闵行区智能HTOL测试机

时间:2022年08月28日 来源:

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高效率HTOL自研设备,高质量HTOL品质保障,低成本HTOL测试方案。上海顶策科技有限公司TH801智能一体化老化测试机,自主研发在线实时单颗监测技术,通过监测数据,可以实时发现问题并介入分析,大幅提高HTOL效率,节省更多时间、FA成本,全程数据记录,让HTOL问题更容易分析,更有追溯性;有全程HTOL数据记录,让报告更有说服力,下游客户更放心。可靠性测试事业部提供可靠性测试整体解决方案,包括HTOL、LTOL、双85、HAST等可靠性设备,以及测试方案制定,PCB设计制作,测试试验,可以满足各类芯片可靠性测试需求。崇明区一体化HTOL测试机上海顶策科技TH801智能老化系统,实时监测并记录环境温度,具体到每颗芯片的状态数据。

可靠性测试事业部提供可靠性测试整体解决方案,包括HTOL、LTOL、双85、HAST等可靠性设备,以及测试方案制定,PCB设计制作,测试试验,满足各类芯片可靠性测试需求。自主研发在线实时单颗监测技术;可灵活配置芯片工作状态,并施加信号,非常方便HTOL和Setup;实时监测并记录环境温度,以及每颗芯片电压,电流,频率,寄存器状态等数据,确保芯片处于正常HTOL状态,保证HTOL测试质量;通过监测数据,可实时发现问题并介入分析,大幅提高HTOL效率,节省更多时间、FA成本;全程数据记录,让HTOL问题更容易分析,更有追溯性;有全程HTOL数据记录,让报告更有说服力,下游客户更放心;

发明人检查失效的原因,发现读点失效为读“0”失效,并且进一步研究发现闪存参考单元的输出电流iref在48小时的测试值iref1与在初始的测试值iref0之间有偏移,具体偏移量经测试统计在4μa以内,而且iref1<iref0,即48小时后iref往电流变小的方向偏移。闪存测试中,若iref>i,则读出“0”(即闪存读“0”操作时,iref>i)。闪存判断读“0”的具体操作过程为:将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断。当差值变弱到由读出放大器无法进行识别时,读“0”失效。当htol可靠性验证经过***时间点例如48小时后,由于闪存参考单元的输出电流iref往电流变小的方向偏移即iref变小,如此一来,闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值变小,超出读出放大器识别范围,于是读“0”失效。测试发现经48小时闪存参考单元的输出电流iref往电流变小的方向偏移后,进一步做htol测试,闪存参考单元的输出电流iref在第三时间点例如168小时,第四时间点例如500小时,第五时间点例如1000小时测试均不会进一步偏移。TH801智能老化系统,自有发明专利智能实时在线监测技术。

导致偏移量发生的原因是在htol可靠性验证过程中闪存参考单元会有空穴丢失,而丢失的空穴是在制作闪存的生产工艺过程中捕获(引入)的,短期内无法消除。而闪存产品从工程样品(es,engineeringsample)到客户样品(cs,customersample)的时间不容延期。从测试端找出解决方案非常迫在眉睫。本发明实施例的闪存htol测试方法对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中存在丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。上海顶策科技有限公司自主研发智能HTOL测试机TH801实时监测确保芯片处于正常状态,保证HTOL测试质量。国内HTOL测试机性能

TH801智能老化系统,实时参数正态分布图,散点图等分析数据,有利于分析芯片性能参数。闵行区智能HTOL测试机

    芯片可靠性测试(HTOL)HTOL(HighTemperatureOperatingLife)是芯片可靠性的一项关键性的基础测试,用应力(电压、温度等拉偏)加速的方式模拟芯片的长期运行,评估芯片寿命和长期上电运行的可靠性。广电计量服务内容:老化方案开发测试硬件设计ATE开发调试可靠性试验HTOL试验方案:在要求点(如0、168、500、1000hr)进行ATE测试,确定芯片是否OK,记录每颗芯片的关键参数,并分析老化过程中的变化。对芯片覆盖率要求如:CPU/DSP/MCU/logic:ATPG的stuck-atfaultcoverage>70%。MemoryBIST:覆盖所有memory。3、模拟电路:覆盖PLL/AD/DA/SERDES等关键IP。 闵行区智能HTOL测试机

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