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    若在晶闸管被触发导通后断开G极，T2、T1极间不能维持低阻导通状态而阻值变为无穷大，则说明该双向晶闸管性能不良或已经损坏。若给G极加上正(或负)极性触发信号后，晶闸管仍不导通(T1与T2间的正、反向电阻值仍为无穷大)，则说明该晶闸管已损坏，无触发导通能力。对于工作电流在8A以上的中、大功率双向晶闸管，在测量其触发能力时，可先在万用表的某支表笔上串接1～3节1．5V干电池，然后再用R×1档按上述方法测量。对于耐压为400V以上的双向晶闸管，也可以用220V交流电压来测试其触发能力及性能好坏。图6是双向晶闸管的测试电路。电路中，FL为60W／220V白炽灯泡，VT为被测双向晶闸管，R为100Ω限流电阻，S为按钮。将电源插头接入市电后，双向晶闸管处于截止状态，灯泡不亮(若此时灯泡正常发光，则说明被测晶闸管的T1、T2极之间已击穿短路；若灯泡微亮，则说明被测晶闸管漏电损坏)。按动一下按钮S，为晶闸管的门极G提供触发电压信号，正常时晶闸管应立即被触发导通，灯泡正常发光。若灯泡不能发光，则说明被测晶闸管内部开路损坏。若按动按钮s时灯泡点亮，松手后灯泡又熄灭，则表明被测晶闸管的触发性能不良。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。浙江可控硅定制

    如It12和It21所示，It12流向是从P2流入经N2-P1-N1流出，It21从P1流入经N2-P2-N32流出；G极触发电流Ig+由P2流入或Ig-从N31流出。下面是所设计电路在四个象限的触发导通工作过程。T2接电源Vt21正极，T1接通电源Vt21负此时当G极接Vg+为正电压，Q4、Q5、Q6、Q7处于反向截止，Q1的B极和E极之间无正偏压也处于截止状态，Vg+由P2输入后经R3使Q2的B极和E极之间产生正偏电压而导通，从而促使Q3导通，这时即使撤出Vg+，在电容C1的的作用下，Q2、Q3也仍然能处于导通状态，只有当Vt21先反向或撤除才重回截止。当G极接Vg为负，Q4、Q5、Q6、Q7同样处于反向截止状态，Q1的B极和E极之间因Vg产生正偏电压而导通，从而使Q3、Q2导通并得以保持导通状态。T1接电源Vt12正极，T2接通负电源Vt12的负极此时G极接Vg为正，Q1因B极和E极之间处于反向偏压而截止，Q3处于反向截止，Q2因B极和E极之间处于正向偏压导通而导致Q4、Q7的导通，从而Q6、Q7导通并保持导通状态，只有当Vt12先反向或撤除才重回截止。当G极接Vg为负，Q1、Q2、Q3和Q4处于反向截止，Q5的B极和E极之间因Vg而处于正偏导通，从而使Q6导通，继而Q7、Q6导通并得以保持导通状态。3电路制作与实验验证为了验证所设计电路。江苏可控硅订制为了减小器件因过压击穿造成损坏的可能性和提高整流装置的可靠性，可采用硅雪崩整流器。

    1．判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。2．判定源极S、漏极D由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。3．测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=，大于（典型值）。4．检查跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。注意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块。

    用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。双向可控硅的检测。用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为***阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为***阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接***阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接***阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律。三相恒压|恒流|恒功率晶闸管功率控制器是移相触发型的晶闸管电力控制器。

    该充电器除可为各种镍镉电池充电外，也可为干电池充电。其充电电流可调。充电终止电压由RP1预先确定。开始充电时，电池组两端电压较低，不足以使晶体管VT导通。由RC组成的移相电路给可控硅提供触发电流。移相角度由RP2决定。负半周时可控硅截止。因此可控硅以可控半波整流方式经电池组充电。调整RP2即可调整充电电流，比较大充电电流由R1既定。指示灯串在电路中以指示充电情况和充电电流的大小。R3用以调节指示灯的亮度。当电池组电压慢慢升高，快到预定值时，三极管开始导通，可控硅的导通角减小，充电电流下降，直至完全截止，这样充电自动停止，并使电池组保持在预定电压上。因为当电压下降时，晶体管又趋向截止，可控硅重新启动，不过此时导通角很小，电流出很小，对充电电池有保护作用，防止过充。元器件选择与制作元器件清单见下表。编号名称型号数量R1电阻（需调整）1R2电阻1R3电阻根据指示灯选用1RP1电位器100K1RP2电位器2K1C涤纶电容1VD1、VD2晶体二极管2CP类2VT晶体三极管3DG类1VS单向可控硅1A/25V1元器件连接完成，检查无误，即可进行调整。调整时，将电流表串在输入回路中，先将R3短路，RP2旋至阻值**小处，调整R1。可控硅调整器可用380V电源频率为50HZ/60HZ电**殊电压要求可定制。浙江可控硅定制

整流器***用于各种形式的整流电源中。浙江可控硅定制

    10ms内截止输出过热保护主回路SCR温度>75℃,截止输出相序保护输入电源相序错误报警环境温度－5～+45℃湿度≤90%RH，无水珠凝结海拔高度低于1000米(超过1000米降额使用)第二章控制原理及功能特性控制原理三相晶闸管闭环技术可控硅调压器采用移相触发控制方式，输出电压、电流或功率连续可调，具有恒电压、恒电流或恒功率的特性。三相晶闸管闭环技术触发板的原理框图，其控制原理为一个典型的双闭环控制，电流环为内环，电压环为外环。现以调压器的“恒电压控制特性”来介绍其控制原理。调节过程如下：给定信号(Ug)、电压反馈信号(Uf)、电流反馈信号(If)当由于某种原因使调压器输出电压降低时(如电网电压降低)：（Ug-Uf）↑→UO↑→Uy↑→α↓→调压器输出电压U↑***达到Uf与Ug相互平衡，调压器输出稳定电压。。图2-1恒电压原理框图电流环作用是，在突加负载或负载电流超过限流值时，限制调压器的输出电流在额定电流范围内，确保输出和调压器正常工作。其调节过程如下：U0恒定，负载电流增加：If↑→（UO-If）↓→IO↓→Uy↓→α↑→调压器输出电压U↓——If↓；同时电压环也参与调节，使调压器的输出电流被限制在额定电流范围内。浙江可控硅定制

上海凯月电子科技有限公司位于万源路2759号3号楼205市。公司自成立以来，以质量为发展，让匠心弥散在每个细节，公司旗下可控硅触发板，电力调整器，SCR调功器，SCR整流器深受客户的喜爱。公司秉持诚信为本的经营理念，在电子元器件深耕多年，以技术为先导，以自主产品为重点，发挥人才优势，打造电子元器件良好品牌。上海凯月电子科技秉承“客户为尊、服务为荣、创意为先、技术为实”的经营理念，全力打造公司的重点竞争力。