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这种软开关方式可以显着地减小开关损耗，以及开关过程中激起的振荡，使开关频率可以大幅度提高，为转换器的小型化和模块化创造了条件。功率场效应管（MOSFET）是应用较多的开关器件，它有较高的开关速度，但同时也有较大的寄生电容。它关断时，在外电压的作用下，其寄生电容充满电，如果在其开通前不将这一部分电荷放掉，则将消耗于器件内部，这就是容性开通损耗。为了减小或消除这种损耗，功率场效应管宜采用零电压开通方式（ZVS）。绝缘栅双极性晶体管（InsulatedGateBipolartansistor，IGBT）是一种复合开关器件，关断时的电流拖尾会导致较大的关断损耗，如果在关断前使流过它的电流降到零，则可以显着地降低开关损耗，因此IGBT宜采用零电流（ZCS）关断方式。IGBT在零电压条件下关断，同样也能减小关断损耗，但是MOSFET在零电流条件下开通时，并不能减小容性开通损耗。谐振转换器（ResonantConverter，RC）、准谐振转换器（Qunsi-TesonantConverter，QRC）、多谐振转换器（Multi-ResonantConverter，MRC）、零电压开关PWM转换器（ZVSPWMConverter）、零电流开关PWM转换器（ZCSPWMConverter）、零电压转换（Zero-Voltage-Transition，ZVT）PWM转换器和零电流转换。中国香港裸板电源优质推荐12v微型电源裸板微型相关资源。

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所述反馈控制器14包括：连接开关31，连接误差信号vea和隔离反馈信号fbi；接地开关32，对隔离反馈信号fbi进行复位；其中：当第二控制信号gsr2控制副边开关电路101断开后经过死区时间，连接开关31被断开、接地开关32被导通，并持续设定时长tlow，使得隔离反馈信号fbi在该设定时长tlow内被拉至地(复位)；在设定时长tlow之外的时间，连接开关31保持导通，接地开关32保持断开，使得隔离反馈信号fbi经过设定时长tlow后重新与误差信号vea连接。该控制可以通过逻辑处理器33实现。所述逻辑处理器响应第二控制信号gsr2的下降沿，产生具有设定时长tlow的脉冲信号，用以控制连接开关31和接地开关32。在一个实施例中，所述逻辑处理器33可以包括例如单稳态电路，产生具有设定时长的脉冲信号。隔离反馈单元op将隔离反馈信号fbi的变化传递至其输出端，并反映在反馈输出信号fbo上。在图15所实施例中，所述原边电路u2具有控制电路。具体来说，所述原边电路u2包括：峰值检波电路22，检测反馈输出信号fbo的峰值，产生补偿信号vc，用以控制原边功率开关q1的断开；边沿跳变检测器21，检测反馈输出信号fbo的边沿跳变，产生边沿检测信号，用以控制原边功率开关q1的导通。电源裸板制品外部检验标准。

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