四川大功率射频功率放大器设计

时间:2022年07月08日 来源:

    用于使所述可控衰减电路和所述驱动放大电路之间阻抗匹配;所述驱动放大电路,用于放大所述输入匹配电路输出的信号;所述反馈电路,用于调节所述射频功率放大器电路的增益;所述级间匹配电路,用于使所述驱动放大电路和所述功率放大电路之间阻抗匹配;所述功率放大电路,用于放大所述级间匹配电路输出的信号;所述输出匹配电路,用于使所述射频功率放大器电路和后级电路之间阻抗匹配。本申请实施例提供一种增益控制方法,应用于上述的射频功率放大器电路,所述方法包括:终端中的微控制器通过通信模组接收到控制信息后,确定所述射频功率放大器电路的工作模式,并通过发送模式控制信号控制所述射频功率放大器电路进入所述工作模式;所述可控衰减电路,根据所述终端中微处理器发送的模式控制信号,实现射频功率放大器电路的负增益模式与非负增益模式之间的切换;所述输入匹配电路,用于使所述可控衰减电路和所述驱动放大电路之间阻抗匹配;所述驱动放大电路,用于放大所述输入匹配电路输出的信号;所述反馈电路,用于调节所述射频功率放大器电路的增益;所述级间匹配电路,用于使所述驱动放大电路和所述功率放大电路之间阻抗匹配;所述功率放大电路。输出匹配电路确定后功率放大器的输出功率及效率也基本确定了但它 的增益平坦度并不一定满足技术指标的要求。四川大功率射频功率放大器设计

    ProductGainLinearPowerVoltageFrequencySST12CP113425–5–SST12CP11C3725––SST12CP123425––SST12CP213725––SST12CP333925––SST12LP0729––SST12LP07A28––SST12LP07E3020––SST12LP083020––SST12LP08A29––SST12LP143020––SST12LP14A2921––SST12LP14C3220––SST12LP14E2319––SST12LP153523––SST12LP15A3222––SST12LP15B3222––SST12LP17A28––SST12LP17B2619––SST12LP17E2918––SST12LP18E2518––SST12LP19E25––SST12LP2030183––SST12LP222719––SST12LP252719––SST11CP15–––SST11CP15E26–29––SST11CP1630––SST11CP223120––SST11LP1228-3420––SST11LF043018––SST11LF052817––SST11LF082817––SST12LF012919––SST12LF0229––SST12LF0328193––SST12LF092417––不难看出,Microchip的WiFiPA以低功率为主,*在。不得不说,Mircochip的PA命名方式让笔者感到困惑,很难从型号本身猜到其性能指标。本文给出笔者曾经用过的SST12CP11的性能指标,如下图,还是很不错的。MicrosemiMicrosemiCorporation总部设于加利福尼亚州尔湾市,是一家的高性能模拟和混合信号集成电路及高可靠性半导体设计商、制造商和营销商。浙江有什么射频功率放大器检测技术谐波抑制,功率放大器的非线性特性使输出包含基波信号同时在各项谐波幅度大小与信号大小呈一定的比例关系。

    执行移动终端的各种功能和处理数据,从而对手机进行整体监控。可选的,处理器408可包括一个或多个处理;推荐的,处理器408可集成应用处理器和调制解调处理器,其中,应用处理器主要处理操作系统、用户界面和应用程序等,调制解调处理器主要处理无线通信。可以理解的是,上述调制解调处理器也可以不集成到处理器408中。移动终端还包括给各个部件供电的电源409(比如电池),推荐的,电源可以通过电源管理系统与处理器408逻辑相连,从而通过电源管理系统实现管理充电、放电、以及功耗管理等功能。电源409还可以包括一个或一个以上的直流或交流电源、再充电系统、电源故障检测电路、电源转换器或者逆变器、电源状态指示器等任意组件。尽管未示出,移动终端还可以包括摄像头、蓝牙模块等,在此不再赘述。具体在本实施例中,移动终端中的处理器408会按照如下的指令,将一个或一个以上的应用程序的进程对应的可执行文件加载到存储器402中,并由处理器408来运行存储在存储器402中的应用程序,从而实现各种功能:预设射频功率放大器的配置状态电阻值;计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值;比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值。

   第二端接地。可选的,所述子滤波电路包括:电容;所述电容的端与所述功率合成变压器的输入端以及所述功率放大单元的输出端耦接,第二端接地。可选的,所述子滤波电路还包括:电感;所述电感串联在所述电容的第二端与地之间。可选的,所述第二子滤波电路包括:第二电容;所述第二电容的端与所述功率合成变压器的第二输入端以及所述功率放大单元的第二输出端耦接,第二端接地。可选的,所述第二子滤波电路还包括:第二电感;所述第二电感串联在所述第二电容的第二端与地之间。可选的,所述输入端匹配滤波电路还包括:寄生电容;所述寄生电容耦接在所述功率放大单元的输出端与所述功率放大单元的第二输出端之间。可选的,所述输出端匹配滤波电路包括第三子滤波电路;所述第三子滤波电路的端与所述辅次级线圈的第二端耦接,第二端接地。可选的,所述第三子滤波电路包括:第三电容;所述第三电容的端与所述辅次级线圈的第二端耦接,第二端接地。可选的,所述第三子滤波电路还包括:第三电感;所述第三电感串联在所述第三电容的第二端与地之间。可选的,所述输出端匹配滤波电路还包括第四子滤波电路;所述第四子匹配滤波电路的端与所述主次级线圈的第二端耦接。功率放大器在无线通信系统中是一个不可缺少的重要组成部分通信体制的发展功率放大器进入了快速发展的阶段。

    图10为本发明实施例提供的可控衰减电路和输入匹配电路的示意图。具体实施方式对于窄带物联网(narrowbandinternetofthings,nb-iot)的终端(userequipment,ue)来说,射频前端系统中的射频功率放大器电路一般要求发射功率可调,当射频功率放大器电路之前射频收发器的输出动态范围有限时,就要求功率放大器增益高低可调节。在广域低功耗通信的应用场景中,对射频功率放大器电路的增益可调要求变得更突出,其动态范围要达到35~40db,并出现负增益的需求模式。例如,在窄带物联网通信对象之间距离近(nb-iot的终端距离基站很近)的情况下会出现负增益的需求。在应用中,一方面在射频功率放大器的电路设计中,可以降低功率增益,在不过度影响原有电路匹配的前提下,通过增强驱动级晶体管的负反馈;另一方面,可以在输入匹配电路中插入可控衰减电路的设计,这样对功率放大器的性能影响较小,降低增益的效果明显。下面介绍一种射频功率放大器电路,是在高增益模式的电路基础上,一般通过增强驱动级的负反馈来降低增益。图1a为相关技术中射频功率放大器电路的组成结构示意图,图1b为图1a的电路结构示意图,参见图1a和图1b,方案。丙类状态:在信号周期内存在工作电流的时间不到半个周期即导通角0 小于18度,丙类功放的优点是效率非常高。海南射频功率放大器价格

射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分。四川大功率射频功率放大器设计

    控制信号vgg通过电阻与开关连接,同时通过备用电阻与备用开关连接。备用电阻的参数与电阻的参数相同,二者都是作为上拉电阻给开关供电。备用开关的参数与开关的参数相同,开关和备用开关的寄生电阻皆为单开关的寄生电阻值ron的一半,因此双开关的整体寄生电阻值与单开关的寄生电阻值相同。开关和备用开关的控制逻辑相同:非负增益模式下,开关和备用开关同时关断;负增益模式下,开关和备用开关同时打开,不需要考虑电阻r1和备用电阻rn。其中,开关和备用开关均为n型mos管,其具体的类型可以是绝缘体上硅mos管,也可以是平面结构mos管。可见,在本申请实施例中,因为使用了叠管设计,将开关和备用开关叠加,使得mos管的耐压能力和静电释放能力提升,相对于单mos管,能在大电流下更好的保护开关和备用开关,使其不被损坏。在一个可能的示例中,输入匹配电路101包括第三电阻r3、电容c1和第二电感l2,第二电感的端连接第二电阻的第二端,第二电感的第二端连接电容的端,电容的第二端连接第三电阻的端。在图9中,假设输入端的输入阻抗zin=r0-jx0,可控衰减电路的等效阻抗为z20=r20+jx20,输入匹配电路的等效阻抗为z30=r30+jx30,为了实现z20和zin的共轭匹配。四川大功率射频功率放大器设计

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