重庆新型TmYAP晶体公司

Tm:YAP和Tm:LSO两微米波段激光晶体生长、光谱和激光性能的研究.1. 采用TPM法计算了Tm:YAP晶体JO参数：Ω2＝0.8×10-19cm2，Ω4＝1.6×10-19 cm2，Ω6＝1.1×10-19 cm2，拟合得到的JO参数与文献报道的非常接近；由JO参数计算得3F4能级辐射寿命为4.8ms。2. 计算了Tm:YAP中能量交叉弛豫参数CD-A=1.53×10-40cm6/s，能量交叉弛豫半径为6.2Å，施主与施主离子能量转移参数CD-D=2.48×10-39cm6/s；对不同浓度能量传递速率WEE进行计算，并结合速率方程求解，得出泵浦效率h随浓度增加而增加。Tm:YAG晶体,掺铥钇铝石榴石晶体可提供增透，局部或高反等诸多镀膜选择。重庆新型TmYAP晶体公司

在半导体靶材领域，也有稀土相关身影出现，虽然绝大多数半导体芯片的溅射靶材都是采用的铜、铝等传统金属，但仍有相当一部分采用的是钽靶、钼靶等为主。比如钼和氧化铟常被用做平板显示靶材，钽被用做芯片的靶材，钨被用作存储器芯片的靶材。稀土的另一大用途则是在激光方面，甚至有观点认为稀土孕育了人造激光。目前已知约有320种激光晶体，其中约290种是掺入稀土作为触活离子的，比如掺钕钇铝石榴石晶体，可以用作重复频率高的脉冲激光器，氟化锂钇可以被用作二极管泵浦的激光晶体。重庆新型TmYAP晶体公司Tm:YAP晶体在激光医疗和官方领域中获得重要应用。

热导率测试本实验中采用激光脉冲法对所生长晶体热导率进行了测量。激光脉冲法是常用的测试热导率方法之一，可以获得不同温度下样品的热导率。其原理为：在四周绝热的薄圆片试样的正面，辐照一个垂直于试样正面的均匀的激光脉冲进行加热，热量在样品中扩散，使样品背部的温度上升。通过热电偶或红外线测量仪测出试样背面温升，输入到高速记忆存储器，放大后再输出到计算机进行处理，获得热扩散系数a，然后通过公式 λ=α.C.ρ (2-3)计算得样品热导率。其中λ为热导率，C为样品比热系数，ρ为样品密度。

根据吸收光谱计算出Tm:YAP晶体的JO参数为： 2=0.8 10-19cm2， 4=1.6 10-19cm2， 6=1.1 10-19cm2，均方根偏差为1.5110-22 cm2。根据吸收和发射的重叠积分，计算了tm3360 yap中的能量交叉测试了浓度为3at%、4at%和5at%的Tm:YAP晶体的激光性能。当泵浦功率为24W，较大功率为8.1W，比较大斜率效率为42%，激光输出波长为1.935米时，4at % Tm:YAP c向样品获得比较好激光输出。3at%、4at%及5at%浓度Tm:YAP晶体进行了激光性能的测试。其中4at%Tm:YAP c向晶体在泵浦功率为24W时，实现较大功率8.1W的1.935mm激光输出，比较大斜效率达42%，为目前我们实验中Tm:YAP晶体比较好激光输出结果；此外对H2退火前后3at%Tm:YAP晶体激光性能进行了比较，晶体经过氢气退火处理，斜率效率较未经退火的提高40%。 常见的有Tm:KY(WO4)2(Tm:KYW)、Tm:KGd(WO4)2(Tm:KGdW)、Tm:KLu(WO4)2(Tm:KLuW)等。

Tm:YAP晶体能级结构通过低温吸收谱和荧光谱，可以比较准确的确定Tm:YAP晶体的能级结构。如图4-17，由吸收谱和发射谱交叠，可确定3F4能级零声子线位置EZL=5621cm-1，然后根据发射谱确定基态13个stark能级，再根据吸收谱确定激发态能级，在这里我们给出了包含3H4、3H5、3F4以及基态3H6的能级图结构1.1.1 Tm:YAP晶体光谱参数及能量转移参数计算光谱参数诸如吸收发射截面、J-O参数、跃迁几率等以及能量转移参数如能量交叉弛豫几率等是评估晶体激光性能、设计激光器结构所需要的重要参数。Tm:YAP吸收系数与浓度变化成正比?陕西全固态TmYAP晶体直销

Tm:YAP晶体的激光性能？重庆新型TmYAP晶体公司

室温下晶体的吸收光谱是在JASCO V-570 type ultraviolet/visible/near-IR spectrophotometer 光谱仪上测定的。测试范围一般为190~2500nm，从190~350nm范围，光源为氘灯（deuterium lamp），从340~2500nm范围用卤灯（halogen lamp）。在我们的实验中，测试范围一般为190-2100，光谱分辨率为2nm。测试的原理是根据光的吸收定律（Lambert’s law）： I/I0=e-αL (2-4)其中I0为入射光强度，I为透过样品厚度为L的介质后的光强度，α为吸收系数。测试得到的吸收光谱数据为各波长下的光密度D，即lg(I/I0)。光密度D、吸收截面积σabs和吸收系数α具有如下的关系：α=(2-5)；σabs=(2-6)式中N为离子的掺杂浓度。重庆新型TmYAP晶体公司