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技术实现要素：本实用新型的目的就是提供一种集成电路软件快速录入装置，能完全解决上述现有技术的不足之处。本实用新型的目的通过下述技术方案来实现：一种集成电路软件快速录入装置,包括远程后台服务器、录入终端装置和显示器，所述录入终端装置包括微处理器、高频读卡模块、数据监测模块和通讯模块，所述录入终端装置通过数据线与远程后台服务器连接；所述显示器包括液晶显示屏、工作状态显示模块和电容式触摸模块，所述工作状态显示模块和电容式触摸模块分别与微处理器中的数据读写模块相连；所述数据监测模块包括下载判断模块、校准综测模块、开机模块、拍照模块、声音模块和按键模块。作为方式之一，所述通讯模块采用zigbee无线方式与高频读卡模块和数据监测模块传输连接。作为方式之一，所述电容式触摸模块包括感应触控芯片，感应触控芯片与微处理器中的数据读写模块数据传输连接。作为方式之一，所述高频读卡模块通过rfid卡刷卡进行数据传输连接并存储该数据。作为一种方式之一，所述远程后台服务器通过tcp/ip协议与无线网关装置相连。作为一种方式之一，无线网关装置通过无线传输方式与通讯模块相连。本实用新型针对工厂需求，治具与电脑结合来提升产品的质量。上海海谷电子有限公司回收值得用户放心。江苏进口晶振回收量大从优

所述多条金属线之中的在方向上顺序地相邻的每三条金属线之间的两个金属节距彼此不同。在所述方法的一些实施例中，所述多条金属线通过自对准双倍图案化(sadp)或自对准四倍图案化(saqp)形成。还在所述方法的一些实施例中，单元线路结构是未被划分为至少两个相等的子线路结构的小单元结构。此外，提供一种设计集成电路的方法，所述方法包括：接收定义集成电路的输入数据；设置包括多个标准单元的标准单元库；基于输入数据和标准单元库执行布局和布线；以及基于布局和布线的结果生成定义集成电路的输出数据，其中，所述集成电路包括：半导体基底，多条栅极线，形成在半导体基底上方的栅极层中，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸，以及多条金属线，形成在栅极层上方的导电层中，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸。在所述方法的一些实施例中，所述多条金属线中的6n条金属线和所述多条栅极线中的4n条栅极线形成单元线路结构，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例，一种集成电路包括：半导体基底、多条栅极线和多条金属线。所述多条栅极线形成在半导体基底上方的栅极层中，其中。山西电子元件物料回收服务上海海谷电子有限公司为您提供回收。

通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽，有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能，例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将微变压器集成在集成电路基板内。本发明具有的特点：通过实施本发明，能够在集成电路有机基板本体内采用埋磁技术预制一只或多只磁环，通过激光过孔技术实现变压器，并且电感量和耦合系数都非常高，有利于电源的功率输出和效率。再采用SIP工艺集成Die和分离器件来多种表面处理方式以方便引线键合,倒装芯片或混合类型连接，完成整体功能，如隔离电源，隔离信号传输等电路功能。通过采用印制线及激光精确打过孔方式实现变压器线圈的绕制，代替了人工绕制的困难，特别是直径比较小的磁环变压器，不支持机器绕制，只能人工费时绕制。本发明克服了绕制线圈的非一致性，离散性；方便出引脚，SMT焊接机械对位和一致性；人工绕制的变压器还得有底托，并且引脚必须有寄托，还有就是SMT焊接不能吸取(由于磁环中空)。本发明节约了成本，与纯铜漆包线绕制，整体节约50％成本。本发明由于将微变压器内置于绝缘体内，没有空气爬电距离的路径，在很小的空间内实现了高耐压初次级要达到。附图说明图1是实施本发明一种集成电路基板的结构示意图。

三极管|光敏晶体管|低频放大三极管|功率开关晶体管|其他三极管⑷电子材料|电容器极板材料|导电材料|电极材料|光学材料|测温材料|半导体材料|屏蔽材料|真空电子材料|覆铜板材料|压电晶体材料|电工陶瓷材料|光电子功能材料|强电、弱电用接点材料|激光工质|电子元器件薄膜材料|电子玻璃|类金刚石膜|膨胀合金与热双金属片|电热材料与电热元件|其它电子材料⑸电容器|云母电容器|铝电解电容器|真空电容器|漆电容器|复合介质电容器|玻璃釉电容器|有机薄膜电容器|导电塑料电位器|红外热敏电阻|气敏电阻器|陶瓷电容器|钽电容器|纸介电容器|电子电位器|磁敏电阻/电位器|湿敏电阻器|光敏电阻/电位器|固定电阻器|可变电阻器|排电阻器|热敏电阻器|熔断电阻器|其它电阻/电位器⑹连接器|端子|线束|卡座|IC插座|光纤连接器|接线柱|电缆连接器|印刷板连接器|电脑连接器|手机连接器|端子台、接线座|其他连接器⑺电位器|合成碳膜电位器|直滑式电位器|贴片式电位器|金属膜电位器|实心电位器|单圈、多圈电位器|单连、双连电位器|带开关电位器|线绕电位器|其他电位器⑻保险元器件|温度开关|温度保险丝|电流保险丝|保险丝座|自恢复熔断器|其他保险元器件⑼传感器|电磁传感器|敏感元件|光电传感器|光。回收，就选上海海谷电子有限公司，让您满意，欢迎您的来电哦！

本申请要求于2018年12月5日提交到韩国知识产权局(kipo)的第10-2号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。示例实施例总体涉及半导体集成电路，更具体地讲，涉及具有单元线路结构的集成电路以及制造和设计该集成电路的方法。背景技术：具有固定功能的标准单元可用在集成电路的设计中。标准单元具有预定架构并被存储在单元库中。在设计集成电路时，从单元库索取标准单元并将其放置在集成电路布图上的所需位置。然后执行布线以将标准单元彼此连接并与其他单元连接。标准单元具有预定(或设定)架构，例如，单元宽度、单元高度、单元长度等。可以根据标准单元的配置和布图来确定集成电路的设计效率。技术实现要素：一些示例实施例可以提供具有适合于设计的线路结构的集成电路以及制造和设计集成电路的方法。还提供一种集成电路，所述集成电路包括：半导体基底；多条栅极线，形成在半导体基底上方的栅极层中，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及多条金属线，形成在栅极层上方的导电层中，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，其中，所述多条金属线包括6n条金属线，所述多条栅极线包括4n条栅极线。上海海谷电子有限公司为您提供回收，有想法的不要错过哦！浙江电子物料回收服务

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contract)，“cb”表示接触件，“vo”表示通孔接触件，“m1”表示线路。栅极绝缘层118可以由氧化硅层、高k介电层或它们的组合形成。多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以跨越多个有源区ac在栅极绝缘层118上延伸，同时覆盖每个有源区ac的上表面和两个侧壁。掩模122可以形成在栅极线pc11、12、13、14、15和16中的每条栅极线上。栅极绝缘层118的侧壁、栅极线pc的侧壁和掩模122的侧壁可以被间隔件124覆盖。具体地讲，间隔件124可以沿着第三方向z沿着栅极绝缘层118、栅极线pc和掩模122延伸。在图12c中所示的截面中，栅极绝缘层118可以沿着第三方向z在栅极线pc与间隔件124之间延伸。栅极线pc11、12、13、14、15和16可以具有其中金属氮化物层、金属层、导电覆盖层和间隙填充金属层按顺序堆叠的结构。金属氮化物层和金属层可以包括钛(ti)、钽(ta)、钨(w)、钌(ru)、铌(nb)、钼(mo)、铪(hf)等。例如，可以通过使用原子层沉积(ald)方法、金属有机ald方法和/或金属有机化学气相沉积(mocvd)方法来形成金属层和金属氮化物层。导电覆盖层可以用作防止金属层的表面氧化的保护层。此外，导电覆盖层可以用作有助于金属层上的另一导电层沉积的粘合层(例如，润湿层(wettinglayer))。江苏进口晶振回收量大从优

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