现代化射频功率放大器检测技术

    显示单元404可用于显示由用户输入的信息或提供给用户的信息以及终端的各种图形用户接口，这些图形用户接口可以由图形、文本、图标、视频和其任意组合来构成。显示单元404可包括显示面板，可选的，可以采用液晶显示器(lcd，liquidcrystaldisplay)、有机发光二极管(oled，organiclight-emittingdiode)等形式来配置显示面板。进一步的，触敏表面可覆盖显示面板，当触敏表面检测到在其上或附近的触摸操作后，传送给处理器408以确定触摸事件的类型，随后处理器408根据触摸事件的类型在显示面板上提供相应的视觉输出。虽然在图4中，触敏表面与显示面板是作为两个的部件来实现输入和输入功能，但是在某些实施例中，可以将触敏表面与显示面板集成而实现输入和输出功能。移动终端还可包括至少一种传感器405，比如光传感器、运动传感器以及其他传感器。具体地，光传感器可包括环境光传感器及接近传感器，其中，环境光传感器可根据环境光线的明暗来调节显示面板的亮度，接近传感器可在终端移动到耳边时，关闭显示面板和/或背光。作为运动传感器的一种，重力加速度传感器可检测各个方向上(一般为三轴)加速度的大小，静止时可检测出重力的大小及方向，可用于识别手机姿态的应用。输入／输出驻波表示放大器输入端阻抗和输出端阻抗与系统要求阻抗(50Q)的 匹配程度。现代化射频功率放大器检测技术

    微控制器控制第五一开关导通、第五二开关关断，此时可实现低增益；微控制器控制第五一开关和第五二开关均导通，此时反馈电路的等效电阻小，可实现负增益。在一些实施例中，当射频放大器电路的高增益为30db左右，低增益为15db左右，负增益为-10db左右时，可设置第五三电阻的阻值为5kω，第五一电阻的电阻为1kω，第五二电阻的电阻为100ω。需要说明的是，本实施例对反馈电路的具体形式不做限定。可见，通过控制反馈电路中第二开关的通断，可以改变射频功率放大器电路的增益大小，实现增益的大范围调节。在一个可能的示例中，级间匹配电路104包括：第三电感l3、第七电容c7和第八电容c8，其中：第三电感的端连接第三mos管的漏级，第三电感的第二端连接第二电压信号和第七电容的一端，第七电容的端连接第二电压信号，第七电容的第二端接地，第八电容的端连接第三mos管的漏级。其中，第二电压信号为vcc。在本申请实施例中，考虑到级间匹配电路的复杂性，将级间匹配电路简化为用第三电感、第七电容和第八电容表示。在一个可能的示例率放大电路105包括：第四mos管t4、第五mos管t5和第九电容c9，其中：第四mos管的栅级与第八电容的第二端连接。江苏短波射频功率放大器系列微波固态功率放大器的工作频率高或微带电 路对器件结构元器件装配电路板布线腔体螺钉位置等都 有严格要求。

将导致更复杂的天线调谐器和多路复用器。RF系统级封装（SiP）市场可分为一级和二级SiP封装：各种RF器件的一级封装，如芯片/晶圆级滤波器、开关和放大器（包括RDL、RSV和/或凸点步骤）；在表面贴装（SMT）阶段进行的二级SiP封装，其中各种器件与无源器件一起组装在SiP基板上。2018年，射频前端模组SiP市场（包括一级和二级封装）总规模为33亿美元，预计2018~2023年期间的复合年均增长率（CAGR）将达到，市场规模到2023年将增长至53亿美元。预测2023年，PAMiDSiP组装预计将占RFSiP市场总营收的39%。2018年，晶圆级封装大约占RFSiP组装市场总量的9%。移动领域各种射频前端模组的SiP市场，包括：PAMiD（带集成双工器的功率放大器模块）、PAM（功率放大器模块）、RxDM（接收分集模块）、ASM（开关复用器、天线开关模块）、天线耦合器（多路复用器）、LMM（低噪声放大器-多路复用器模块）、MMMBPa（多模、多频带功率放大器）和毫米波前端模组。MEMS预测，到2023年，用于蜂窝和连接的射频前端SiP市场将分别占SiP市场总量的82%和18%。按蜂窝通信标准，支持5G（sub-6GHz和毫米波）的前端模组将占到2023年RFSiP市场总量的28%。智能手机将贡献射频前端模组SiP组装市场的43%。

    令rj为射频功率放大器检测模块的电阻值，rj＝vgpio*r0/(vdd-vgpio)；vgpio为处理器引脚的电压值，vdd为电源电压，r0为计算电阻的电阻值。计算电阻r0的电阻值已知，本申请对于计算电阻r0的电阻值的设置不作限定，计算电阻r0用于计算射频功率放大模块的电阻值。图2为本申请实施例提供的射频功率放大器检测电路的连接示意图。请参阅图2，以四个射频功率放大器并联为例，计算电阻201的一端与电源电压vdd相连，计算电阻201的另一端与射频功率放大器211、212、213和214并联而成的一端相连，射频功率放大器211、212、213和214并联而成的另一端与接地端相连，计算电阻201与射频功率放大器的连接之间设置处理器202。其中，在本申请实施例中，射频功率放大器211、212、213和214的电阻值分别设为r1、r2、r3和r4，射频功率放大器211、212、213和214各自的匹配电阻的电阻值分别为r11、r22、r33和r44。在移动终端进行频段切换前，设所有射频功率放大器的初始状态都是关闭的，即此时射频功率放大器的电阻值分别为r1、r2、r3和r4。当移动终端进行频段切换时，需要开启射频功率放大器211，则预设射频功率放大器的配置状态为射频功率放大器211开启，射频功率放大器212、213和214保持关闭。对整个放大器进行特性分析如果特性不满足预定要求，具 体电路则用多级阻抗变换，短截线等微带线电路来实现。

    宽带性能一致性差，谐波性能也较差。采用普通结构变压器级联lc匹配实现功率合成和阻抗变换的pa，采用变压器及其输入输出匹配电容，输出级联lc匹配滤波电路。这种结构优点是谐波性能好，可以实现宽带一致的阻抗变换；缺点是宽带性能一致性和插损之间存在折中，高频点插损较大。在本发明实施例中，通过增加辅次级线圈可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径，减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数，选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围，降低功率合成变压器损耗。此外，将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计，能够进一步提高射频功率放大器的宽带阻抗变换和滤波性能。为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。本发明实施例提供了一种射频功率放大器，参照图1。在本发明实施例中，射频功率放大器可以包括：功率放大单元(powercell)、功率合成变压器以及匹配滤波电路。在具体实施率放大单元可以包括两个输入端以及两个输出端。微波功率放大器的输出功率主要有两个指标：饱和输出功率；ldB压缩点输出功率。优势射频功率放大器技术

输出匹配电路主要应具备损耗低，谐波抑制度高，改善驻波比，提高输出功 率及改善非线性等功能。现代化射频功率放大器检测技术

    使射频功率放大器电路实现负增益模式。可见，通过微控制器可控制第二mos管和第四mos管的漏级电流、第三mos管和第五mos管的门级电压，进而可调节驱动放大电路和功率放大电路的放大倍数，从而实现对射频功率放大器电路的增益的线性调节。根据上述实施例可知，若需要使射频功率放大器电路为非负增益模式，需要微控制器控制开关关断，控制第二开关关断，控制偏置电路使第二mos管的漏级电流和第三mos管的栅级电压均变大，控制第二偏置电路使第四mos管的漏级电流和第五mos管的栅级电压均变大。其中，第二开关关断时，反馈电路的放大系数af较大，有助于输入信号的放大，偏置电路和第二偏置电路中漏极电流、门极电压、漏级供电电压较大，也有助于输入信号的放大，开关关断，则可控衰减电路被隔离开，对输入信号的影响较小，通过这样的控制，可以实现输入信号的放大。当射频功率放大器电路的输出功率(较大)确定后，微处理器可以进一步得到其输入功率和增益值，微处理器对输入功率进行调节，控制电压信号vgg，使开关关断，控制第二开关关断，通过控制偏置电路和第二偏置电路中的内部电流源和内部电压源，并对漏级供电电压vcc进行控制，从而使偏置电路中漏级电流、栅级电压变小。现代化射频功率放大器检测技术

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