甘肃LD泵浦TmYAP晶体型号

时间:2022年01月19日 来源:

半导体中的稀土稀土金属,稀有金属和稀散金属共同组成了“三稀金属”,而三稀金属被应用在工业领域的各个方面,尤其是半导体产业。比如第二代半导体材料砷化镓,碲化铟,第三代半导体材料氮化镓等,此外稀土金属还在抛光、靶材、激光灯方面,以其优异的物理和化学属性发挥着巨大作用。稀土常被用作抛光材料,氧化铈是抛光粉较常用的材料,其中高铈抛光粉主要用于石英、光学镜头等硬质玻璃长时间循环抛光;中铈抛光粉用于中等精度的光学镜头及液晶显示器等工件的抛光;低铈抛光粉主要用于平板、显像管玻璃等抛光。TmYAP晶体直接线偏振光输出。甘肃LD泵浦TmYAP晶体型号

用直拉法成功地生长了浓度分别为1at%、3at%、4at%、5at%和15at%的Tm:YAP晶体,这些晶体均具有较高的光学质量,无宏观缺陷。用XRD和ICP分析了晶体结构和偏析特征,用激光脉冲法测试了TM3360YAP晶体的热导率。结果表明,随着掺杂浓度的增加,TM3360YAP晶体的热导率***降低。测试和分析了不同浓度的Tm:YAP晶体的吸收和荧光特性及其温度依赖性。高浓度掺杂晶体表现出荧光猝灭现象。不同浓度的偏振荧光光谱显示,在1934 nm,浓度为5%时,在E//a方向的比较大发射截面为4.510-21cm2,发射峰宽而平。甘肃LD泵浦TmYAP晶体型号上空腔温度梯度较小,温度均匀性较高的温场设计能够有效的解决TmYAP晶体开裂、解理等现象。

Tm:YAP晶体荧光谱及荧光寿命?一、基质材料,激光工作物质中的基体材料为离子提供了外场,使离子产生合适的激光发射,并影响发射峰位置和发射线宽。由相同活化离子的不同基质组成的工作物质可以具有不同的发射波长范围、激光阈值和激光倾斜效率。Tm:YAP晶体结构及分凝系数如前所述,YAP晶体属正交晶系畸变钙钛矿结构,空间群为D162h (Pnma),其结构示意图如图4-2所示,其中Al3+的配位数为6,处于氧八面体的中心,而Y3+的配位数是12,处于氧配位多面体的中心。Y-O键间距离2.62Å,使稀土离子很容易取代Y3+进入晶格1。

近年来随着激光技术的快速发展和激光器件的不断增加,可供临床使用的激光种类也越来越多,无论是从高功率连续激光到飞秒超短脉冲激光,还是从深紫外激光到中红外激光,无不在外科手术、疾病诊断、美容保健等方面表现出重要的应用潜力。因此在选用医用激光器时,应根据不同的临床需求并结合激光器件的较新发展,确定较适合的激光参数及指标,从而对医用激光器做出合理而实用的选择。Tm:YAP晶体的常温荧光谱及荧光寿命3at%Tm:YAP的不同方向偏振荧光特性。在2mm波段Tm:YAP有比较宽的发射带(1600nm-2150nm),有利于实现调谐激光输出,而E//a发射谱在1940nm处具有较强发射峰。Tm的荧光寿命,9.2ms@6% Tm:YAG晶体是Tm:YAP晶体的两倍长。

退火对3at%Tm:YAP晶体的影响我们对3at%Tm:YAP样品分别进行了H2和O2退火实验,其中H2退火为1150℃保温20h,O2退火为1200℃保温10h,O2退火后晶体颜色加深,而H2退火后晶体颜色变浅。通过对退火前后吸收谱分析我们发现,氧气退火使212nm-628nm吸收明显增加,并且在254nm和372nm处出现两个比较宽的吸收峰,而氢气退火使该段吸收减少,并且差分吸收谱在254nm和372nm处也出现两个凹陷的峰。我们认为这些缺陷的形成是由于Fe3+、Fe2+的存在造成。其中254nm左右为Fe3+吸收峰,372nm差吸收峰对应Fe3+→O2-→Fe2+电荷转移吸收峰,氧气退火使Fe3+增加而Fe2+减少,故两处吸收峰增强,而氢气退火使Fe3+减少而Fe2+增加,故两处吸收峰减弱。工业的“血液”叫石油,工业的“粮食”是芯片,而工业的“维生素”,名曰稀土。甘肃LD泵浦TmYAP晶体型号

TmYAP晶体中文名掺铥铝酸钇晶体。甘肃LD泵浦TmYAP晶体型号

Tm:YAP晶体能级结构?由于上述优异的热力学和光谱激光性质,Tm:YAP激光晶体已成为2m波段的重要晶体之一。自20世纪60年代末YAP晶体生长技术取得突破以来,人们开始研究YAP中Tm3的光谱特性。1973年,韦伯等人在77K下实现了YAP晶体中Tm3 1.861m激光输出[29]。此后,Tm:YAP激光晶体的研究取得了很大进展,较大输出功率为50W,比较大倾斜效率为60%。主要激光实验报告如表12所示。除了Tm:YAG和Tm:YAP晶体外,Lu3Al5O12(LuAG)晶体也得到研究。甘肃LD泵浦TmYAP晶体型号

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