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其中形成线路图案的至少一个导电层可以插入在栅极层gtl与列导电层ccl之间，和/或至少一个导电层可以设置在列导电层ccl上方。在一些示例实施例中，集成电路还可以包括形成在栅极层gtl与列导电层ccl之间的行导电层中的多条行金属线，使得行金属线布置在第二方向y上并且在方向x上延伸。在栅极层gtl上方依次设置的导电层可以称为m1层、m2层、m3层、m4层等。行导电层可以对应于m1层或m2层，列导电层ccl可以对应于m2层或m3层。图4a至图4i是用于描述根据示例实施例的用于制造集成电路的图案化工艺的示图。可以参照图4a至图4i描述与单图案化、sadp和saqp相关联的单元线路结构的节距。参照图4a至图4i描述心轴间隔件图案化(themandrelspacerpatterning)作为示例，但是示例实施例不限于特定的图案化工艺。在本公开中，单图案化、sadp和saqp定义如下。单图案化或直接图案化表示形成与光刻工艺中的曝光图案具有相同的平均节距的目标图案。这里，目标图案包括根据示例实施例的单元线路结构中所包含的栅极线和列金属线。sadp表示形成具有与所述曝光图案的1/2平均节距对应的平均节距的目标图案。saqp表示形成具有与所述曝光图案的1/4平均节距对应的平均节距的目标图案。参照图4a。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司，期待您的光临！河南晶振回收服务

存储器阵列内的存储单元可以在相同的互连层上彼此横向邻近布置。应当理解，图4a至图4b所示的集成芯片400和414可以实现图2的存储器阵列102的集成芯片的两个非限制性实施例，并且可以在可选实施例中使用其它实施方式。在一些实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或与工作mtj器件不同的尺寸。例如，图5a示出了具有调节访问装置的存储器电路500的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括具有不同尺寸的调节器件。存储器电路500包括多个存储单元502a,1至502c,3，每个存储单元分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件106和被配置为选择性地对工作mtj器件106提供访问的调节访问装置108。调节访问装置108包括连接至mtj器件106的同一层的调节mtj器件504和第二调节mtj器件506。调节mtj器件504连接在字线(例如，wl1)和工作mtj器件106之间，而第二调节mtj器件506连接在第二字线(例如，wl2)和工作mtj器件106之间。工作mtj器件106进一步连接至位线(例如，bl1)。图5b示出了对应于图5a的存储器电路500的集成电路的一些实施例的截面图508。如截面图508所示，调节mtj器件504具有尺寸(例如。天津电子元件回收量大从优回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，有需求可以来电咨询！

2v)和第四非零偏置电压v4(例如，4v)之间的差异使得第二电流i2流过第二存储单元202a,2内的调节mtj器件。然而，第二电流i2的两倍小于切换电流isw，因此没有将数据状态写入至第二存储单元202a,2内的工作mtj器件。类似地，连接至字线wl3和wl4的工作mtj器件也不受写入操作的步骤的影响。如图3b的示意图302所示，通过将第二数据状态写入存储器阵列102的行301中的第二存储单元202a,2内的工作mtj器件来实施写入操作的第二步骤。通过将非零偏置电压v1(例如，6v)施加至字线wl1和wl2，将第二非零偏置电压v2(例如，2v)施加至位线bl1和bl3并且将第三偏置电压v3(例如，0v)施加至位线bl2来实施写入操作的第二步骤。非零偏置电压v1(例如，6v)和第三偏置电压v3(例如，0v)之间的差异使得电流i1流过第二存储单元202a,2内的调节mtj器件。电流i1小于切换电流isw，使得第二存储单元202a,2内的调节mtj器件的状态不变。然而，电流i1(其流过第二存储单元202a,2内的工作mtj器件)的两倍大于切换电流isw，以将第二数据状态写入第二存储单元202a,2内的工作mtj器件。存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件不受写入操作的第二步骤的影响，因为非零偏置电压v1(例如，6v)和第二非零偏置电压v2。

字线解码器118和偏置电路606可以包括相同的电路元件(即，字线解码器118可以将信号施加至偏置电压线bvly)。在操作期间，为了访问工作mtj器件106，偏置电路606和字线解码器118可以将电压施加至偏置电压线bvly和字线wlx，以设置存储器阵列102的行内的调节mtj器件604的值。随后，位线解码器116可以施加位线电压，该位线电压允许访问多个存储单元602a,1至602c,3中的选择的存储单元，而不访问多个存储单元602a,1至602c,3中的未选择的存储单元。例如，为了将数据写入存储单元602a,1内的工作mtj器件106，可以将组偏置电压施加至字线wl1和偏置电压线bvl1。组偏置电压赋予行内的调节访问装置108低电阻。可以将第二组偏置电压施加至其它行中的偏置电压线bvl2和字线wl1，以赋予其它行内的调节访问装置108高电阻。然后将位线电压施加至位线bl1。存储单元602a,1内的调节访问装置的低电阻使得大电流(例如，大于切换电流)流过存储单元602a,1内的工作mtj器件，同时第二存储单元602a,2内的调节访问装置的高电阻使得小电流(例如，小于切换电流)流过第二存储单元602a,2内的工作mtj器件。图6b示出了对应于图6a的存储器电路600的集成电路的一些实施例的截面图608。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司，欢迎新老客户来电！

每个系统板具有在双列直插式存储模块之间交错的冷却管。当这些系统板相对地放置在一起时，每个系统板上的双列直插式存储模块由在另一个系统板上的冷却管冷却。相比于之前的方法，这种方法允许更高密度的双列直插式存储模块，同时仍然提供必要的冷却。这种方法也是安静的，并且由此可以靠近办公室员工放置。这种方法也允许容易的维护，而没有与液体浸入式冷却系统相关的溢出。尽管参考双列直插式存储模块描述了不同实施例，应当认识到的是，所公开的技术可以用于冷却任何集成电路或类似的一个或多个系统和系统中的一个或多个元素/部件。图1是系统100的关系图，在该系统中可以实施不同实施例。系统100包括计算部件120，所述计算部件包括处理器104和存储器106。存储器106包括多个双列直插式存储模块组件108。系统100还包括冷却回路。所述冷却回路包括泵110、热交换器112和储液器114。泵110将冷却液体130提供给双列直插式存储模块组件108。由双列直插式存储模块组件108产生的热量被传送给液体，加热液体并且冷却双列直插式存储模块组件108。泵110将被加热的液体132从双列直插式存储模块组件108移除。热交换器112冷却被加热的液体132。储液器114适应液体体积的改变。回收，就选上海海谷电子有限公司，有需求可以来电咨询！甘肃高价电子元器件回收厂家

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所述第二热接口材料层与所述集成电路热耦联，和能够移除的散热器，所述散热器与所述第二热接口材料层热耦联，所述散热器具有越过印刷电路板的与所述连接侧相对的侧延伸的顶表面；其中，所述两个印刷电路装配件被相对地放置在一起，使得在所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的所述热接口材料层接触，并且与该热接口材料层热耦联。在另一个方面中，本公开的实施方式提供一种用于冷却集成电路的装置，所述装置包括：两个印刷电路装配件，每个所述印刷电路装配件包括：系统板，所述系统板上的多个印刷电路板插座，多个液体冷却管，每个所述液体冷却管邻接于所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座地耦联至所述系统板，连接至所述印刷电路板插座的多个集成电路模块，和多个散热器，每个所述散热器与所述集成电路模块中的一个集成电路模块热耦联；其中，所述印刷电路装配件彼此相对地布置，使得所述两个印刷电路装配件的集成电路模块彼此交错，并且所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的液体冷却管热耦联。在又一个方面中，本公开的实施方式提供一种用于冷却集成电路的方法。河南晶振回收服务

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