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    关键字：薄膜电容，电解电容，陶瓷电容，铝电解电容，钽电容，安规电容之前的文章中，介绍了电感的一些知识。本文将谈谈电容，介绍电容的知识和如何选型。电容的基本原理和电感、电阻一起，是电子学三大基本无源器件；电容的功能就是以电场能的形式储存电能量。以平行板电容器为例，简单介绍下电容的基本原理如上图所示，在两块距离较近、相互平行的金属平板上(平板之间为电介质)加载一个直流电压；稳定后，与电压正极相连的金属平板将呈现一定量的正电荷，而与电压负极相连的金属平板将呈现相等量的负电荷；这样，两个金属平板之间就会形成一个静电场，所以电容是以电场能的形式储存电能量，储存的电荷量为Q。电容储存的电荷量Q与电压U和自身属性(也就是电容值C)有关，也就是Q=U*C。根据理论推导，平行板电容器的电容公式如下：理想电容内部是介质(Dielectric)，没有自由电荷，不可能产生电荷移动也就是电流，那么理想电容是如何通交流的呢？通交流电压可以在电容内部形成一个电场，而交流电压就会产生交变电场。根据麦克斯韦方程组中的全电流定律：即电流或变化的电场都可以产生磁场，麦克斯韦将ε(∂E/∂t)定义为位移电流，是一个等效电流，表示着电场的变化。。原装进口电容器找巨新科。龙华区车规 电容触摸屏

    也称为塑料薄膜电容；其内部结构大致如下图所示：原图来自于维基百科薄膜电容根据其电极的制作工艺，可以分为两类：金属箔薄膜电容(Film/Foil)金属箔薄膜电容，直接在塑料膜上加一层薄金属箔，通常是铝箔，作为电极；这种工艺较为简单，电极方便引出，可以应用于大电流场合。金属化薄膜电容(MetallizedFilm)金属化薄膜电容，通过真空沉积(VacuumDeposited)工艺直接在塑料膜的表面形成一个很薄的金属表面，作为电极；由于电极厚度很薄，可以绕制成更大容量的电容；但由于电极厚度薄，只适用于小电流场合。金属化薄膜电容就是具有自我修复的功能，即假如电容内部有击穿损坏点，会在损坏处产生雪崩效应，气化金属在损坏处将形成一个气化集中面，短路消失，损坏点被修复；因此，金属化薄膜电容可靠性非常高，不存在短路失效；薄膜电容有两种卷绕方法：有感绕法在卷绕前，引线就已经和内部电极连在一起；无感绕法在绕制后，会采用镀金等工艺，将两个端面的内部电极连成一个面，这样可以获得较小的ESL，应该高频性能较高；此外，还有一种叠层型的无感电容，结构与MLCC类似，性能较好，便于做成SMD封装。极早的薄膜电容的介质材料是用纸浸注在油或石蜡中。CBB电容国巨电容一级代理商。

    Multi-layerCeramicCapacitor)多层陶瓷电容，也就是MLCC，片状(Chip)的多层陶瓷电容是目前世界上使用量极大的电容类型，其标准化封装，尺寸小，适用于自动化高密度贴片生产。也就是我自己设计的主板，自己拍的照片，加了艺术效果；没有标引用和出处的图片和内容，绝大多数都是我自己画或弄出来的，剩下一点点可能疏忽忘加了；标引用的图片，很多都是我重新加工的，例如翻译或几张图拼在一起等等，工具很土EXCEL+截图。多层陶瓷电容的内部结构如下图所示：原图出自SMDMLCCforHighPowerApplications-KEMET多层陶瓷电容生产流程如下图所示：原图出自Capacitors,Part2"CeramicCapacitors[1]"由于多层陶瓷需要烧结瓷化，形成一体化结构，所以引线(Lead)封装的多层陶瓷电容，也叫独石(Monolithic)电容。在谈谈电感中也介绍过多层陶瓷工艺和ThinFilm工艺。ThinFilm技术在性能或工艺控制方面都比较先进，可以精确的控制器件的电性能和物理性能。因此，ThinFilm电容性能比较好，极小容值可以做到，而容差可以做到；比通常MLCC要好很多，像Murata的GJM系列，极小容值是，容差通常都是；因此，ThinFilm电容可以用于要求比较高的RF领域，AVX有Accu-P®系列。

    额定的容量可以做到非常大，可以轻易做到几万μf甚至几f。但不能和双电层电容相比）。价格低廉。比其它种类电容，在价格上具有压倒性优势，因为其组成材料都是普通的工业材料。制造电解电容的设备也都是普通的工业设备，可以大规模生产，成本相对比较低。新型的电解电容发展的非常快，某些产品的性能已达到无机电容器的水准，电解电容正在替换某些无机和有机介质电容器。电解电容的使用范围相当，基本上，有电源的设备都会使用到电解电容。电解电容的分类，传统的方法都是按阳极材质，比如说铝或者钽。所以，电解电容按阳极分，为以下几种：铝电解电容（CL）电容量：0。47--10000μ额定电压：主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大。应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等不管是SMT贴片工艺的（“贴片电容”，识别方式是底坐有黑色橡胶），还是直插式的，或者有塑料表皮的，只要它们的阳极材质是铝，那么他们就都叫做铝电解电容。电容的封装方式和电容的品质本身并无直接联系，电容的性能只取决于具体型号钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）电容量：0。1--1000μ额定电压：6。3--125V主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容。国巨高频电容原装现货。

    目前很多钽电解电容都用贴片式安装，其外壳一般由树脂封装（采用同样封装的也可能是铝电解电容）。但是，钽电容的阴极也是电解质，所以很不幸的，它也是大家十分瞧不起的“电解电容”的一种。铌电解电容。这种电容如今已经用的比少。需要重点强调的是，铝电解电容和钽电解电容不是由封装形式决定的。像黄色与黑色小方块，通常我们认为其是钽电解电容，但实际其阳极也有可能是铝，也就是说它们也有可能是铝电容而不是钽电容。以往传统的看法是钽电容性能比铝电容好，因为钽电容的介质为阳极氧化后生成的五氧化二钽，它的介电常数ε比铝电容的三氧化二铝介质要高。因此在同样容量的情况下，钽电容的体积能比铝电容做得更小。（电解电容的电容量取决于介质的介电能力和体积，在容量一定的情况下，介电能力越高，体积就可以做得越小，反之，体积就需要做得越大）。再加上钽的性质比较稳定，所以通常认为钽电容性能比铝电容好。但这种凭阳极判断电容性能的方法已经过时了，目前决定电解电容性能的关键并不在于阳极，而在于电解质，也就是阴极。因为不同的阴极和不同的阳极可以组合成不同种类的电解电容，其性能也大不相同。采用同一种阳极的电容由于电解质的不同。风华电容一级代理找巨新科。龙岗区瓷片电容电池

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    它们的单位都是pF。如:102表示标称容量为1000pF。331表示标称容量为330pF。474表示标称容量为47x10(4)pF。在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数宇乘上来表示容量大小。如:229表示标称容量为允许误差±1%±2%±5%±10%±15%±20%电容器的特性与用途通交隔直：作用是阻止直流通过而让交流通过。如图中的电容C1和C2，分析三极管工作状态时，直流等效电路将电容视为开路，微变等效电路将电容视为短路，从而简化了电路的分析运算。交流旁路(去耦)：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。比如下面的电路，可以将高频信号旁路。交流耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路直流电源滤波：比如二极管桥式整流后面，用于平滑电流。温度补偿：针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路的稳定性。计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数，时间常数t=RC。调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。储能：比如超级电容器，储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。超级电容器。龙华区车规 电容触摸屏

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