龙岗区短波射频功率放大器
微处理器通过控制vgg=,使得开关导通,可控衰减电路处于衰减状态,此时,一部分射频传导功率进入可控衰减电路变成热能消耗掉,另一部分射频传导功率进入可控衰减电路之后的电路,输入信号衰减,射频功率放大器电路实现非负增益模式。当开关关断时,电感用于匹配寄生电容,以减少对后级电路的影响,开关可等效为寄生电容coff,不需要考虑电阻,可控衰减电路等效为图8(a);当开关导通时,开关等效为寄生电阻ron,也不需要考虑电阻,可控衰减电路等效为图8(b),因为第二电阻和寄生电阻ron都很小,因此流入可控衰减电路的电流较大,该电路路消耗的功率较多,对输入信号的衰减作用也较强。其中,为了实现大程度的衰减,在非负增益模式下,应使可控衰减电路的电阻尽可能的小,可在可控衰减电路去掉第二电阻r2,通过寄生电阻ron来衰减输入信号。若可控衰减电路中没有第二电阻,当射频功率放大器电路的负增益大小确定时,开关的寄生电阻的大小也可确定。当开关导通时,开关工作在线性区,寄生电阻ron的大小满足公式:ron=1/(μ×cox×(w/l)×(vgs-vth)),其中,μ是电子迁移率,cox是单位面积的栅氧化层电容,w/l是开关t1的有效沟道长度的宽长比,vgs是栅源电压,vth是阈值电压。宽带放大器是指上限工作频率与下限工作频率之比甚大于1的放大电路。龙岗区短波射频功率放大器
第二端接地。可选的,所述子滤波电路包括:电容;所述电容的端与所述功率合成变压器的输入端以及所述功率放大单元的输出端耦接,第二端接地。可选的,所述子滤波电路还包括:电感;所述电感串联在所述电容的第二端与地之间。可选的,所述第二子滤波电路包括:第二电容;所述第二电容的端与所述功率合成变压器的第二输入端以及所述功率放大单元的第二输出端耦接,第二端接地。可选的,所述第二子滤波电路还包括:第二电感;所述第二电感串联在所述第二电容的第二端与地之间。可选的,所述输入端匹配滤波电路还包括:寄生电容;所述寄生电容耦接在所述功率放大单元的输出端与所述功率放大单元的第二输出端之间。可选的,所述输出端匹配滤波电路包括第三子滤波电路;所述第三子滤波电路的端与所述辅次级线圈的第二端耦接,第二端接地。可选的,所述第三子滤波电路包括:第三电容;所述第三电容的端与所述辅次级线圈的第二端耦接,第二端接地。可选的,所述第三子滤波电路还包括:第三电感;所述第三电感串联在所述第三电容的第二端与地之间。可选的,所述输出端匹配滤波电路还包括第四子滤波电路;所述第四子匹配滤波电路的端与所述主次级线圈的第二端耦接。深圳短波射频功率放大器功率放大器因此要尽量采用典型可 靠的电路、合理分配增益、减少放大器的级数,以降低故障概率。
第四mos管的漏级与第五mos管的源级连接,第四mos管的源级接地,第五mos管的栅级连接第九电容的端,第九电容的第二端接地。其中,第四mos管t4和第五mos管t5的器件尺寸一样,第二mos管t2与第四mos管t4的器件尺寸之比为2:5。在一个可能的示例中,输出匹配电路106包括:第四电感l4、第五电感l5、第十电容c10和第十一电容c11,其中:第四电感的端和第五电感的端连接第五mos管的漏级,第四电感的第二端连接第二电压信号,第十电容的端连接第二电压信号,第十电容的第二端接地,第五电感的第二端连接第十一电容的端,第十一电容的第二端接地,第十一电容两端的电压为输出电压。在一个可能的示例中,射频功率放大器电路还包括:偏置电路,用于响应于微处理器发出的第三控制信号,增加自身的漏级电流和自身的栅级电压,实现射频功率放大器电路处于非负增益模式;还用于响应于第四控制信号,降低自身的漏级电流和自身的栅级电压,实现射频功率放大器电路处于负增益模式;第二偏置电路,用于响应于微处理器发出的第五控制信号,增加自身的漏级电流和自身的栅级电压,实现射频功率放大器电路处于非负增益模式;还用于响应于第六控制信号,降低自身的漏级电流和自身的栅级电压。
射频前端集成电路领域,具体涉及一种高线性射频功率放大器。背景技术:射频功率放大器的主要参数是线性和效率。线性是表示射频功率放大器能否真实地放大信号的参数。诸如lte和,要求射频前端模块具有极高的线性度,射频功率放大器作为一个发射系统中的重要组成部分,对整个系统的线性度起着至关重要的作用。目前采用cmos器件的射频功率放大器适用于和其他通信部分电路做片上集成,但是难以严格地满足线性度需求。技术实现要素:为了解决相关技术中射频功率放大器的线性度难以满足需求的问题,本申请提供了一种高线性射频功率放大器。技术方案如下:一方面,本申请实施例提供了一种高线性射频功率放大器,包括功率放大器、激励放大器、匹配网络和自适应动态偏置电路,自适应动态偏置电路用于根据输入功率等级调节功率放大器的栅极偏置电压;功率放大器通过匹配网络和激励放大器连接射频输入端,功率放大器通过匹配网络连接射频输出端;自适应动态偏置电路的输入端连接射频输入端,自适应动态偏置电路的输出端连接功率放大器中的共源共栅放大器;其中,自适应动态偏置电路至少由若干个nmos、若干个pmos管、若干个电容和电阻组成。可选的。微波固态功率放大器的电路设计应尽可能合理简化。
能够快速设置各个射频功率放大器。本申请实施例提供的一种移动终端射频功率放大器检测方法,包括:预设射频功率放大器的配置状态电阻值;计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值;比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值;所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值不相等,开启所述射频功率放大器;所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值相等,所述射频功率放大器配置完成。可选的,在本申请的一些实施例中,所述预设射频功率放大器的配置状态电阻值,包括:所述配置状态电阻值包括开启状态的电阻值与关闭状态的电阻值;所述射频功率放大器设置匹配电阻;所述关闭状态的电阻值为所述射频功率放大器的电阻值;所述开启状态的电阻值为所述匹配电阻的电阻值。可选的,在本申请的一些实施例中,所述计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值,包括:rj=vgpio*r0/(vdd-vgpio);其中,rj为射频功率放大器检测模块的电阻值,vgpio为处理器引脚的电压值,vdd为电源电压,r0为计算电阻的电阻值。可选的,在本申请的一些实施例中,所述匹配电阻包括:不同的射频功率放大器设置不同的匹配电阻。微波固态功率放大器的工作状态主要由功率、效率、失真及被放大信号的性 质等要求来确定。韶关定制开发射频功率放大器
微波功率放大器的输出功率主要有两个指标:饱和输出功率;ldB压缩点输出功率。龙岗区短波射频功率放大器
第六电容的第二端连接第二开关的端,第二开关的第二端连接第五电阻的端,第五电阻的第二端连接第五电容的端,第五电容的第二端和第三电容的第二端连接第二电感的第二端;其中,第二开关,用于响应微处理器发出的第七控制信号使自身处于关断状态,以降低反馈深度,实现射频功率放大器电路处于非负增益模式;还用于响应第八控制信号使自身处于导通状态,以增加反馈深度,实现射频功率放大器电路处于负增益模式。需要说明的是,假设射频功率放大器电路在未加入反馈电路时的放大系数为a,反馈电路的反馈系数为f,则加入反馈电路后射频功率放大器电路100的放大系数af=a/(1+af),随着反馈电路中等效电阻阻值的降低,反馈系数f变大,反馈深度增加,放大系数af变小,有利于射频功率放大器电路实现负增益模式。其中,第四电阻的阻值大于第五电阻的阻值。第二开关响应微处理器发出的第七控制信号使自身处于关断状态,以降低反馈深度,从而使射频功率放大器电路实现非负增益模式;第二开关响应微处理器发出的第八控制信号使自身处于导通状态,以增加反馈深度,从而使射频功率放大器电路实现负增益模式。在一些实施例中,反馈电路还可如图6所示。龙岗区短波射频功率放大器
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