深圳知名瓷片电容要多少钱

瓷片电容以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器，外壳是陶瓷的，用来绝缘。又称圆片瓷介电容。

瓷片电容主要针对于高频，高压瓷片电容取决于你使用在什么场合，其中典型作用就是可以消除高频干扰。

瓷片电容的稳定性及容量精度与其采用的介质材料存在着对应关系，主要分为三大类别：

一、是以COG/NPO为I类介质的高频电容器，其温度系数为±30ppm/℃，瓷片电容量非常稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，主要应用于高频电子线路，如振荡计时电路等；其容量精度主要为±5%以及在容量低于10pF时，可选用B档(±0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档(±0.5pF)三种精度。 低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合。深圳知名瓷片电容要多少钱

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

按瓷介电容电介质又分:1类电介质(NP0,C0G),2类电介质(X7R,2X1)和3类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容器。EIA RS-198。

优点:稳定，绝缘性好，耐高压

缺点:容量比较小

广东直销瓷片电容点击了解更多电性能稳定，温度影响较小。

瓷片电容相对正式的称谓是圆片瓷介电容器，是用陶瓷粉模压成型，然后烧结而成。(陶瓷又分I类瓷，II类瓷，III类瓷)单片瓷，单层结构，一般纽扣大小，带两根引脚。正因为单层结构，瓷片电容器，一般容量不大，但电压高。陶瓷电容：用高介电常数的电容器陶瓷(钛酸钡一氧化钛)挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。独石电容和瓷片电容都属于陶瓷电容，陶瓷电容是总称。

高压瓷片电容相信接触过电容器的人都很熟悉，比较广泛应用在空调，冰箱等家用电器中，基本功能大家应该也有所了解，起到保护作用。高压瓷片电容器，就是以陶瓷材料为介质的电容器，其一个关键的性能就是耐压高，1KV，2KV、3KV，6KV等电压都很多见。瓷片电容突出优点是1、容量的消耗随热度频度具有很高的稳定性。2、额外的串联**符合于高电压及长远工作可靠性。3、高电流提高速率并实用于大电流闭合电路无感型构造。高压瓷片电容还适合用在高压旁路系统或功能有滤波、蓄能、隔离、阻抗变换等，所以很多厂家都用在电磁信号的接收中和扫描机中。深圳市芯通电子科技有限公司

电容器体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，不过容量不大，适用于高频电路。

高功率陶瓷电容主要为射频烘干机、印染整行业使用，为厂商打造优质放心的产品，高频陶瓷电容主分为三种：

第一种是圆盘型的超高压电容，螺钉类型，表示型号有PE100 14KV 600PF圆盘电容、PE140 15KV 1000PF圆盘电容、PEF220 20KV 2500PF圆盘电容、PD140 圆盘电容，CCG81-8 21KV 2000PF圆盘陶瓷电容；着重讲一下PEF220是STLAM德一斯达拉姆烘干机用的高功率陶瓷电容，采用优质独特的军工陶瓷材质，比较大电流在60A，铜螺纹M10标准的电力工业金属螺栓设计。

第二种是穿心电容（穿芯电容）类似于圆柱形，表示型号有840 10KV 2500PF穿心电容，DB030088 10KV 1000PF穿心电容，DB045155 14KV 1000PF穿心电容，DF030090 7KV 1200PF 穿心电容等；

金属化纸介电容器结构与纸介电容器基本相同。广东直销瓷片电容点击了解更多

要考虑到电容器的标称容量，允许误差、耐电压、漏电阻等技术参数。深圳知名瓷片电容要多少钱

先来介绍一下钽电容的特点所在吧。钽电容的特点是寿命长、耐高温、准确度高、滤高频改波性能极好。一般可以耐很高的温度和电压，常用于高频滤波。而陶瓷电容看起来有点像贴片电阻（因此有时候我们也称之为“贴片电容”），不过容量较小、价格也比铝电容贵，而且耐电压及电流能力相对较弱。

钽电容主要是满足电流低频的滤波和稳压作用，直立电容和贴片电容的区别 无论是插件还是贴片式的安装工艺，电容本身都是直立于PCB的，根本的区别方式是贴片工艺安装的电容，有黑色的橡胶底座。作用主要是去掉由芯片自身产生的各种高频信号对其他芯片的串扰，从而让各个芯片模块能够不受干扰的正常工作，在高频电子振荡线路中。

贴片钽电容与陶瓷电容相比，其表面均有电容容量和耐压标识，其表面颜色通常有黄色和黑色两种，譬如100-16即表示容量100μF，耐压16V，贴片式铝电解电容拥有比贴片式钽电容更大的容量，其多见于显卡上，容量在300μF~1500μF之间。

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