福建科研用CeYAP晶体型号

CeYAG晶体应该如何退火？研究了Ce:YAP晶体的自吸收机制。在实际应用中，国产Ce: YAP晶体存在严重的自吸收问题，直接影响晶体的发光效率。比较了铈离子浓度、退火、辐照和杂质对铈： YAP晶体自吸收的影响。通过分析Ce: YAP晶体的自吸收机制，发现在YAP中存在一个Ce4离子的宽带电荷转移吸收峰，其半峰全宽接近100纳米。结果表明，还原Ce4离子可以被Ce: YAP晶体的自吸收，Ce4离子可以明显猝灭Ce3离子的发光。 不同气氛生长Ce:YAP晶体透过和荧光谱有什么不同？由于YAP晶体热膨胀系数和热导率的轴向差异，除了选择合适的籽晶外，选择合适的温度场环境更为重要。福建科研用CeYAP晶体型号

同浓度Ce: YAP的荧光光谱。在可见光(300纳米)激发下，不同浓度Ce: YAP的荧光强度随着浓度的增加而增加，直到0.5at%。当浓度为1.0at%时，浓度淬灭，发光强度开始降低。相同厚度(5mm)的Ce: YAP晶体在X射线激发下的发光强度随着浓度的增加先增大后减小，峰值位置也有红移，其中0.3at%处的发光强度比较高。自吸收对光致发光几乎没有影响，因为激发和发射过程都发生在样品表面。在高能射线的激发下，经过多次电离过程，晶体内部产生大量的电子-空穴对，电子-空穴对将能量传递到发光中心，发光过程基本发生在晶体内部。陕西国产CeYAP晶体厂家直供实际应用中，国产Ce: YAP晶体存在严重的自吸收问题，直接影响晶体的发光效率。

国外生长的YAP单晶已达到50毫米，长约150毫米，重约1380克。随着生长技术的提高，中科院上海光学力学研究所已经能够生长出直径为50 mm的大单晶，但形状控制和质量有待进一步提高。比较了不同价离子掺杂对Ce: YAP晶体闪烁性能的影响。结果表明，二价离子掺杂对Ce: YAP晶体的闪烁性能有很强的负面影响，而四价离子掺杂有助于提高Ce:Yap晶体的部分闪烁性能。还研究了锰离子掺杂对Ce: YAP晶体性能的影响。发现YAP基体中Mn离子和Ce离子之间存在明显的能量转移过程，Ce和Mn: YAP的衰变时间明显短于Ce、Mn : YAP，其快、慢成分分别为10.8ns和34.6 ns。

近年来，出现了一些新的快速闪烁材料，如Zn0基闪烁体、掺镨氧化物晶体[2，3]、Yb: YAG等。Zn0和Yb: YAG的衰减时间小于1ns，但出光率低，Zn0晶体的生长非常困难。由于Pr3中d-f跃迁发光的存在，其氧化物晶体的衰变时间比掺铈氧化物晶体快。比如Pr3360YAG是17ns，但是Pr的复杂能级对光产额影响很大。0近有报道称，掺镓Zn0的发光强度有了很大的提高，对时间特性影响不大。由于各种原因，这些新的闪烁材料在实际应用之前还有很长的路要走。闪烁材料会议也经常举行。Ce和Mn: YAP的衰变时间明显短于Ce、Mn : YAP，其快、慢成分分别为10.8ns和34.6 ns。

对于掺Ce3的无机闪烁晶体，高能射线作用下的闪烁机制一般认为如下[16，17]:晶体吸收高能射线后，晶体内部产生大量的热化电子空穴对。由于铈元素的四阶电离能是所有稀土元素中比较低的(如图1-6所示)，晶体发光中心的Ce3离子首先俘获一个空穴形成Ce4离子。然后一个电子被捕获，变成Ce3。此时，电子和空穴被铈离子重组。复合产生的能量将Ce3离子从4f基态激发到5d激发态，然后Ce3离子从5d激发态辐射弛豫到4f基态发光由于掺杂铈离子的无机闪烁体通常具有高光输出和快速衰减的特点。晶体生长过程中大的温度梯度以及快的降温速率等是CeYAP晶体产生开裂的主要原因。福建科研用CeYAP晶体型号

目前，Ce:YAP闪烁晶体已有不同规格出售，主要采用直拉法和下降法生长。福建科研用CeYAP晶体型号

晶体中e3的电子结构、能级结构和发光特性，给出了镧系元素的电子壳层结构和离子半径。从表中可以看出，Ce元素的电子结构为[Xe]4f15d16s2，所以Ce3的电子结构以[Xe]4f1为特征，Ce3的内部电子结构为惰性原子结构，0外层只有一个电子结构，所以Ce3在晶体中具有独特的能级结构和发光特性:Ce3离子的一个电子在4f能级上L=3，在5d能级上L=2，它们的宇称不同，所以Ce3离子的5d-4f跃迁是允许的电偶极子跃迁。在这个允许的5d-4f跃迁中，电子在5d能级的寿命很短，一般在低5d能级的30~100ns，所以作为闪烁晶体的发光中心，它的衰变时间很短。福建科研用CeYAP晶体型号

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