重庆stm32晶振

晶振两端第地接有两个电容，稳定电路，又些说是负载电容。这两个电容，在有些电路中是一样,有些电路中是不一样的，根据CPU振荡电路要求而定。根据经验，如果对时间要求不是很高的话，这个电容20PF左都可以。图右：仔细看比左图多了两个电阻，这个电阻自然有它的用途。1M的电阻是起负反馈作用，使振荡电路可靠工作。有的CPU内部集成有这个电阻，可以不用外接。51欧电阻呢？晶振能产生稳定的频率这是的优点，但是也是强的干扰的信号源，向外辐射电磁波，振动越强，辐射越强。合格的产品一定会经过EMC测试，辐射强度超过。EMC许可的范围怎么办呢？就要想法把信号强度降下来，这就要串入一个电阻降低信号强度,电阻大小依据电路而定，不能太大，太大信号强度低，有些晶体不易起振,CPU会工作不稳定，只要满足EMC就行了，有些CPU用驱动功率低的陶瓷振荡器也要加这个串联电阻。这个晶振怎么接有电源，没有外接电容？这种就是我们常提及的有电源振荡器，把晶振和反相器及相关的电路做在一起，组成一个元件，接上合适的电压就会有方波信号输出。有较高的温定度。当然价格也比单个晶体贵十几倍，对频率要求较高的电路才会使用到，常作信号源单独使用。高基频晶振价格较普通晶振大幅增长，有望迎来量价齐升。重庆stm32晶振

中国可穿戴设备市场规模近年快速增长。IDC数据显示，2018年我国可穿戴设备出货量为7321万台,同比增长28.5%；预计2023年,我国可穿戴设备市场出货量将达到2亿台的规模。我们假设，单台设备平均需要4颗晶振，预计2023年我国可穿戴市场晶振需求量约为8亿颗。在可穿戴设备中，TWS耳机异军突起。各大手机厂商均看好其市场前景，纷纷将TWS耳机纳入标配产品。根据Counterpoint数据，全球TWS耳机出货量由2018年4季度的1250万迅速增长至2019年3季度的3300万，增速为164%。国内TWS耳机在2019年也开启爆发式增长，上半年销量已达到1764万台，逼近2018年全年销量；零售额为57.9亿元，较2018年同期近乎翻倍增长。由于TWS耳机多采用半入耳式耳塞，佩戴方式相对松散，外部噪音容易进入。因此，采用晶振进行降噪成为TWS耳机的必选方案。在TWS耳机内，厂商一般选用体积小、高精密、低功耗的2520、2016贴片晶振。湖南12m晶振马来西亚暴雨！日本晶振大厂NDK两座厂房被淹停工。

设计考虑事项：1、使晶振、外部电容器(如果有)与IC之间的信号线尽可能保持短。当非常低的电流通过IC晶振振荡器时，如果线路太长，会使它对EMC、ESD与串扰产生非常敏感的影响。而且长线路还会给振荡器增加寄生电容。2、尽可能将其它时钟线路与频繁切换的信号线路布置在远离晶振连接的位置。3、当心晶振和地的走线4、将晶振外壳接地如果实际的负载电容配置不当，会引起线路参考频率的误差。另外如在发射接收电路上会使晶振的振荡幅度下降(不在峰点)，影响混频信号的信号强度与信噪。当波形出现削峰，畸变时，可增加负载电阻调整(几十K到几百K).要稳定波形是并联一个1M左右的反馈电阻。

石英钟走时准、耗电省、经久耐用为其很大优点。不论是老式石英钟或是新式多功能石英钟都是以石英晶体振荡器为重要电路，其频率精度决定了电子钟表的走时精度。从石英晶体振荡器原理的示意图中，其中V1和V2构成CMOS反相器石英晶体Q与振荡电容C1及微调电容C2构成振荡系统，这里石英晶体相当于电感。振荡系统的元件参数确定了振频率。一般Q、C1及C2均为外接元件。另外R1为反馈电阻，R2为振荡的稳定电阻，它们都集成在电路内部。故无法通过改变C1或C2的数值来调整走时精度。但此时我们仍可用加接一只电容C有方法，来改变振荡系统参数，以调整走时精度。根据电子钟表走时的快慢，调整电容有两种接法：若走时偏快，则可在石英晶体两端并接电容C，如图4所示。此时系统总电容加大，振荡频率变低，走时减慢。若走时偏慢，则可在晶体支路中串接电容C。如图5所示。此时系统的总电容减小，振荡频率变高，走时增快。只要经过耐心的反复试验，就可以调整走时精度。因此，晶振可用于时钟信号发生器。MEMS技术用于HFF晶体单元/HFF振荡器，使高频产品可以直接以基波起振。

MEMS技术用于超小型音叉晶体，使体积压缩至原有产品1/10音叉谐振器包括底部和从底部延伸的两个振动臂，在两个振动臂上镀有激励电极（红色部分）。该常规结构的晶片微型化后，激励电极面积将随之减小，不利于起振。MEMS技术通过对振动片进行三维立体加工形成H型槽的构造，既确保了电极的面积，又提高了电解效率。MEMS技术有效推动晶体谐振器小型化发展，光刻加工下的晶振体积缩小至18.8mm3小型音叉型晶体器件，体积为原有产品1/10以下（3）MEMS技术用于AT型晶体/AT振荡器，将尺寸公差保持在1um以内利用MEMS技术的光刻加工可以提升石英晶体芯片的一致性与稳定性，光蚀刻工艺能够将尺寸公差保持在1um以内。光刻工艺首先使用电子束真空沉积系统将石英晶片化学蚀刻至预定频率，清洁并用铬和金薄膜金属化。石英掩模和双对准器光刻生成AT条带图案，其中晶片的顶部和底部表面同时对准和曝光。然后通过随后的光掩模步骤限定晶体电极和探针焊盘案。然后对晶片进行化学金属和石英蚀刻以形成单独的AT条带。然后，使用孔掩模和薄膜金属沉积将顶部和底部安装垫连接在一起。光刻工艺完成后，晶圆包含上百个单独的超小型AT晶体谐振器。国产企业突破光刻技术，推进晶振产品向小型化、高精度趋势发展。重庆有源晶振封装

光刻工艺是生产高基频晶振的关键。重庆stm32晶振

因为5404的电压反馈是靠C2的，假设C2过大，反馈电压过低，这个也是不稳定，假设C2过小，反馈电压过高，储存能量过少，容易受外界干扰，也会辐射影响外界。C1的作用对C2恰好相反。因为我们布板的时候，假设双面板，比较厚的，那么分布电容的影响不是很大，假设在高密度多层板时，就需要考虑分布电容。有些用于工控的项目，建议不要用无源晶振的方法来起振，而是直接接有源晶振。也是主要由于无源晶振需要起振的原因，而工控项目要求稳定性要好，所以会直接用有源晶振。在有频率越高的频率的晶振，稳定度不高，所以在速度要求不高的情况下会使用频率较低的晶振。重庆stm32晶振

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