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这款湘怡导电聚合物钽电容为25V耐压，100μF容量，型号为CA55-D025M107TE100，7343尺寸，D封装，ESR为100mΩ，满足USBPD20V电压输出使用，高频特性良好，适合用于二次降压输出滤波。湘怡较低ESR导电聚合物片式钽电容具有极低的等效串联电阻和较低的等效串联电感，可以用于更高频率的电路中滤波。具有相当的安全性，当意外击穿时不会发生燃烧爆燃，也就不会引发火灾和二次击穿效应。只需要10-20%的降额，即可用在开关电源电路中滤波，具有高安全性，失效率低。得益于极低的内阻，湘怡聚合物钽电容具有更强的纹波电流能力，工作时电容温升更低，在高纹波和大功率电路中，无需大幅度降额即可满足使用要求。为什么晶振的频率是32.768kHz？电容器厂的电话

a)赋能：通过电化学反应，制得五氧化二钽氧化膜，作为钽电容器的介质。b)氧化膜厚度：电压越高，氧化膜的厚度越厚，所以提高赋能电压，氧化膜的厚度增加，容量就下降c)氧化膜的颜色：不同的形成电压干涉出的氧化膜的颜色也不同，随着电压的升高，颜色呈周期性化。d)形成电压：经验公式（该公式只能在小范围内提高电压，如果电压提高的幅度很大，就不是很准确，要加保险系数）。C1.V1=C2.V2V2=C1.V1/C2C1------***次容量平均值;V1------***次形成电压(恒压电压);C2------要示的容量C2=KCR(K根据后道的容量收缩情况而定,可适时修改，一般情况下，容量小，后道容量损失较小，容量大，后道容量损失就大，低比容粉，容量损失较小，比容越高，后道容量损失就越大。通常，CR≤1UF，K=1.0；CR>1UF,K=1.04)电解电容器铝箔快充充电头为了消除充电头对智能手机主板电路的影响，钽电容是必备的元器件。

钽电容市场参与者少，在全球民用钽电容器市场中，国际厂商与国内厂商不存在太大的市场准入差异，而以美国Vishay、KEMET、AVX公司等国际钽电容器制造商，掌握和积累了钽电容器的技术和关键材料，并且拥有高精度、可控性强、生产效率高的生产设备，在产品种类、质量与新品开发等方面具有优势。2020年4月，京瓷公司（Kyocera）接受了所有有效投标且未有效撤回的AVX普通股的付款，成功完成对AVX的收购，同年7月国巨公司现金收购美国基美及其子公司。在经历快速发展后，钽电容市场已步入加速整合阶段，预计国际竞争力将进一步提升。

如果不分电路的回路阻抗类型,一概降额50%,在回路阻抗比较低的DC-DC电路,一开机就有可能瞬间出现击穿短路或现象.在此类电路中使用的电容器应该降额多少,一定要考虑到电路阻抗值的高低和输入输出功率的大小和电路中存在的交流纹波值的高低.因为电路阻抗高低可以决定开关瞬间浪涌幅度的大小。内阻越低的电路降额幅度就应该越多。对于降额幅度大小,切不可一概而论.必须经过精确的可靠性计算来确定降额幅度.4.5、用电压合适,但峰值输出电流过大。钽电容器在工作时可以安全承受的比较大直流电流冲击I,与产品自身等效串联电阻ESR及额定电压UR存在如下数学关系;I=UR/1+ESR如果一只容量偏低的钽电容器使用在峰值输出电流很大的电路,这只产品就有可能由于电流过载而烧毁.这非常容易理解.选择考虑因素设计师针对某个特定用途在选择电容器类型时，必须的因素有哪些呢？

4.6钽电容器一般可贮存14年以上（可焊接除外），但贮存2年以上或进行浸锡处理的钽电容器，在使用前比较好施加额定电压、电源内阻不大于3Ω（非固体钽需通过一个1100Ω（比较大）的电阻器）85℃老化4～8小时，并进行电性能测量（双极性产品应每小时换向一次，漏电流测量也应两个方向分别测量）。4.7电路的开或关，都会产生过渡状态下的瞬时电压，一般其值要大于工作电压，而且产生相应冲击电流。如果电源和负载的电阻均较小，这样瞬时电流值相当大，容易引起电解电容器氧化膜的损伤，特别固体钽电容器更为严重。因为固体钽电容器不耐大的冲击电流，容易在氧化膜的薄弱区域发热促使氧化膜晶化提早发生，并降低耐压能力。所以为提高使用寿命，电容器应避免发频繁的充、放电。4.8产品应避免超温使用。超温下会使材料的性能发改变，因产品用的各种材料热膨胀系数不同，可能产生内部应力而使产品失效；产品在高温下长时间贮存，产品可能产生内部应力导致失效。因此，产品必须在标准规定的温度范围内使用。钽电容器失效分析概述，欢迎查看。电力电容器用聚丙烯薄膜

被动元件供不应求，钽电容货期仍紧张？电容器厂的电话

4.1、固钽因“不断击穿”又“不断自愈”问题产生失效。在正常使用一段时间后常发生固钽密封口的焊锡融化，或见到炸开，焊锡乱飞到线路板上。分析原因是其工作时“击穿”又“自愈”，在反复进行，导致漏电流增加。这种短时间(ns～ms)的局部短路，又通过“自愈”后恢复工作。关于“自愈”。理想的Ta2O5介质氧化膜是连续性的和一致性的。加上电压或高温下工作时，由于Ta＋离子疵点的存在，导致缺陷微区的漏电流增加，温度可达到500℃～1000℃以上。这样高的温度使MnO2还原成低价的Mn3O4。有人测试出Mn3O4的电阻率要比MnO2高4～5个数量级。与Ta2O5介质氧化膜相紧密接触的Mn3O4就起到电隔离作用，防止Ta2O5介质氧化膜进一步破坏，这就是固钽的局部“自愈了”。但是，很可能在紧接着的再一次“击穿”的电压会比前一次的“击穿”电压要低一些。在每次击穿之后，其漏电流将有所增加，而且这种击穿电源可能产生达到安培级的电流。同时电容器本身的储存的能量也很大，导致电容器长久失效。电容器厂的电话

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