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闪存参考单元的隧穿氧化层103中会捕获一些主要从生产工艺带来的浅能级的空穴，在浮栅里面会注入所需要的电子。编译过程中浮栅104可以捕获电子，擦除过程中隧穿氧化层103会捕获空穴；在经过多次的编译以及擦除后，会在浮栅104中有更多的电子，隧穿氧化层103中有更多的空**7中经编译和擦除循环后电子空穴的净值(差值)与未经编译和擦除循环的电子空穴的净值(差值)相等，从而保证闪存参考单元编译和擦除循环后的输出电流与编译和擦除循环前的输出电流是相等的。擦除过程中隧穿氧化层捕获的空穴为深能级的空穴，这些深能级的空穴不容易移动，而在浮栅里面捕获的电子比较活跃，在htol测试过程中高温下会比较容易丢失，从而补偿了闪存参考单元从生产工艺带来的浅能级的空穴在htol测试过程中的丢失。TH801智能老化系统，方便灵活配置芯片状态、施加信号，提高HTOLdebug及Setup效率。国产HTOL测试机专卖店

    进一步的，对所述闪存参考单元进行编译，包括：在所述源极上施加***编程电压，在所述漏极上施加第二编程电压，在所述控制栅上施加第三编程电压，在所述衬底上施加第四编程电压；其中，所述***编程电压小于所述第二编程电压；所述第二编程电压小于所述第三编程电压。进一步的，所述***编程电压的范围为～0v,所述第二编程电压的范围为～，所述第三编程电压的范围为8v～10v,所述第四编程电压的范围为～-1v。进一步的，编译过程中的脉冲宽度为100μs～150μs。进一步的，对所述闪存参考单元进行擦除，包括：将所述源极和漏极均悬空，在所述控制栅上施加***擦除电压，在所述衬底上施加第二擦除电压；其中，所述***擦除电压为负电压，所述第二擦除电压为正电压。进一步的，所述***擦除电压的范围为-10v～-8v，所述第二擦除电压的范围为8v～10v。进一步的，擦除过程中的脉冲宽度为10ms～20ms。进一步的，对所述闪存参考单元进行编译和擦除，循环次数为10次～20次。进一步的，对所述闪存进行htol测试包括：对所述闪存依次进行***时间点读点、第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。

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    那么IC在使用期的寿命测试中的HTOL是什么呢？使用期的寿命测试又包含高温工作寿命（HTOL）和低温工作寿命（LTOL），对于亚微米级尺寸的器件，热载流子效应对于器件寿命有着***的影响，低温工作时相对比较苛刻，所以像存储器、处理器等纳米级别工艺的产品通常需要进行低温工作寿命测试。而对于。进行HTOL（HighTemperatureOperationLife）测试的目的就是为了确定长时间的电气偏差和温度对器件的影响，评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力，也就是在正常工作的寿命期间潜在的固有故障被加速，这样就可以在相对比较短的时间内模拟出产品的正常使用寿命。HTOL是在产品放行和批量生产前进行评估，对应浴缸曲线曲线的UsefulLife期，通常是抽样进行的。此外，HTOL还可以用于可靠性监控以及对存在潜在缺陷的产品进行风险评估。

    htonl()简述：将主机的无符号长整形数转换成网络字节顺序。#include<arpa/(uint32_thostlong);hostlong：主机字节顺序表达的32位数。注释：本函数将一个32位数从主机字节顺序转换成网络字节顺序。返回值：htonl()返回一个网络字节顺序的值。参见：htons(),ntohl(),ntohs().在Linux系统下：#include<arpa/(uint32_thostlong);相关函数：uint16_thtons(uint16_thostshort);uint32_tntohl(uint32_tnetlong);uint16_tntohs(uint16_tnetshort);网际协议在处理这些多字节整数时，使用大端字节序。在主机本身就使用大端字节序时，这些函数通常被定义为空宏。————————————————版权声明：本文为CSDN博主「gocpplua」的原创文章，遵循，转载请附上原文出处链接及本声明。 上海顶策科技有限公司可靠性测试部，提供芯片可靠性测试整体解决方案。

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