浙江EMC射频功率放大器

    图10为本发明实施例提供的可控衰减电路和输入匹配电路的示意图。具体实施方式对于窄带物联网(narrowbandinternetofthings，nb-iot)的终端(userequipment，ue)来说，射频前端系统中的射频功率放大器电路一般要求发射功率可调，当射频功率放大器电路之前射频收发器的输出动态范围有限时，就要求功率放大器增益高低可调节。在广域低功耗通信的应用场景中，对射频功率放大器电路的增益可调要求变得更突出，其动态范围要达到35～40db，并出现负增益的需求模式。例如，在窄带物联网通信对象之间距离近(nb-iot的终端距离基站很近)的情况下会出现负增益的需求。在应用中，一方面在射频功率放大器的电路设计中，可以降低功率增益，在不过度影响原有电路匹配的前提下，通过增强驱动级晶体管的负反馈；另一方面，可以在输入匹配电路中插入可控衰减电路的设计，这样对功率放大器的性能影响较小，降低增益的效果明显。下面介绍一种射频功率放大器电路，是在高增益模式的电路基础上，一般通过增强驱动级的负反馈来降低增益。图1a为相关技术中射频功率放大器电路的组成结构示意图，图1b为图1a的电路结构示意图，参见图1a和图1b，方案。交调失真有不同频率的两个或更多的输入信号经过功率放大器而产生的 混合分量由于功率放大器的非线性造成的。浙江EMC射频功率放大器

    温度每升高10°C将会导致内部功率器件的平均无故障工作时间（MTBF）缩短。AB类放大器在讨论AB类放大器之前，让我们简单地说一说B类放大器。B类放大器的晶体管偏置使得器件在输入信号的半个周期内导通，在另半个周期截止，为了复现整个周期的信号，可采用双管B类推挽电路，如图所示。B类放大器的偏置设置使得当在没有输入信号的情况下器件的输出电流为零，每个器件只在特定的信号半周期内工作，因此，B类放大器具有高的效率，理论上可以达到。但由于两个管子交替着开启关闭引起的交越失真使得线性度不好。这种交越失真的存在使它不适合商用电磁兼容标准的应用。AB类放大器也是EMC领域常用的功率放大器，其工作原理图如图5所示。图5：AB类放大器的工作原理图AB类放大器试图使得工作效率与B类放大器接近，而线性度与A类放大器接近。通过调整对偏置电压的设置，使得AB类放大器中的每个管子都可以像B类放大器一样分别在输入信号的半个周期内导通，但在两个半周期中每个管子都会有同时导通的一个很小的区域，这就避免了两个管子同时关闭的区间，结果是，当来自两个器件的波形进行组合时，交叉区域导致的交越失真被减少或完全消除。通过对静态工作点的精确设置。四川品质射频功率放大器服务电话微波固态功率放大器的工作频率高或微带电 路对器件结构元器件装配电路板布线腔体螺钉位置等都 有严格要求。

主要厂商有美国Skyworks、Qorvo、Broadcom，日本村田等。三家合计占有全球66%的份额，Skyworks和Qorvo更是处于全球遥遥的位置。2017年GaAs晶圆代工市场，中国台湾稳懋（WinSemi）独占全球，是全球大GaAs晶圆代工厂。5G设备射频前端模组化趋势明显，SIP大有可为5G将重新定义射频（RF）前端在网络和调制解调器之间的交互。新的RF频段（如3GPP在R15中所定义的sub-6GHz和毫米波（mm-wave）给产业界带来了巨大挑战。LTE的发展，尤其是载波聚合技术的应用，导致当今智能手机中的复杂架构。同时，RF电路板和可用天线空间减少带来的密集化趋势，使越来越多的手持设备OEM厂商采用功率放大器模块并应用新技术，如LTE和WiFi之间的天线共享。在低频频段，所包含的600MHz频段将为低频段天线设计和天线调谐器带来新的挑战。随着新的超高频率（N77、N78、N79）无线电频段发布，5G将带来更高的复杂性。具有双连接的频段重新分配（早期频段包括N41、N71、N28和N66，未来还有更多），也将增加对前端的限制。毫米波频谱中的5GNR无法提供5G关键USP的多千兆位速度，因此需要在前端模组中具有更高密度，以实现新频段集成。5G手机需要4X4MIMO应用，这将在手机中增加大量RF流。结合载波聚合要求。

    通过可控衰减电路中的电阻吸收和衰减射频功率，使得进入后续电路的射频功率减小，输入信号衰减，从而实现负增益。在一个可能的示例中，可控衰减电路包括电阻r1、第二电阻r2、电感l1和开关t1，开关的栅级与电阻的端连接，电阻的第二端连接电压信号，开关的漏级与第二电阻的端连接，开关的源级接地，电感的端连接输入信号，电感的第二端连接第二电阻的第二端；其中，开关，用于响应微处理器发出的控制信号使自身处于关断状态，以使可控衰减电路处于无衰减状态，实现射频功率放大器电路处于非负增益模式；还用于响应微处理器发出的第二控制信号使自身处于导通状态，以使可控衰减电路处于衰减状态，实现射频功率放大器电路处于负增益模式；其中，控制信号为具有电压值的电压信号，第二控制信号为具有第二电压值的电压信号，电压值与第二电压值不同。需要说明的是，开关为绝缘体上硅cmos管，或平面结构mos管。电阻为上拉电阻，其阻值较小，电压信号vgg通过电阻连接开关。在一些实施例中，微处理器通过控制vgg＝，使得开关关断，可控衰减电路处于无衰减状态，将输入匹配电路与可控衰减电路隔离，此时，射频功率放大器电路对输入信号放大，射频功率放大器电路实现非负增益模式。射频功率放大器地用于多种有线和无线应用中，包括 CATV，ISM，WLL，PCS，GSM，CDMA 和 WCDMA 等各种频段。

    则该阻抗与rfin端的输入阻抗zin共轭匹配，zin＝r0-jx0；加入可控衰减电路后，在输入匹配电路101之前并联接地的r2和sw1所在的支路中，为保证有效的功率衰减，r2一般控制得较小，故对r0影响可以忽略。sw1关断时，r2和sw1所在的支路可以等效成寄生电抗xc，此时，可控衰减电路和输入匹配电路的等效阻抗zeq＝(r0+jx0)//jxc+jxl，其中，“//”表示并联，zeq的实部小于r0，为了使等效阻抗与输入阻抗尽可能的匹配，减少影响，需要zeq的虚部im(zeq)＝x0，在r0、x0和xc的数值已知的情况下，根据等效阻抗zeq的表达式可以计算出xl，进而得到电感l1的电感值，其中，由于电感l1被集成在硅基芯片上，所以电感l的品质因数q值一般不大于5。为了进一步提高电路实用性，并提高射频耐压和静电保护能力，本申请实施例的进一步形式是将并联支路的r换成sw2(如图4所示)，通过控制sw1和sw2的栅极的宽长比控制导通的寄生电阻和关断的寄生电容以及esd能力。换句话说，在做设计时控制sw1和sw2的栅极的宽长比w/l，可以获得期望的ron，其中：开关导通的电阻：ron＝1/(μ*cox*(w/l)*(vgs-vth))，其中，*表示乘号，μ是指电子迁移率，cox是指单位面积的栅氧化层电容，w/l是指cmos器件有效沟道长度的宽长比。噪声系数是指输入端信噪比与放大器输出端信噪比的比值，单位常用“dB'’。浙江V段射频功率放大器哪里卖

效率：功率放大器的效率除了取决于晶体管的工作状态、电路结构、负载 等因素外，还与输出匹配电路密切相关。浙江EMC射频功率放大器

    图3中的自适应动态偏置电路的电路结构如图2所示。射频输入端rfin和射频输出端rfout之间设置有两个主体电路，每个主体电路包括激励放大器和功率放大器，激励放大器和功率放大器通过匹配网络连接。主体电路中的c04和c05构成激励放大器和功率放大器之间的匹配网络；第二主体电路中的c11和c12构成激励放大器和功率放大器之间的匹配网络。主体电路中的激励放大器与变压器t01的副边连接，第二主体电路中的激励放大器与第二变压器t03的副边连接。变压器t01的原边和第二变压器t03的原边连接，变压器t01的原边与第二变压器t02的原边之间还连接有电容c01。变压器t01、第二变压器t02和电容c01构成一个匹配网络。变压器t01的副边连接有电容c02，第二变压器t03的副边连接有电容c09。变压器t01的原边连接射频输入端rfin，第二变压器t03的原边接地。变压器t01原边与第二变压器t03原边的公共端连接自适应动态偏置电路的输入端rfin_h。主体电路中的功率放大器与第三变压器t02的原边连接，第二主体电路中的功率放大器与第四变压器t04的原边连接。第三变压器t02的副边与第四变压器t04的副边连接，第三变压器t02副边和第四变压器t04副边之间还连接有电容c16。浙江EMC射频功率放大器

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