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Ca2+离子和Si4+离子掺杂对Ce : YAP晶体有哪些影响？钇铝石榴石(Y3Al5O12或YAG)单晶是一种优良的激光基质材料和光学衬底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶体得到了普遍的应用。Ce:YAG晶体作为闪烁材料在1992年引起了人们的注意。Moszynski和Ludziejewski分别于1994年和1997年系统地研究了Ce:YAG晶体的闪烁特性，指出Ce:YAG晶体具有优异的闪烁特性。Ce:YAG衰减快(80ns)，在530nm处发出荧光，其发射波长与硅光电二极管的探测敏感区相匹配，因此可应用于低能射线粒子的探测等领域。CeYAP晶体具有优良的闪烁性能，其主要特点是光产额大，衰减时间短。广西品质CeYAP晶体现货

有时线性吸收系数被质量吸收系数微米=/d (d袋表密度)代替。因为质量吸收系数与材料的晶体结构和相态无关。与卤素化合物晶体相比，氧化物晶体具有优异的热力学性质和稳定的化学性质。因此，铈离子掺杂的无机氧化物闪烁晶体，包括铝酸盐、硅酸盐、硼酸盐和磷酸盐，已经引起了极大的关注和光泛的研究。下表总结了铈离子掺杂氧化物和硫化物闪烁晶体的基本闪烁特性。由表可知，大多数掺铈离子的氧化物闪烁晶体具有高光输出和快速衰减的特性，尤其是掺铈离子的铝酸盐和硅酸盐闪烁晶体具有诱人的闪烁特性，如Ce:YAP、Ce3360YAG、Ce:LSO和Ce3360Lyso，被认为是新一代高性能无机闪烁晶体。广西品质CeYAP晶体现货有观点认为YAP晶体的本征紫外发光中心与反位缺陷YAl3+有关。

电子、空穴和激子的相互作用将导致局域化。许多离子晶体表现出一种有趣的现象，即价带空穴位于正常晶格中，这种现象被称为自陷。在热化过程中，空穴达到价带的顶部，并被限制在特定的阴离子中。对于碱金属卤化物晶体，这意味着一个卤化物离子转变成一个原子：X- X0。该卤原子X0将在一定程度上极化环境，并且该系统将显示出轴向弛豫，导致这种局部空穴被两个相邻的阴离子共享。这种状态被称为X2分子或Vk中心(图1.2)。在低温下(通常t <200 k)，Vk核是稳定的，位于两个阴离子上的空穴称为自陷空穴，电离辐射后离子晶体形成自陷空穴的平均时间为10-11 s到10-12 s，这个时间比自由空穴和导带电子的复合时间短。因此，纯离子晶体中的大多数空穴很快转化为Vk中心。 不同厚度Ce:YAP晶体自吸收比较。

哪里可以买到CeYAP晶体？需要说明的是：(1)透镜的作用是便于调节，使得激光光斑和闪烁体尺寸相适应，激光能够比较均匀地辐照到晶体上；(2)要避免激光透过晶体直接打到光电管光阴极上，以防止损伤光电管和记录示波器；(3)为了避免激光经闪烁体散射而打到光电管光阴极上，之前加滤镜是为了将波长较短的散射激光(266nm)滤掉，同时让波长相对长的闪烁晶体的激发荧光通过；(4)整个实验需要在暗室中进行。数据分析方法与 X 射线激发荧光寿命相似。 Ce:YAP晶体中Ce3离子5d4f跃迁对应的荧光光谱为330 ~ 400nm之间的一个带，其峰值约为365 ~ 370nm。Ce:YAP晶体在弱还原气氛中生长，发现晶体的自吸收被有效压制。

有人计算过YAP晶体的能带结构[77，78]。结果表明，该氧化物晶体的价带顶端由未结合的O2-离子组成，而价带he心主要由O2-离子的2S能级和Y3离子的4P能级的混合物组成。导带底部主要由Y3离子的4d和5S轨道组成，而Al3的3d能级在导带中占据较高的能级位置。YAP晶体的禁带宽度为7.9 eV，主要由Y-O相互作用决定，而不是Al-O相互作用。文献[26]中也报道了YAP晶体的带隙为8.02 eV。由于YAP晶体结构的各向异性，很难获得高质量的晶体，但由于其广阔的应用前景，人们对YAP晶体的生长过程做了大量的探索和研究。作为剂量计材料可在较高温度环境下使用，CeYAP有可能发展成为具有特殊应用的辐射剂量计材料。吉林白光LED用CeYAP晶体批发价

开中频电源升温至原料全部熔化，在此过程中打开晶转，以使炉内温度分布均匀。广西品质CeYAP晶体现货

为了了解过渡金属掺杂对Ce: YAP自吸收可能产生的影响，我们对比了Cu(0.5%), Fe(0.5%)，Mn(0.5%) 等过渡金属掺杂的纯YAP晶体的透过谱。由此可见，Mn掺杂YAP在480nm处有明显吸收峰，Cu 掺杂则在370nm左右存在吸收峰，Fe掺杂YAP并将在下节讨论。我们生长的Ce: YAP 在350nm到500nm范围内不存在额外吸收峰，少量过渡金属离子的存在对吸收只会造成线性叠加影响, 且低浓度吸收并不足以造成Ce: YAP晶体的自吸收，因此过渡金属离子污染造成Ce: YAP吸收带红移可能性不大。广西品质CeYAP晶体现货

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