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F30包含的内容：集成光谱仪/光源装置光斑尺寸10微米的单点测量平台FILMeasure8反射率测量软件Si参考材料FILMeasure度力软件(用于远程数据分析)额外的好处：每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划型号厚度范围*波长范围F3-s980:10µm-1mm960-1000nmF3-s1310:15µm-2mm1280-1340nmF3-s1550:25µm-3mm1520-1580nm*取决于薄膜种类。成功测量光刻胶要面对一些独特的挑战， 而 Filmetrics 自动测量系统成功地解决这些问题。官方授权分销膜厚仪售后服务

硬涂层厚度测量Filmetrics系统在汽车和航空工业得到广泛应用，用于测量硬涂层和其他保护性薄膜的厚度。F10-HC是为弯曲表面和多层薄膜(例如，底涂/硬涂层)而专门设计的。汽车前灯在汽车前灯组件的制造中需要进行多点测量，因为涂层厚度对于品质至关重要。外侧硬涂层和聚碳酸酯镜头内侧的防雾层以及反射器上的涂层的厚度都是很重要的。这些用途中的每一项是特殊的挑战，而Filmetrics已经开发出软件、硬件和应用知识以便为用户提供正确的解决方案。测量范例带HC选项的F10-AR收集测量厚度的反射率信息。这款仪器采用光学接触探头，它的设计降低了背面反射。接触探头安置在亚克力表明。FILMeature软件自动分析收集的光谱信息，给出涂层厚度。在这个例子中，亚克力板上还有一层与硬涂层折射率非常近似的底漆。Filmetrics F60膜厚仪优惠价格可选粗糙度: 20 — 1000Å (RMS)。

集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度

  F20系列是世界上蕞**的台式薄膜厚度测量系统，只需按下一个按钮，不到一秒钟即可同时测量厚度和折射率。设置也非常简单,只需把设备连接到您运行Windows™系统的计算机USB端口,并连接样品平台就可以了。F20系列不同型号的选择，主要取决于您需要测量的薄膜厚度（确定所需的波长范围）。型号厚度范围*波长范围F2015nm-70µm380-1050nmF20-EXR15nm-250µm380-1700nmF20-NIR100nm-250µm950-1700nmF20-UV1nm-40µm190-1100nmF20-UVX1nm-250µm190-1700nmF20-XTµm-450µm1440-1690nm*取决于薄膜种类Filmetrics膜厚测试仪通过分析薄膜的反射光谱来测量薄膜的厚度，通过非可见光的测量，可以测量薄至1nm或厚至13mm的薄膜。测量结果可在几秒钟显示：薄膜厚度、颜色、折射率甚至是表面粗糙度。1.有五种不同波长选择(波长范围从紫外220nm至近红外1700nm)2.蕞大样品薄膜厚度的测量范围是：3nm～25um3.精度高于、氧化物、氮化物；、Polyimides；3.光电镀膜应用:硬化膜、抗反射膜、滤波片。1.光源有寿命，不用时请关闭2.光纤易损，不要弯折，不要频繁插拔3.精密仪器。以真空镀膜为设计目标，F10-RT 只要单击鼠标即可获得反射和透射光谱。

厚度标准：所有Filmetrics厚度标准都是得到验证可追溯的NIST标准。S-Custom-NIST：在客户提供的样品上定制可追溯的NIST厚度校准。TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si：厚度标准，外加调焦区和单晶硅基准，厚度大约3100A，4"晶圆。TS-Focus-SiO2-4-10000SiO2-on-Si：厚度标准，外加调焦区和单晶硅基准，厚度大约10000A，4"晶圆。TS-Hardcoat-4µm：丙烯酸塑料硬涂层厚度标准，厚度大约4um，直径2"。TS-Hardcoat-Trans：背面透明的硬涂层，可用于透射测量。TS-Parylene-4um：丙烯酸塑料上的聚对二甲苯厚度标准，厚度大约4um，直径2"。TS-Parylene-8um：硅基上的聚对二甲苯厚度标准，厚度大约8um，23mmx23mm。TS-SiO2-4-7200：硅基上的二氧化硅厚度标准，厚度大约7200A，4"晶圆。TS-SiO2-4-7200-NIST：可追溯的NISTSiO2-4-7200厚度标准。TS-SiO2-6-Multi：多厚度硅基上的二氧化硅标准:125埃米，250埃米，500埃米，1000埃米，5000埃米，和10000埃米(+/-10%误差)，6英寸晶圆。TS-SS3-SiO2-8000：專為SS-3样品平台設計之二氧化硅厚度标准片,厚度大约為8000A。一般较短波长 (例如， F50-UV) 可用于测量较薄的薄膜，而较长波长可以测量更厚、更不平整和更不透明的薄膜。半导体薄膜膜厚仪技术支持

F50-XT测厚范围：0.2µm-450µm；波长：1440-1690nm。官方授权分销膜厚仪售后服务

FSM413MOT红外干涉测量设备：适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...如果您想了解更多关于FSM膜厚仪的技术问题，请联系我们岱美仪***方授权分销膜厚仪售后服务