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图4a示出了对应于图2的存储器阵列102的集成芯片400的一些实施例的截面图。集成芯片400包括布置在衬底402上方的介电结构404。介电结构404围绕存储单元202a,1和第二存储单元202b,1，第二存储单元202b,1邻近于存储单元202a,1横向定位。介电结构404还围绕多个导电互连层406a至406c。在一些实施例中，介电结构404可以包括多个堆叠的ild层。在各个实施例中，多个堆叠的ild层可以包括氧化硅、氟掺杂的氧化硅、碳掺杂的氧化硅等的一种或多种。在各个实施例中，多个导电互连层406a至406c可以包括铜、铝、钨、碳纳米管等。存储单元202a,1和第二存储单元202b,1分别包括调节访问装置108和工作mtj器件106。调节访问装置108连接至限定多条字线wl1至wl4的互连层406a。多条字线wl1至wl4中的两个连接至图2的存储器阵列102的一行内的相应存储单元。例如，字线wl1至wl2可以连接至行中的存储单元202a,1，并且字线wl3至wl4可以连接至第二行中的第二存储单元202b,1。在一些实施例中，多条字线wl1至wl4可以与衬底402分隔开非零距离d。第二互连层406b布置在调节访问装置108和工作mtj器件106之间。工作mtj器件106进一步连接至限定位线bl1的第三互连层406c。上海海谷电子有限公司致力于电子料回收，有想法可以来我司咨询！天津二极管回收量大从优

工作mtj器件通过设置在衬底上方的介电结构与调节mtj器件横向分隔开。在一些实施例中，集成芯片还包括布置在位于工作mtj器件正上方的存储单元内的第二工作mtj器件，第二工作mtj器件被配置为存储第二数据状态。在一些实施例中，工作mtj器件通过不延伸穿过衬底的连续导电路径连接在位线和字线之间。在其它实施例中，本发明涉及集成电路。集成电路包括布置在衬底上方的介电结构内的互连层，互连层通过介电结构与衬底分隔开；以及调节mtj器件，布置在互连层正上方并且被配置为存储数据状态，工作mtj器件通过包括多个互连层并且不延伸穿过衬底的连续导电路径电连接在位线和字线之间。在一些实施例中，集成电路还包括调节访问装置，其具有连接在字线和工作mtj器件之间的调节mtj器件，调节mtj器件具有通过介电阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中，互连层从工作mtj器件正下方连续延伸至调节mtj器件正下方。在一些实施例中，集成电路还包括连接在第二字线和工作mtj器件之间的第二调节mtj器件，字线和第二字线连接至字线解码器。在一些实施例中，调节mtj器件与第二调节mtj器件具有不同的尺寸。在一些实施例中。河南电子芯片回收中心电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，让您满意，欢迎新老客户来电！

在介电层220以及心轴图案231、232和233的上方设置间隔层260。间隔层260包括与介电层220和心轴图案231、232和233不同的一种或更多种材料，使得间隔层260针对蚀刻工艺具有不同的蚀刻选择性。可以通过cvd工艺、pvd工艺、原子层沉积(ald)工艺或其他合适的沉积技术形成间隔层260。参照图4e，针对间隔层260执行蚀刻工艺，因此定义侧壁间隔件261至266。侧壁间隔件261(类似地，262至266)在此可以称为第二心轴图案。如图4e中所示，心轴图案231在蚀刻之前存在。图4f中示出蚀刻掉心轴图案231后的结果(例如，侧壁间隔件261和262保留)。在一些实施例中，在261与262之间获得的节距(在一些实施例中也称为距离、间隔、分辨率、特征分辨率或特征分隔距离)比使用提供图4b的抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3的光刻可获得的节距小或精确。参照图4f，执行具有合适的蚀刻选择性的蚀刻工艺以去除心轴图案231、232和233，并且保留侧壁间隔件261至266。261形成为侧壁，并且在一些实施例中，将在后面的工艺步骤中被蚀刻掉，因此它是间隔件。总而言之，261可以被称为侧壁间隔件。侧壁间隔件261至266在方向x上具有节距p3和p4以及宽度w3。与一个心轴图案对应的两个侧壁间隔件(例如。

每个系统板具有在双列直插式存储模块之间交错的冷却管。当这些系统板相对地放置在一起时，每个系统板上的双列直插式存储模块由在另一个系统板上的冷却管冷却。相比于之前的方法，这种方法允许更高密度的双列直插式存储模块，同时仍然提供必要的冷却。这种方法也是安静的，并且由此可以靠近办公室员工放置。这种方法也允许容易的维护，而没有与液体浸入式冷却系统相关的溢出。尽管参考双列直插式存储模块描述了不同实施例，应当认识到的是，所公开的技术可以用于冷却任何集成电路或类似的一个或多个系统和系统中的一个或多个元素/部件。图1是系统100的关系图，在该系统中可以实施不同实施例。系统100包括计算部件120，所述计算部件包括处理器104和存储器106。存储器106包括多个双列直插式存储模块组件108。系统100还包括冷却回路。所述冷却回路包括泵110、热交换器112和储液器114。泵110将冷却液体130提供给双列直插式存储模块组件108。由双列直插式存储模块组件108产生的热量被传送给液体，加热液体并且冷却双列直插式存储模块组件108。泵110将被加热的液体132从双列直插式存储模块组件108移除。热交换器112冷却被加热的液体132。储液器114适应液体体积的改变。上海海谷电子有限公司致力于提供电子料回收，欢迎新老客户来电！

存储器阵列内的存储单元可以在相同的互连层上彼此横向邻近布置。应当理解，图4a至图4b所示的集成芯片400和414可以实现图2的存储器阵列102的集成芯片的两个非限制性实施例，并且可以在可选实施例中使用其它实施方式。在一些实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或与工作mtj器件不同的尺寸。例如，图5a示出了具有调节访问装置的存储器电路500的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括具有不同尺寸的调节器件。存储器电路500包括多个存储单元502a,1至502c,3，每个存储单元分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件106和被配置为选择性地对工作mtj器件106提供访问的调节访问装置108。调节访问装置108包括连接至mtj器件106的同一层的调节mtj器件504和第二调节mtj器件506。调节mtj器件504连接在字线(例如，wl1)和工作mtj器件106之间，而第二调节mtj器件506连接在第二字线(例如，wl2)和工作mtj器件106之间。工作mtj器件106进一步连接至位线(例如，bl1)。图5b示出了对应于图5a的存储器电路500的集成电路的一些实施例的截面图508。如截面图508所示，调节mtj器件504具有尺寸(例如。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，有想法的可以来电咨询！青海电子芯片回收市场

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可以通过执行标准单元sc1至sc12的上述布局和布线来确定集成电路300的布图。可以通过电力轨311至316向标准单元sc1至sc12提供电力。电力轨311至316可以包括用于提供电源电压vdd的高电力轨311、313和315，以及用于提供比电源电压vdd低的第二电源电压vss的低电力轨312、314和316。例如，电源电压vdd可以具有正电压电平，第二电源电压vss可以具有地电平(例如，0v)或负电压电平。高电力轨311、313和315以及低电力轨312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成与由布置在第二方向y上的电力轨311至316定义的区域对应的多个电路行cr1至cr5的边界。根据一些示例实施例，可以通过在第二方向y上延伸的电力网线路321至324将电力分配到电力轨311至316。一些电力网线路322和324可以提供电源电压vdd，并且其他电力网线路321和323可以提供第二电源电压vss。电力网线路321至324可以通过竖直接触件vc(诸如，通孔接触件)连接到电力轨311至316。通常，电路行cr1至cr5中的每个可以连接到位于其边界的两个相邻的电力轨以便被供电。例如，电路行cr1中的标准单元sc1和sc2可以连接到包括高电力轨311和低电力轨312的相邻的且相应的电力轨对。根据示例实施例，如图16中所示。天津二极管回收量大从优

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