湖南电子物料回收处理

在一些实施例中，每个单元线路结构的四条栅极线通过例如sadp形成，并且每个单元线路结构的四条栅极线在方向上布置成交替地具有栅极节距和第二栅极节距。通常，在一些实施例中，作为另一示例，每个单元线路结构的四条栅极线通过例如自对准四倍图案化(saqp)形成，并且每个单元线路结构的四条栅极线在方向上布置成顺序地具有栅极节距、第二栅极节距、栅极节距和第三栅极节距。在一些实施例中，每个单元线路结构包括十二条金属线和八条栅极线。此外，在一些实施例中，每个单元线路结构的十二条金属线通过自对准四倍图案化(saqp)形成，并且每个单元线路结构的十二条金属线在方向上布置成顺序地且重复地具有金属节距、第二金属节距、金属节距和第三金属节距。此外，在一些实施例中，每个单元线路结构的八条栅极线通过单图案化形成，并且每个单元线路结构的八条栅极线在方向上布置成具有相等的栅极节距。在一些实施例中，每个单元线路结构包括十二条金属线和八条栅极线，每个单元线路结构的十二条金属线通过自对准四倍图案化(saqp)形成，并且每个单元线路结构的十二条金属线在方向上布置成顺序地且重复地具有金属节距、第二金属节距、金属节距和第三金属节距。此外，例如。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司。湖南电子物料回收处理

位线bl1连接至布置在存储器阵列102的一列内的存储单元内的工作mtj器件106。例如，位线bl1连接至图2的存储器阵列102的列内的工作mtj器件106。在一些实施例中，工作mtj器件106通过包括多个导电互连层406a至406c并且不延伸穿过衬底402的连续导电路径连接在位线blz(z＝1,2)和字线wlx(x＝1,3)之间。在一些实施例中，工作mtj器件106不位于被配置为控制对工作mtj器件106的访问的存取晶体管器件正上方。在一些实施例中，调节访问装置108包括调节mtj器件204和第二调节mtj器件206。调节mtj器件204、第二调节mtj器件206和工作mtj器件106分别包括垂直布置在底电极通孔408和顶电极通孔410之间的mtj。在一些实施例中，顶电极通孔410可以通过通孔412(例如，铜通孔)连接至上面的互连层。在一些实施例中，底电极通孔408和顶电极通孔410可以包括金属，诸如氮化钛(tin)、氮化钽(tan)、钛(ti)、钽(ta)等。在一些实施例中，第二互连层406b从调节mtj器件204正上方连续延伸至第二调节mtj器件206正上方。调节mtj器件204、第二调节mtj器件206和工作mtj器件106分别包括由介电遂穿阻挡层112分隔开的自由层114和固定层110。自由层114具有被配置为响应于电信号(例如，电流)而改变的磁矩。天津三极管回收平台上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司，期待您的光临！

字线解码器118和偏置电路606可以包括相同的电路元件(即，字线解码器118可以将信号施加至偏置电压线bvly)。在操作期间，为了访问工作mtj器件106，偏置电路606和字线解码器118可以将电压施加至偏置电压线bvly和字线wlx，以设置存储器阵列102的行内的调节mtj器件604的值。随后，位线解码器116可以施加位线电压，该位线电压允许访问多个存储单元602a,1至602c,3中的选择的存储单元，而不访问多个存储单元602a,1至602c,3中的未选择的存储单元。例如，为了将数据写入存储单元602a,1内的工作mtj器件106，可以将组偏置电压施加至字线wl1和偏置电压线bvl1。组偏置电压赋予行内的调节访问装置108低电阻。可以将第二组偏置电压施加至其它行中的偏置电压线bvl2和字线wl1，以赋予其它行内的调节访问装置108高电阻。然后将位线电压施加至位线bl1。存储单元602a,1内的调节访问装置的低电阻使得大电流(例如，大于切换电流)流过存储单元602a,1内的工作mtj器件，同时第二存储单元602a,2内的调节访问装置的高电阻使得小电流(例如，小于切换电流)流过第二存储单元602a,2内的工作mtj器件。图6b示出了对应于图6a的存储器电路600的集成电路的一些实施例的截面图608。

字线解码器118被配置为选择性地将信号施加至连接至存储器阵列102的一条或多条字线wl1至wl6，并且位线解码器116被配置成选择性地将信号施加至连接至存储器阵列102的一条或多条位线bl1至bl3。通过选择性地将信号施加至一条或多条字线wl1至wl6和一条或多条位线bl1至bl3，可以在相互排斥的情况下选择性地访问多个工作mtj器件106中的不同工作mtj器件106。例如，图3a至图3b示出了图2的存储器电路200的写入操作的一些实施例的示意图300和302。示意图300和302所示的写入操作是实施写入操作的方法的非限制性实例。在其它实施例中，可以可选地使用实施写入操作的其它方法。图3a至图3b中示出的写入操作在步骤(图3a所示)期间将数据状态写入至存储器阵列的一行中的一个或多个存储单元，并且在随后的第二步骤(图3b所示)期间将第二数据状态写入至存储器阵列的该行中的一个或多个存储单元，以使用两步工艺将数据写入至存储器阵列102的整个行。应该理解，为了将数据写入mtj器件，提供的通过mtj器件的电流必须大于切换电流(即，临界切换电流)。不大于切换电流的电流将不会导致电阻状态之间的切换，并且因此不会将数据写入存储器阵列102内的mtj器件。在一些实施例中。回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，欢迎您的来电！

使得在所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件上的热接口材料层接触，并且与所述热接口材料层热耦联。图5是移除了双列直插式存储模块组件的印刷电路装配件的图。图6是印刷电路装配件的图，包括已安装在印刷电路板插座中的双列直插式存储模块组件200并且包括已附接的分流管。图7a和图7b示出了根据一个实施例的、特征在于外部铰链的双列直插式存储模块组件。图8a和图8b示出了根据一个实施例的、特征在于内部铰链的双列直插式存储模块组件。图9示出了根据一个实施例的流程。附图是非详尽的，并且不限制本公开至所公开的精确形式。具体实施方式诸如双列直插式存储模块(dimm)的集成电路产生大量的热量，特别是在高密度配置中。现有许多技术对集成电路进行冷却，但是存在许多与这些现有技术相关的缺点。空气冷却是嘈杂的，并且因此当靠近办公室人员/在工作环境中布置时是不期望的。当需要维护双列直插式存储模块时，液体浸入式冷却是杂乱的。另一种方法使用将双列直插式存储模块封装在散热器中的双列直插式存储模块组件，所述散热器热耦联至循环制冷液体的冷却管。所公开的实施例以两个系统板为一对。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司，有想法的可以来电咨询！天津三极管回收平台

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工作mtj器件通过设置在衬底上方的介电结构与调节mtj器件横向分隔开。在一些实施例中，集成芯片还包括布置在位于工作mtj器件正上方的存储单元内的第二工作mtj器件，第二工作mtj器件被配置为存储第二数据状态。在一些实施例中，工作mtj器件通过不延伸穿过衬底的连续导电路径连接在位线和字线之间。在其它实施例中，本发明涉及集成电路。集成电路包括布置在衬底上方的介电结构内的互连层，互连层通过介电结构与衬底分隔开；以及调节mtj器件，布置在互连层正上方并且被配置为存储数据状态，工作mtj器件通过包括多个互连层并且不延伸穿过衬底的连续导电路径电连接在位线和字线之间。在一些实施例中，集成电路还包括调节访问装置，其具有连接在字线和工作mtj器件之间的调节mtj器件，调节mtj器件具有通过介电阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中，互连层从工作mtj器件正下方连续延伸至调节mtj器件正下方。在一些实施例中，集成电路还包括连接在第二字线和工作mtj器件之间的第二调节mtj器件，字线和第二字线连接至字线解码器。在一些实施例中，调节mtj器件与第二调节mtj器件具有不同的尺寸。在一些实施例中。湖南电子物料回收处理

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