浙江定制开发射频功率放大器批发

    用于放大所述级间匹配电路输出的信号；所述输出匹配电路，用于使所述射频功率放大器电路和后级电路之间阻抗匹配。本申请实施例中，通过射频功率放大器电路中的可控衰减电路、反馈电路、驱动放大电路、功率放大电路等电路对输入信号进行处理，实现射频功率放大器电路的负增益模式与非负增益模式之间的切换，电路结构简单，能有效的降低硬件成本。附图说明图1a为本发明实施例提供的相关技术中射频功率放大器电路的组成结构示意图；图1b为本发明实施例提供的相关技术中射频功率放大器电路的电路结构示意图；图2a为本发明实施例提供的射频功率放大器电路的组成结构示意图；图2b为本发明实施例提供的射频功率放大器电路的电路结构示意图图3为本发明实施例提供的可控衰减电路的示意图；图4为本发明实施例提供的可控衰减电路的示意图；图5a为本发明实施例提供的可控衰减电路和输入匹配电路的示意图；图5b为本发明实施例提供的可控衰减电路和输入匹配电路的示意图；图6为本发明实施例提供的反馈电路的示意图；图7为本发明实施例提供的偏置电路的示意图；图8为本发明实施例提供的可控衰减电路的等效示意图；图9为本发明实施例提供的可控衰减电路的的示意图。随着无线通信/雷达通信系统的发展对固态功率放大器提出了新 的要求：大功率输出、高效率、高线性度、高频率.浙江定制开发射频功率放大器批发

    第三变压器t02、第四变压器t04和电容c16构成一个匹配网络。第三变压器t02的原边连接有电容c07，第四变压器t04的原边连接有电容c14。第三变压器t02的副边连接射频输出端rfout，第四变压器t04的副边接地。每个主体电路中的激励放大器包括2个共源共栅放大器。如图3所示，主体电路的激励放大器中，nmos管mn01和nmos管mn03构成一个共源共栅放大器，nmos管mn02和nmos管mn04构成一个共源共栅放大器；第二主体电路的激励放大器中，nmos管mn09和nmos管mn11构成一个共源共栅放大器，nmos管mn10和nmos管mn12构成一个共源共栅放大器。在主体电路中，激励放大器源放大器的栅极与变压器的副边连接，激励放大器栅放大器的漏极通过电容与功率放大器的输入端连接。如图3所示，nmos管mn01的栅极和nmos管mn02的栅极分别与变压器t01的副边连接，nmos管mn03的漏极连接电容c04，nmos管mn04的漏极连接电容c05。nmos管mn03的漏极和nmos管mn04的漏极为主体电路中激励放大器的输出端。在第二主体电路中，激励放大器中源放大器的栅极与第二变压器的副边连接，激励放大器栅放大器的漏极通过电容与功率放大器的输入端连接。如图3所示，nmos管mn09的栅极和nmos管mn10的栅极分别与变压器t01的副边连接。重庆L波段射频功率放大器哪家好输出匹配电路确定后功率放大器的输出功率及效率也基本确定了但它 的增益平坦度并不一定满足技术指标的要求。

    gate)电压偏置电路由内部电压源vg、r8、r9和c13按照图7所示连接而成。r8、r9和c13组成的t型网络，起到隔离t3栅极较弱射频电压摆幅的作用。在实际模拟电路中设计电压源，可将vg电压分成多个档位，通过数字寄存器(属于微控制器)控制切换vg档位，达到t3栅极电压切换的效果。其中，t4和t5组成的叠管结构，与t2和t3组成的叠管结构，是一样的。t2和t3和器件尺寸一样，t4和t5和器件尺寸一样。t2(t3)：t4(t5)的器件尺寸之比是2:5的关系。比如：t2和t3的mos管的沟道宽度为2mm左右，t4和t5的mos管的沟道宽度为5mm。则在非负增益模式下：vcc＝，t2的偏置电流ib＝12ma左右，t4的偏置电流ib＝45ma左右，t3管和t5管的vg＝。在负增益模式下：vcc＝，t2的偏置电流ib＝2ma左右；t4的偏置电流ib＝6ma左右；t3管和t5管的vg＝。在本申请文件实施例提供的射频功率放大器电路中，为了说明输入匹配的可控衰减电路设计，对级间匹配电路进行了简化处理，实际的级间匹配电路是一个较为复杂的lccl网络。级间匹配电路中的c7的电容数值较大，c7使r6在射频频率上并联接地。需要注意的是，在本申请实施例中，匹配这个概念针对的是射频信号，c7表示射频的短路，可在射频等效电路中省去。此外。

抢占基于硅LDMOS技术的基站PA市场。对于既定功率水平，GaN具有体积小的优势。有了更小的器件，则可以减小器件电容，从而使得较高带宽系统的设计变得更加轻松。氮化镓基MIMO天线功耗可降低40%。下图展示的是锗化硅和氮化镓的毫米波5G基站MIMO天线方案，左侧展示的是锗化硅基MIMO天线，它有1024个元件，裸片面积是4096平方毫米，辐射功率是65dbm，与之形成鲜明对比的，是右侧氮化镓基MIMO天线，尽管价格较高，但功耗降低了40%，裸片面积减少94%。GaN适用于大规模MIMO。GaN芯片每年在功率密度和封装方面都会取得飞跃，能比较好的适用于大规模MIMO技术。当前的基站技术涉及具有多达8个天线的MIMO配置，以通过简单的波束形成算法来控制信号，但是大规模MIMO可能需要利用数百个天线来实现5G所需要的数据速率和频谱效率。大规模MIMO中使用的耗电量大的有源电子扫描阵列（AESA），需要单独的PA来驱动每个天线元件，这将带来的尺寸、重量、功率密度和成本（SWaP-C）挑战。这将始终涉及能够满足64个元件和超出MIMO阵列的功率、线性、热管理和尺寸要求，且在每个发射/接收（T/R）模块上偏差小的射频PA。MIMOPA年复合增长率将达到135%。预计2022年。功率放大器一般可分为A、AB、B、c、D、E、F类。

    令rj为射频功率放大器检测模块的电阻值，rj＝vgpio*r0/(vdd-vgpio)；vgpio为处理器引脚的电压值，vdd为电源电压，r0为计算电阻的电阻值。计算电阻r0的电阻值已知，本申请对于计算电阻r0的电阻值的设置不作限定，计算电阻r0用于计算射频功率放大模块的电阻值。图2为本申请实施例提供的射频功率放大器检测电路的连接示意图。请参阅图2，以四个射频功率放大器并联为例，计算电阻201的一端与电源电压vdd相连，计算电阻201的另一端与射频功率放大器211、212、213和214并联而成的一端相连，射频功率放大器211、212、213和214并联而成的另一端与接地端相连，计算电阻201与射频功率放大器的连接之间设置处理器202。其中，在本申请实施例中，射频功率放大器211、212、213和214的电阻值分别设为r1、r2、r3和r4，射频功率放大器211、212、213和214各自的匹配电阻的电阻值分别为r11、r22、r33和r44。在移动终端进行频段切换前，设所有射频功率放大器的初始状态都是关闭的，即此时射频功率放大器的电阻值分别为r1、r2、r3和r4。当移动终端进行频段切换时，需要开启射频功率放大器211，则预设射频功率放大器的配置状态为射频功率放大器211开启，射频功率放大器212、213和214保持关闭。在所有微波发射系统中，都需要功率放大器将信号放大到足够的功 率电平，以实现信号的发射。浙江品质射频功率放大器设计

由于微波固态功率放大器输出功率较大，很小的功率泄漏都会对周围电路的 工作产生较大影响。浙江定制开发射频功率放大器批发

    包括但不限于全球移动通讯系统(gsm，globalsystemofmobilecommunication)、通用分组无线服务(gprs，generalpacketradioservice)、码分多址(cdma，codedivisionmultipleaccess)、宽带码分多址(wcdma，widebandcodedivisionmultipleaccess)、长期演进(lte，longtermevolution)、电子邮件、短消息服务(sms，shortmessagingservice)等。存储器402可用于存储软件程序以及模块，处理器408通过运行存储在存储器402的软件程序以及模块，从而执行各种功能应用以及数据处理。存储器402可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等；存储数据区可存储根据移动终端的使用所创建的数据(比如音频数据、电话本等)等。此外，存储器402可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。相应地，存储器402还可以包括存储器控制器，以提供处理器408和输入单元403对存储器402的访问。在本申请实施例中，存储器402用于存储射频功率放大器的初始状态电阻值，配置状态电阻值以及射频功率放大器检测模块的电阻值。浙江定制开发射频功率放大器批发

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