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所述第二热接口材料层与所述集成电路热耦联，和能够移除的散热器，所述散热器与所述第二热接口材料层热耦联，所述散热器具有越过印刷电路板的与所述连接侧相对的侧延伸的顶表面；其中，所述两个印刷电路装配件被相对地放置在一起，使得在所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的所述热接口材料层接触，并且与该热接口材料层热耦联。在另一个方面中，本公开的实施方式提供一种用于冷却集成电路的装置，所述装置包括：两个印刷电路装配件，每个所述印刷电路装配件包括：系统板，所述系统板上的多个印刷电路板插座，多个液体冷却管，每个所述液体冷却管邻接于所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座地耦联至所述系统板，连接至所述印刷电路板插座的多个集成电路模块，和多个散热器，每个所述散热器与所述集成电路模块中的一个集成电路模块热耦联；其中，所述印刷电路装配件彼此相对地布置，使得所述两个印刷电路装配件的集成电路模块彼此交错，并且所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的液体冷却管热耦联。在又一个方面中，本公开的实施方式提供一种用于冷却集成电路的方法。内蒙古电子物料回收价格上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司，有想法的可以来电咨询！

固定层110a和自由层114a的磁向之间的关系限定了mtj的电阻状态，并且从而使得多个存储单元104a,1至104b,2能够分别存储数据状态，数据状态具有基于存储单元内的工作mtj器件106的电阻的值。例如，如果工作mtj器件106a,1具有低电阻状态，则存储单元104a,1将存储位值(例如，逻辑“0”)，或者如果工作mtj器件106a,1具有高电阻状态，则存储单元104a,1将存储第二位值(例如，逻辑“1”)。调节访问装置108分别具有通过其可以控制提供给相关的工作mtj器件106的电流的电阻。例如，调节访问装置108a,1被配置为控制提供给工作mtj器件106a,1的电流，第二调节访问装置108b,1被配置为控制提供给第二工作mtj器件106b,1的电流等。调节访问装置108被配置为通过控制提供给工作mtj器件106的电流来选择性地对存储器阵列102内的一个或多个工作mtj器件106提供访问。在一些实施例中，调节访问装置108可以包括一个或多个调节mtj器件109，一个或多个调节mtj器件109分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层112b与自由层114b分隔开的固定层110b。例如，在一些实施例中，调节访问装置108可以包括与相关的工作mtj器件106连接的并联连接的调节mtj器件和第二调节mtj器件206。在一些实施例中。

位线解码器116被配置为基于从控制单元120接收的地址saddr1选择性地向一条或多条位线bl1至bl2提供信号(例如，电压)。而字线解码器118被配置为基于从控制单元120接收的地址saddr2选择性地向一条或多条字线wl1至wl2提供信号(例如，电压)。调节访问装置108被配置为调节电流(提供给相关的工作mtj器件106的信号)，并且由此选择性地对相关的工作mtj器件106提供访问。例如，在写入操作期间，存储器阵列102内的调节访问装置108可以对选择的存储单元内的工作mtj器件提供大于或等于小切换电流(即，足以使存储单元的数据状态改变的电流)电流，而对未选择的存储单元内的工作mtj器件提供小于小切换电流的电流。使用调节访问装置108来选择性地对工作mtj器件106提供访问提供了没有驱动晶体管的存储单元。没有驱动晶体管的存储单元允许存储器阵列102的尺寸减小，从而改进存储器电路100的性能并且减小成本。图2示出了具有调节访问装置的存储器电路200的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节mtj器件。存储器电路200包括存储器阵列102，存储器阵列102具有以行和列布置的多个存储单元202a,1至202c,3(例如，mram单元)。多个存储单元202a。回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，欢迎您的来电哦！

在涉及Marvell、Micron、Atmel、Anadigics、Micrel、PericomSemiconductor、PMC-Sierra、LatticeSemiconductor以及WesternDigital（WD）等等公司的交易中，来自中国的出价者在过去两年的谈判中几乎都潜伏其中，确实（或据推测）曾经尝试出手。5、中国集成电路设计业年会举行，10强榜单出炉2016年10月，在长沙举行的中国集成电路设计业年会上，魏少军教授公布，根据统计数据显示，2015年中国IC设计企业的数量为736家，2016年暴增至1362家，实现了。2016年中国集成电路设计产业销售收入预期为，比2015年的。按照美元与人民币1:，全年销售达到，占全球集成电路设计业的比重预计将进一步提升。总结：2016年中国集成电路设计事件责任编辑：李嘉上一页123下一页在本页显示剩余内容。上海海谷电子有限公司为您提供回收，有需要可以联系我司哦！湖北电子元器件回收市场

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侧壁间隔件261和262)的节距p3可以等于或者不同于与该心轴图案相邻的心轴图案的两个相对的侧壁间隔件(例如，侧壁间隔件262和263)的节距p4。在一些实施例中，侧壁间隔件261至266的平均节距被减小到抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3的1/2平均节距。在一些实施例中，可以以图4f的结构作为起点来按顺序应用施加空间层和重复蚀刻步骤。参照图4g，可以在介电层220上方、在侧壁间隔件261至266上方以及在侧壁间隔件261至266的侧壁上形成第二间隔层270。换言之，侧壁间隔件261至266可以用作第二心轴图案。在一些实施例中，已经制造261至266以接受材料沉积，然后将蚀刻掉261至266，在原位留下沉积的材料。在介电层220和侧壁间隔件261至266上方设置第二间隔层270。第二间隔层270包括与介电层220和侧壁间隔件261至266不同的一种或更多种材料，使得第二间隔层270针对蚀刻工艺具有不同的蚀刻选择性。可以通过cvd工艺、pvd工艺、ald工艺或其他合适的沉积技术形成第二间隔层270。参照图4h，针对第二间隔层270执行蚀刻工艺，从而定义第二侧壁间隔件271至282。参照图4i，执行具有合适的蚀刻选择性的蚀刻工艺以去除侧壁间隔件261至266，并且保留第二侧壁间隔件271至282。安徽电子料上门回收网

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