北京双掺CeYAP晶体供应

除了主要掺杂的铈元素外，锆元素占很大比例，其含量超过10ppm，这应该是由于生长过程中少量氧化锆绝缘盖碎片落入熔体中造成的，但锆对YAP: Ce晶体[104]的闪烁特性有一定的积极影响。其他元素的含量太小，不足以引起足够数量的吸收中心。但晶体生长所用原料的纯度为5N，测量结果表明总杂质含量大于1ppm，已经超出纯度限值一个数量级。过量的杂质可能来自晶体生长过程或配料过程，因此在未来的生长和制备过程中应注意可能的杂质污染。结果表明，还原Ce4离子可以被Ce: YAP晶体的自吸收，Ce4离子可以明显猝灭Ce3离子的发光。北京双掺CeYAP晶体供应

对于掺Ce3的无机闪烁晶体，高能射线作用下的闪烁机制一般认为如下:晶体吸收高能射线后，晶体内部产生大量的热化电子空穴对。由于铈元素的四阶电离能是所有稀土元素中比较低的(如图1-6所示)，晶体发光中心的Ce3离子首先俘获一个空穴形成Ce4离子。然后一个电子被捕获，变成Ce3。此时，电子和空穴被铈离子重组。复合产生的能量将Ce3离子从4f基态激发到5d激发态，然后Ce3离子从5d激发态辐射弛豫到4f基态发光由于掺杂铈离子的无机闪烁体通常具有高光输出和快速衰减的特点。北京双掺CeYAP晶体供应随着Ce3+ 离子浓度增加，CeYAP晶体的吸收边发生红移，造成了样品的自吸收。

闪烁现象是指粒子束或射线作用于某种物质产生的脉冲光。它更重要的特点是发出的光具有极快的衰减时间。具有这种性质的材料称为闪烁体或闪烁材料。利用荧光物质的发光现象来记录核辐射早就开始了。长期以来，闪烁体作为一种非常重要的电磁量热仪材料，在高能物理、核医学成像、核技术和工程中得到了普遍的应用。自从我们使用闪烁材料探测辐射以来，已经将近一个世纪了。在本世纪，一些重要的闪烁材料因其商业应用前景而得到广泛应用，或者因其优异的性能而在科学研究中得到普遍关注和发展。

品质优的CeYAP晶体注意事项：研究了Ce:YAP晶体的自吸收机制。在实际应用中，国产Ce: YAP晶体存在严重的自吸收问题，直接影响晶体的发光效率。比较了铈离子浓度、退火、辐照和杂质对铈： YAP晶体自吸收的影响。通过分析Ce: YAP晶体的自吸收机制，发现在YAP中存在一个Ce4离子的宽带电荷转移吸收峰，其半峰全宽接近100纳米。结果表明，还原Ce4离子可以被Ce: YAP晶体的自吸收，Ce4离子可以明显猝灭Ce3离子的发光。作为未掺杂晶体的ceF3具有本征发光，而另一方面，以Ce为基质的晶体和以Ce为掺杂剂的晶体表现出与Ce3相同的5d4f跃迁发光。无机闪烁体中主要电子跃迁和发光中心的分类。CeYAP高温闪烁晶体具有良好的物化性能是无机闪烁晶体中较有优势的晶体。

无机闪烁晶体的闪烁机理闪烁体的本质是在尽可能短的时间内把高能射线或者粒子转化成可探测的可见光。通常高能射线与无机闪烁晶体相互作用存在有三种方式，光电效应，康普顿散射，正负电子对。光电效应中，一个离子吸收光子后，会从它的一个壳层中发射出光电子，光电子能量为光子能量和电子结合能之差。当该壳层的空位别外层较高能量的电子填充时，结合能会以X射线或者俄歇电子的形式释放出来。产生的X射线将在二次光电过程中北吸收，入射光的全部能量则被闪烁体所吸收。少量过渡金属离子的存在对吸收只会造成线性叠加影响, 且低浓度吸收并不足以造成Ce: YAP晶体的自吸收。江西人工CeYAP晶体研发

我们生长的Ce: YAP 在350nm到500nm范围内不存在额外吸收峰。北京双掺CeYAP晶体供应

在弱还原气氛下生长的Ce:YAP晶体，发现自吸收得到有效缓解，2mm厚度晶体透过边蓝移近30nm，荧光激发的发光强度提高了50%以上。同时研究了还原气氛生长对Ce:YAP晶体其他闪烁性能的影响。1．生长了不同价态离子掺杂的Ce:YAP晶体，以研究电荷补偿效应对Ce4+离子的作用。结果发现两价离子对Ce:YAP晶体闪烁性能有很强的负面影响，四价离子则有于助提高晶体的部分闪烁性能。2．研究了Mn离子掺杂对Ce:YAP晶体性能的影响。发现YAP基质中Ce，Mn之间存在明显的能量转移过程。由于存在Ce3+离子的非辐射跃迁，Ce,Mn:YAP的衰减时间的快慢成分均变为原来的一半，其中快成分为10ns左右，其小尺寸样品可作为超快闪烁体应用。Ce:YAP晶体的吸收光谱和荧光光谱受不同的生长方法和不同的后热处理工艺的影响很大。北京双掺CeYAP晶体供应

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