EVG720纳米压印

纳米压印光刻（NIL）技术

EVG是纳米压印光刻（NIL）设备和集成工艺的市场**供应商。EVG从19年前的研究方法中率先并掌握了NIL，并实现了从2英寸化合物半导体晶圆到300 mm晶圆甚至大面积面板的各种尺寸基板的批量生产。NIL是产生纳米尺度分辨率图案的**有前途且相当有成本效益的工艺，可用于生物MEMS，微流体，电子学以及**近各种衍射光学元件的各种商业应用。

其中EVG紫外光纳米压印系统型号包含：

EVG®610

EVG®620NT

EVG®6200NT

EVG®720

EVG®7200

EVG®7200LA

HERCULES®NIL

EVG®770

IQAligner®

热压纳米压抑系统型号包含：

EVG®510HE

EVG®520HE

详细的参数，请联系我们岱美有限公司。

分步重复刻印通常用于高 效地制造晶圆级光学器件制造或EVG的Smart NIL工艺所需的母版。EVG720纳米压印

NIL已被证明是在大面积上实现纳米级图案的相当有成本效益的方法，因为它不受光学光刻所需的复杂光学器件的限制，并且它可以为极小尺寸（小于100分）提供比较好图案保真度nm）结构。

EVG的SmartNIL是基于紫外线曝光的全场压印技术，可提供功能强大的下一代光刻技术，几乎具有无限的结构尺寸和几何形状功能。由于SmartNIL集成了多次使用的软标记处理功能，因此还可以实现****的吞吐量，并具有显着的拥有成本优势，同时保留了可扩展性和易于维护的操作。另外，主模板的寿命延长到与用于光刻的掩模相当的时间。

新应用程序的开发通常与设备功能的提高紧密相关。 EVG720纳米压印SmartNIL 非常适合对具有复杂纳米结构微流控芯片进行高精度图案化，用在下一代药 物研究和医学诊断设备生产。

关于WaveOptics       

      WaveOptics是衍射波导的全球**设计商和制造商，衍射波导是可穿戴AR设备中的关键光学组件。

      诸如智能眼镜之类的AR可穿戴设备使用户能够观看覆盖在现实世界之上的数字图像。有两个关键元素可让您看到这些图像-微型投影仪之类的光源，以及将图像从投影仪传递到用户眼睛中的一种方式。

WaveOptics的波导技术可传输来自光源的光波并将其投射到用户的眼睛中。该技术可产生大的眼框，双目观察和高视野。眼图框（查看窗口）是从中可以看到完整图像的AR显示器的尺寸-请参见下图。WaveOptics的波导提供清晰，无失真的文本以及稳定的图像。

      WaveOptics技术旨在用于工业，企业和消费者市场的沉浸式AR体验。该公司的目标是，凭借其独特的技术和专业知识，其波导将成为所有AR可穿戴设备中使用的he心光学组件，以实现****的制造可扩展性和视觉性能，并为众多应用提供多功能性。

纳米压印光刻（NIL） -SmartNIL ®

用于大批量生产的大面积软UV纳米压印光刻工艺

介绍：

EVG是纳米压印光刻（NIL）的市场**设备供应商。EVG开拓了这种非常规光刻技术多年，掌握了NIL并已在不断增长的基板尺寸上实现了批量生产。EVG的专有SmartNIL技术通过多年的研究，开发和现场经验进行了优化，以解决常规光刻无法满足的纳米图案要求。SmartNIL可以提供低至40 nm或更小的出色的共形烙印结果。

如果要获得详细信息，请联系我们岱美仪器技术服务有限公司或者访问官网。

EVG紫外光纳米压印系统还有：EVG®7200LA，HERCULES®NIL，EVG®770，IQAligner®等。

    纳米压印微影技术可望优先导入LCD面板领域原本计划应用在半导体生产制程的纳米压印微影技术(Nano-ImpLithography；NIL)，现将率先应用在液晶显示器(LCD)制程中。NIL为次世代图样形成技术。据ETNews报导，南韩显示器面板企业LCD制程研发小组，未确认NIL设备实际图样形成能力，直接参访海外NIL设备厂。该制程研发小组透露，若引进相关设备，将可提升面板性能。并已展开具体供货协商。NIL是以刻印图样的压印机，像盖章般在玻璃基板上形成图样的制程。在基板上涂布UV感光液后，再以压印机接触施加压力，印出面板图样。之后再经过蚀刻制程形成图样。NIL可在LCD玻璃基板上刻印出偏光图样，不需再另外贴附偏光薄膜。虽然在面板制程中需增加NIL、蚀刻制程，但省落偏光膜贴附制程，可维持同样的生产成本。偏光膜会吸收部分光线降低亮度。若在玻璃基板上直接形成偏光图样，将不会发生降低亮度的情况。通常面板分辨率越高，因配线较多，较难确保开口率(ApertureRatio)。IQ Aligner UV-NIL是自动化紫外线纳米压印光刻系统，是用于晶圆级透镜成型和堆叠的高精度UV压印的系统。EVG720纳米压印

步进重复纳米压印光刻可以从比较大50 mm x 50 mm的小模具到比较大300 mm基板尺寸的大面积均匀复制模板。EVG720纳米压印

    具体说来就是，MOSFET能够有效地产生电流流动，因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平（硅中掺杂以带来或正或负的电荷），以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅（SiO2）衬底上，然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控，掺杂有时会泄到别的不需要的地方，那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域，并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手（包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等），开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。研究人员通过电子束光刻工艺在表面上形成定制形状和塑形，从而带来更加“物理可控”的生产过程。（来自网络。EVG720纳米压印