镜片防反射膜。第二次世界大战时，其他的光学机器对材料的需求提高，真空蒸镀也因此快速发展。 【真空蒸镀的原理】：在真空状态下，加热蒸发容器中的靶材，使其原子或分子逸出，沉积在目标物体表面，形成固态薄膜。依蒸镀材料、基板的种类可分为:抵抗加热、电子束、高周波 诱导、雷射等加热方式。蒸镀材料有铝、亚铅、金、银、白金、镍等金属材料与可产生光学特性薄膜的材料，主要有使用SiO2、TiO2、ZrO2、MgF2 等氧化物与氟化物。蒸镀除金属外，树脂与玻璃也可以使用、近年来连纸也变成可蒸镀。 【蒸发镀膜的优缺点】： 优点：设备简单、容易操作；成膜的速率快，效率高。 缺点：薄膜的厚度均匀性不易控制，蒸发容器有污染的隐患，工艺重复性不好，附着力不高。 真空镀膜设备详细镀膜方法。吉林真空镀膜设备研发工作

【真空镀膜设备之涡轮分子泵】： 涡轮分子泵：涡轮分子泵是利用高速旋转的动叶轮将动量传给气体分子，使气体产生定向流动而抽气的真空泵。主要用于高真空或超高真空，属于干泵，极限真空10&7~10&8Torr，烘烤后可到10&10Torr，抽速可从50L/S~3500L/S。分子泵是靠高速转动的涡轮转子携带气体分子而获得高真空、超高真空的一种机械真空泵。泵的转速为10000转/分到50000转/分，这种泵的抽速范围很宽，但不能直接对大气排气，需要配置前级泵。分子泵抽速与被抽气体的种类有关，如对氢的抽速比对空气的抽速大20%。 吉林真空镀膜设备研发工作真空镀膜设备产业集群。

【离子镀膜法之活性反应蒸镀法】： 活性反应蒸镀法(ABE):利用电子束加热使膜材气化；依靠正偏置探极和电子束间的低压等离子体辉光放电或二次电子使充入的氧气、氮气、乙炔等反应气体离化。这种方法的特点是：基板温升小，要对基板加热，蒸镀效率高，能获得三氧化铝( AL2O3)、氮化钛(TiN)、碳化钛(TiC)等薄膜；可用于镀机械制品、电子器件、装饰品。 【离子镀膜法之空心阴极离子镀(HCD)】： 空心阴极离子镀(HCD):利用等离子电子束加热使膜材气化；依靠低压大电流的电子束碰撞使充入的气体Ar或其它惰性气体、反应气体离化。这种方法的特点是：基板温升小，要对基板加热，离化率高，电子束斑较大，能镀金属膜、介质膜、化合物膜；可用于镀装饰镀层、机械制品。

【真空镀膜之真空的概念】： “真空”是指在给定空间内低于一个大气压力的气体状态，也就是该空间内气体分子密度低于该地区大气压的气体分子密度。不同的真空状态，就意味着该空间具有不同的分子密度。在标准状态（STP：即0℃，101325Pa，也就是1标准大气压，760Torr）下，气体的分子密度为2.68E24/m3，而在真空度为1.33E&4 Pa（1E&6Torr）时，气体的分子密度只有3.24E16/m3。完全没有气体的空间状态为Jue对真空。Jue对真空实际上是不存在的。溅射类镀膜是利用电子或高能激光轰击靶材，使表面组分以原子团或离子形式溅射出来沉积在基片表面形成薄膜。

【光学薄膜理论基础】： 光学薄膜基本上是借由干涉作用而达到效果的。是在光学元件上或独li的基板上镀一层或多层的介电质膜或金属膜或介电质膜或介电质膜与金属膜组成的膜堆来改变广播传到的特性。因此波在薄膜中行进才会发生投射、反射、吸收、散射、相位偏移等变化。 光波经过薄膜后在光谱上会起变化，因此这些变化会使得光学薄膜至少具有下列功能： &反射的提高或穿透的降低 &反射的降低或穿透的提高 &双色、偏极光的分光作用 &光谱带通或戒指等滤光作用 &辐射器之光通量调整 &光电资讯的储存及输入广东真空镀膜设备厂家。吉林真空镀膜设备研发工作

真空镀膜设备的应用。吉林真空镀膜设备研发工作

【近些年来出现的新的镀膜方法】： 除蒸发法和溅射法外，人们又综合了这两种方法的优缺点，取长补短，发展出一些新的方法，如：等离子体束溅射等。这种崭新的技术结合了蒸发镀的高效和溅射镀的高性能特点，特别在多元合金以及磁性薄膜的制备方面，具有其它手段无可比拟的优点。高效率等离子体溅射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))实际上是由利用射频功率产生的等离子体聚束线圈、偏压电源组成的一个溅射镀膜系统。这种离子体源装置在真空室的侧面。如图1所示。图2为实际的镀膜机照片。该等离子体束在电磁场的作用下被引导到靶上，在靶的表面形成高密度等离子体。同时靶连接有DC/RF偏压电源，从而实现高效可控的等离子体溅射。等离子体发生装置与真空室的分离设计是实现溅射工艺参数宽范围可控的关键，而这种广阔的可控性使得特定的应用能确定工艺参数Zui优化。 与通常的磁控溅射相比，由于磁控靶磁场的存在而在靶材表面形成刻蚀环不同，HiTUS系统由于取消了靶材背面的磁铁，从而能对靶的材料实现全mian积均匀。 吉林真空镀膜设备研发工作

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