济南MTDC30晶闸管智能模块批发

    晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的比较低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络。正高电气以创百年企业、树百年品牌为使命，倾力为客户创造更大利益！济南MTDC30晶闸管智能模块批发

    调试告结束。13、注意事项，请取下控制板，否则可能造成控制板长久性损坏。，恕不另行通知。，本公司概不负责。MPU器件是一种CMOS器件，使用时应注意，器件的两个引脚之间严禁短路，否则将损坏芯片，为保护器件的安全，因此忌用万用表直接测量器件的引脚。，控制板上有高压电，请注意，以免触电。14.问题讨论控制电路上已经把过压保护电平固定在额定输出电压的，当进行定额电压整定时，过压保护就自动整定好了。若觉得，可改变控制板上的R28电阻值，减小R28，过压保护电平增高；反之减小。控制电路上已经把过流保护电平固定在额定直流电流的，当进行额定电流的整定时，过流保护就自动设定好。若觉得，增大R27，过流保护电平增高，反之减小。当，可在系统运行于重负荷下，逆时针调节控制板上的W1电流反馈微调电位器，使直流表达到额定值。这与一般的中频电源的电源整定是一样的。一定要使它激频率高于槽路可能的比较大谐振频率，否则，系统由于它激频率的“拽着”而不能正常运行。它激频率高于槽路可能的比较大谐振频率。对熔炼负载来说，恒功率输出是很重要的，要想使恒功率的范围大，就要使逆变引前角从**小变到比较大的范围尽可能的大，同时负载阻抗的匹配也很重要。济南MTDC30晶闸管智能模块批发正高电气产品**国内。

晶闸管智能模块电流规格的选取方法

考虑到晶闸管智能模块产品一般都是非正弦电流，存在导通角的问题并且负载电流有一定的波动性和不稳定因素，且晶闸管芯片抗电流冲击能力较差，在选取模块电流规格时需要留出一定余量。推荐选择方法可按照以下公式计算：

I>K×I负载×U较大∕U实际

K ：安全系数，阻性负载K= 1.5，感性负载K= 2；

I负载：负载流过的较大电流；    U实际：负载上的较大电压；

U较大：模块能输出的较大电压；（三相整流模块为输入电压的1.35倍，单相整流模块为输入电压的0.9倍，其余规格均为1.0倍）；

I：需要选择模块的较大电流,模块标称的电流一定要大于该值。

例：某系统用三相整流模块电炉调温，380V输入，输出电流130A，输出直流电压可调350V～450V，应选择什么型号的模块？

选择方法：三相整流模块，380V输入，较大输出直流电压为380×1.35=513V,电炉为阻性负载,按公式输出电流应不小于1.5×130×513/350=285.81A,可选取接近（但一定要大于）值，即320A的模块，型号为:3MTDC320。

    如果所装的中频电源不需要复位功能、报警功能、内接频率表的话，端子CON2-6、CON2-1、CON3-8、CON3-9便可不用。11、应用举例图示为一台KGPS-160KW中频电源的电气原理图，可作为其它装置原理设计的参考，由于控制电路已经对开机，关机的逻辑进行了设计，因此，不必考虑主回路与控制回路的上电顺序。12、调试一台20M示波器，若示波器的电源是三芯插头时，注意“地线”千万不能接，示波器外壳对地需绝缘，*使用一踪探头，示波器的X轴、Y轴均需较准，探头需在测试信号下补偿好。若无高压示波器探头，应用电阻做一个分压器，以适应600V以上电压的测量。一个≤500Ω、≥500W的电阻性负载。为了调试的安全，调试前，应该使逆变桥不工作。例如：把平波电抗器的一端断开，再在整流桥直流口接入一个≤500Ω、≥500W的电阻性负载。电路板上的IF微调电位器W1顺时针旋至比较**（调试过程发生短路时，可以提供过流保护）。主控板上的DIP-1开关拨在ON位置；用示波器做好测量整流桥输出直流电压波形的准备；把面板上的“给定”电位器逆时针旋至**小。送上三相供电（可以不分相序），检查是否有缺相报警报示，若有，可以检查进线快速熔断器是否损坏。把面板上的“给定”电位器顺时针旋大。正高电气为客户服务，要做到更好。

    检测两基极间电阻：两表笔（不分正、负）接单结晶体管除发射极E以外的两个管脚，读数应为3～10kΩ。[7]检测PN结正向电阻（N基极管为例，下同）：黑表笔接发射极E，红表笔分别接两个基极，读数均应为数千欧。对调两表笔后检测PN结反向电阻，读数均应为无穷大。如果测量结果与上述不符，说明被测单结管已损坏。[8]测量单结晶体管的分压比η：按图示搭接一个测量电路，用万用表“直流10V”挡测出C2上的电压UC2，再按公式η=UC2/UB计算即可。[9]单结晶体管的基本应用是组成脉冲产生电路，包括振荡器、波形发生器等，并可使电路结构大为简化。图示为单结晶体管弛张振荡器。单结管VT的发射极输出锯齿波，基极输出窄脉冲，第二基极输出方波。RE与C组成充放电回路，改变RE或C即可改变振荡周期。该电路振荡周期T≈RECln[1/（1-η）]，式中，ln为自然对数，即以e（）为底的对数。[10]单结晶体管还可以用作晶闸管触发电路。图示为调光台灯电路。在交流电的每半周内，晶闸管VS由单结管VT输出的窄脉冲触发导通，调节RP便改变了VT输出窄脉冲的时间，即改变了VS的导通角，从而改变了流过灯泡EL的电流，实现了调光的目的。[11]晶体闸流管简称为晶闸管，也叫做可控硅。正高电气具备雄厚的实力和丰富的实践经验。济南MTDC30晶闸管智能模块批发

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    由于晶闸管在导通期间，载流子充满元件内部，所以元件在关断过程中，正向电压下降到零时，内部仍残存着载流子。这些积蓄的载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流，使积蓄载流子迅速消失，这时反向电流消失的极快，即di/dt极大。因此即使和元件串连的线路电感L很小，电感产生的感应电势L（di/dt）值仍很大，这个电势与电源电压串联，反向加在已恢复阻断的元件上，可能导致晶闸管的反向击穿。这种由于晶闸管关断引起的过电压，称为关断过电压，其数值可达工作电压峰值的5～6倍，所以必须采取措施。阻容吸收电路中电容器把过电压的电磁能量变成静电能量存贮，电阻防止电容与电感产生谐振、限制晶闸管开通损耗与电流上升率。这种吸收回路能晶闸管由导通到截止时产生的过电压，有效避免晶闸管被击穿。阻容吸收电路安装位置要尽量靠近模块主端子，即引线要短。比较好采用无感电阻，以取得较好的保护效果。各型号模块对应的电阻和电容值根据表10选取。（2）压敏电阻吸收过电压压敏电阻能够吸收由于雷击等原因产生能量较大、持续时间较长的过电压。压敏电阻标称电压（V1mA），是指压敏电阻流过1mA电流时它两端的电压。压敏电阻的选择，主要考虑额定电压和通流容量。济南MTDC30晶闸管智能模块批发

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