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晶振的更换判断出晶振有问题如何更换？首先频率要相同有没有误差呢？同电阻电容一样也有误差,一般用PPM，百万分之一，举例6Mhz+/-50PPM，频率范围在5999700-6000300内都是正常的，代换时如果电路对时间要求不是很严格，可以不用考虑这个问题。第二驱动功率有些IC驱动电压低，换用驱动功率高的晶体不易起振，有些起振后，幅度过低不稳定，比较好换驱动功率低的，容易起振电路稳定，之前曾遇到过这样的问题。有线线路一碰晶振，就停止振荡，怎么办？可以尝试把晶振外壳接地，或换有源晶振。有人会问无源晶振两只脚，有源晶振3只或许4只脚如何代换把有源有源晶振信号输出脚接CPU振荡信号输入脚，任何事情都有例外，有的CPU接振荡信号输出脚也可以，这都是本人亲身经历过的。第三温度系数，对于民用产品影响不大，可以不用考虑你知道晶振的主要参数以及工作原理吗？云南晶振符号
时钟线一定要走在多层PCB板的内层。并且一定要走带状线；如果要走在外层，只能走微带线。2）走在内层能保证完整的映像平面，它可以提供一个低阻抗射频传输路径，并产生磁通量，以抵消它们的源传输线的磁通量，源和返回路径的距离越近，则消磁就越好。由于增强了消磁能力，高密PCB板的每个完整平面映像层可提供6-8dB的抑制。3）时钟布多层板的好处：有一层或者多层可以专门用于完整的电源和地平面，可以设计成好的去藕系统，减小地环路的面积，降低了差模辐射，减小了EMI，减小了信号和电源返回路径的阻抗水平，可以保持全程走线阻抗的一致性，减小了邻近走线间的串扰等。浙江陶瓷晶振国产企业突破光刻技术，推进晶振产品向小型化、高精度趋势发展。
AT切型晶振缺陷：传统机械加工难以满足严格的公差要求。AT切割是目前使用量较大的石英晶体类型之一，常用于高频晶振。典型的超小型胚料尺寸小于3.5*0.63mm，加工难度大幅增加。大规模生产小型晶体时，需要将公差控制在2um以内，而传统机械加工难以满足严格的公差要求。超高频晶振缺陷：多次倍频导致相噪损失严重。晶振工作频率通常与晶片厚度成反比，传统机械加工适合的频率范围为1-40MHz（对应晶片厚度0.04mm）。以传统方式生产百MHz晶振需要将晶片加工至超薄，从而导致出现稳定性差及易破损的缺点。因此，生产百兆赫兹高频晶振通常采用10MHz成熟产品作为基准频率源，并经过多次倍频获得所需信号。但这样导致电路复杂，相噪损失严重。
芯片和晶振的材料是不同的，芯片(集成电路)的材料是硅，而晶体则是石英(二氧化硅)，没法做在一起，但是可以封装在一起，目前已经可以实现了，但是成本就比较高了。原因3、晶振一旦封装进芯片内部，频率也固定死了，想再更换频率的话，基本也是不可能的了，而放在外面,就可以自由的更换晶振来给芯片提供不同的频率。有人说，芯片内部有PLL，管它晶振频率是多少，用PLL倍频/分频不就可以了，那么这有回到成本的问题上来了，100M的晶振集成到芯片里,但我用不了那么高的频率，我只想用10M的频率，那我为何要去买你集成了100M晶振的芯片呢，又贵又浪费。如果使用内部RC振荡器而不使用外部晶振，请按照如下方法处理：1）对于100脚或144脚的产品，OSC_IN应接地，OSC_OUT应悬空。2）对于少于100脚的产品，有2种接法：i）OSC_IN和OSC_OUT分别通过10K电阻接地。此方法可提高EMC性能。ii）分别重映射OSC_IN和OSC_OUT至PD0和PD1，再配置PD0和PD1为推挽输出并输出0。此方法可以减小功耗并(相对上面i)节省2个外部电阻。多重市场拉动晶振需求 全球大厂加速扩产应对 国内厂商迎订单转移机遇。。
MEMS技术用于超小型音叉晶体，使体积压缩至原有产品1/10音叉谐振器包括底部和从底部延伸的两个振动臂，在两个振动臂上镀有激励电极（红色部分）。该常规结构的晶片微型化后，激励电极面积将随之减小，不利于起振。MEMS技术通过对振动片进行三维立体加工形成H型槽的构造，既确保了电极的面积，又提高了电解效率。MEMS技术有效推动晶体谐振器小型化发展，光刻加工下的晶振体积缩小至18.8mm3小型音叉型晶体器件，体积为原有产品1/10以下（3）MEMS技术用于AT型晶体/AT振荡器，将尺寸公差保持在1um以内利用MEMS技术的光刻加工可以提升石英晶体芯片的一致性与稳定性，光蚀刻工艺能够将尺寸公差保持在1um以内。光刻工艺首先使用电子束真空沉积系统将石英晶片化学蚀刻至预定频率，清洁并用铬和金薄膜金属化。石英掩模和双对准器光刻生成AT条带图案，其中晶片的顶部和底部表面同时对准和曝光。然后通过随后的光掩模步骤限定晶体电极和探针焊盘案。然后对晶片进行化学金属和石英蚀刻以形成单独的AT条带。然后，使用孔掩模和薄膜金属沉积将顶部和底部安装垫连接在一起。光刻工艺完成后，晶圆包含上百个单独的超小型AT晶体谐振器。晶振与匹配电容的经验总结。内蒙古12mhz晶振
石英晶体振荡器的基本原理。云南晶振符号
晶振电路中为什么用22pf或30pf的电容而不用别的了，相当于三点式里面的电感，C1和C2就是电容，5404非门和R1实现一个NPN的三极管，接下来分析一下这个电路。5404必需要一个电阻，不然它处于饱和截止区，而不是放大区，R1相当于三极管的偏置作用，让5404处于放大区域，那么5404就是一个反相器，这个就实现了NPN三极管的作用，NPN三极管在共发射极接法时也是一个反相器。大家知道一个正弦振荡电路要振荡的条件是，系统放大倍数大于1，这个容易实现，相位满足360度，与晶振振荡频率相同的很小的振荡就被放大了。接下来主要讲解这个相位问题：5404因为是反相器，也就是说实现了180°移相，那么就需要C1，C2和Y1实现180°移相就可以，恰好，当C1，C2，Y1形成谐振时，能够实现180移相，这个大家可以解方程等，把Y1当作一个电感来做。也可以用电容电感的特性，比如电容电压落后电流90°，电感电压超前电流90°来分析，都是可以的。当C1增大时,C2端的振幅增强，当C2降低时，振幅也增强。有些时候C1，C2不焊也能起振，这个不是说没有C1，C2，而是因为芯片引脚的分布电容引起的，因为本来这个C1，C2就不需要很大，所以这一点很重要。接下来分析这两个电容对振荡稳定性的影响。云南晶振符号
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